Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах
Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. Принципы работы, конструкция и классификация транзисторов данного вида. Четыре типа транзисторов. Вспомогательные элементы микросхем. Применение охранных колец.
Подобные документы
Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.
курсовая работа, добавлен 13.07.2008Основные виды структур ИМС. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы. Факторы, ограничивающие степень интеграции. Причины, ограничивающие минимальные размеры интегральных микросхем. Микросборка оптоэлектронных ИМС. Метод элементной избыточности.
реферат, добавлен 23.06.2010Интегральные микросхемы. Подложки толстопленочных микросхем. Толстопленочные проводники и резисторы. Основные свойства резистивных пленок. Удельное сопротивление сплошной толстой пленки. Перенос электрического тока через толстопленочную структуру.
реферат, добавлен 06.01.2009Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.
реферат, добавлен 14.03.2010Сущность и назначение цифровых интегральных микросхем, описание их статических и динамических параметров. Основы алгебры логики. Изучение элементов транзисторной логики с эмитерными связями. Принципы сочетания диодного элемента с транзисторным инвертором.
реферат, добавлен 21.11.2010Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.
курсовая работа, добавлен 17.02.2010Анализ исходных данных и выбор конструкции. Разработка коммутационной схемы. Расчет параметров элементов. Тепловой расчет микросхемы в корпусе. Расчет паразитных емкостей и параметров надежности микросхемы. Разработка технологии изготовления микросхем.
курсовая работа, добавлен 12.06.2010Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.
контрольная работа, добавлен 10.06.2013Конструкционные проблемы теплового режима металлических пленок бескорпусных полупроводниковых интегральных микросхем: диаграмма нагрева и расчет надежности эскизного проекта. Интенсивность отказов конструкции и структуры проводника металлизации.
реферат, добавлен 13.06.2009Применение четырехканального реограф на транзисторах с питанием от батарей для ведения научно-исследовательских работ. Конструкция прибора, структурная и принципиальная схемы, технические данные. Расчет транзисторного ВЧ генератора и аттенюатора.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Основные активные элементы, применяемые в устройствах, работающих в диапазоне радиоволн. Важные характеристики интегральных микросхем. Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы. Источники и приемники оптического излучения, модуляторы.
реферат, добавлен 14.02.2016Проектирование топологии гибридных микросхем, тонко- и толстопленочных, их тепловой режим и характер паразитных связей. Конструкции пленочных конденсаторов и используемые при их изготовлении материалы. Пример расчета параметров конденсатора данного типа.
курсовая работа, добавлен 30.01.2014Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.
курсовая работа, добавлен 08.03.2010Разработка диапазонного радиопередатчика, его параметры. Использование транзисторов в качестве активных усилительных элементов на данных частотах и мощностях во всех каскадах. Структурная схема передатчика, включения модуляции. Выбор согласующихся цепей.
курсовая работа, добавлен 27.03.2013Применение мощных полевых транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы) в выходных каскадах усилителей мощности. Моделирование схемы усилителя НЧ на МДП-транзисторах в программе Multisim 8. Линейные и фазовые искажения, коэффициент гармоник.
дипломная работа, добавлен 30.04.2010Топологический расчет схемы принципиальной электрической для толстопленочной гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Конструирование, технология толстопленочных ГИС. Расчет толстопленочных резисторов и конденсаторов. Выбор корпусов для микросхем.
курсовая работа, добавлен 03.02.2010Интегральная микроэлектроника как элементная база дискретной техники. Применение биполярных и полевых транзисторов в качестве активных элементов цифровых микросхем. Выбор и обоснование структурной схемы суммирующего двоично-десятичного счетчика импульсов.
курсовая работа, добавлен 04.06.2010Описание схемы электрической принципиальной конструкции. Выбор резисторов, микросхем, транзисторов. Расчёт конструктивно-технологических параметров: надёжности, узкого места, теплового сопротивления. Разработка трассировки и компоновки печатной платы.
курсовая работа, добавлен 05.10.2012Маршрут изготовления биполярных интегральных микросхем. Разработка интегральной микросхемы методом вертикального анизотропного травления с изоляцией диэлектриком и воздушной прослойкой. Комплекс химической обработки "Кубок", устройство и принцип работы.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016- 45. Разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине "Проектирование интегральных микросхем"
Исследование принципа действия биполярного транзистора. Конструирование и расчет параметров диффузионных резисторов. Классификация изделий микроэлектроники, микросхем по уровням интеграции. Характеристика основных свойств полупроводниковых материалов.
дипломная работа, добавлен 20.06.2012 Конструкции полевых транзисторов с управляющим р-п переходом. Стоко-затворная и стоковая (выходная) характеристики, параметры и принцип действия транзисторов. Структура транзисторов с изолированным затвором. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью.
реферат, добавлен 21.08.2015Электронные ключи – элементы, производящие под воздействием управляющего сигнала различные коммутации в импульсных и цифровых устройствах. Схемы электронных ключей на полевых транзисторах. Принцип их работы, схожесть с ключами на биополярных транзисторах.
контрольная работа, добавлен 12.07.2009Исследование полевых транзисторов и анализ оборудования для их герметизации. Материалы деталей для корпусов транзисторов. Назначение и работа автомата герметизации. Расчет вибробункера автомата герметизации транзисторов. Технология изготовления детали.
дипломная работа, добавлен 21.06.2014История открытия, классификация транзисторов по структуре (биполярные, полевые, однопереходные и криогенные), мощности, исполнению, материалу (пластик, полимеры). Особенности металлических и полимерных транзисторов и их сравнительная характеристика.
презентация, добавлен 06.03.2015Классификация биполярных транзисторов по типу рабочего материала и механизму передачи тока в структуре. Технологические разновидности БТ. Основные свойства сплавных и планарных транзисторов. Ширина диапазона рабочих частот БТ. Способы повышения усиления.
контрольная работа, добавлен 15.01.2011