Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах
Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. Принципы работы, конструкция и классификация транзисторов данного вида. Четыре типа транзисторов. Вспомогательные элементы микросхем. Применение охранных колец.
Подобные документы
Описание работы каскада с указанием назначения элементов, построением токов и напряжений на вольт-амперных характеристиках транзистора. Обоснование выбора элементов схемы каскада по типу, допуску номинала, мощности, напряжению. Расчет элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 09.02.2014Розрахунок вихідного каскаду безтрансформаторного двохтактного комплементарного підсилювача потужності на транзисторах з різною провідністю. Підбір вихідних транзисторів, включених по схемі зі спільним колектором; розрахунок емітерного повторювача.
курсовая работа, добавлен 25.01.2013Расчет и проектирование резистивных элементов. Конструирование пленочных конденсаторов. Описание строения и функционального назначения индуктивных элементов. Характеристика навесных компонент ГИС. Методы термического испарения и катодного напыления.
методичка, добавлен 28.12.2011Технология изготовления платы фильтра. Методы формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя. Выбор установки его напыления. Расчет точности пленочных элементов микросхем и режимов изготовления тонкопленочных резисторов.
контрольная работа, добавлен 25.01.2013Разработка программно-аппаратного комплекса (микропроцессорного контроллера) для тестирования интегральных микросхем. Функциональный контроль по принципу "годен" - "не годен". Параметры микроконтроллера КМ1816ВЕ51. Блок-схема алгоритма работы контроллера.
курсовая работа, добавлен 16.07.2009Транзистор как электронный полупроводниковый усилительный прибор, предназначенный для усиления сигналов. Знакомство с особенностями и сферами применения полевых и биполярных транзисторов. Общая характеристика схем включения биполярного транзистора.
реферат, добавлен 21.05.2016Разработка структурной схемы устройства персонального вызова. Расчет полосы пропускания, допустимого коэффициента шума приёмника. Выбор параметров транзисторов радиотракта. Расчёт усилителя радиочастоты. Применение микросхемы МС3362 и расчёт гетеродина.
курсовая работа, добавлен 27.11.2013- 108. Архитектура ЭВМ
Кодирование обозначений допустимых отклонений сопротивления. Номинальные параметры конденсаторов. Обозначение конденсаторов в электрических схемах. Высокочастотные и импульсные диоды. Параметры биполярных транзисторов. Система обозначений транзисторов.
отчет по практике, добавлен 15.01.2011 Порядок изучения основных характеристик полевых транзисторов, включенных по схеме с общим истоком. Методы снятия статических вольтамперных характеристик, вычисление по ним электрических параметров. Анализ влияния управляющего напряжения на выходной ток.
лабораторная работа, добавлен 12.05.2016Методика и основные этапы проектирования усилителя низкой частоты на основе полупроводниковых приборов. Расчет оконечного каскада, принципы и обоснование выборов транзисторов. Определение параметров входного каскада. Расчет надежности устройства.
контрольная работа, добавлен 15.11.2012Разработка формирователя импульсов трапецеидальной формы - мультивибратора на биполярных транзисторах, триггера на биполярных транзисторах, RC-фильтра, одновибратора в интегральном исполнении. Исследование компаратора на основе операционного усилителя.
курсовая работа, добавлен 23.06.2012Описание принципа работы И-НЕ схемы на n-МОП транзисторах, расчет параметров ее элементов, изображение ее топологии. Технологический процесс для n-канального МОП-прибора с металлическим затвором. Произведение вычислений с помощью программы P-Spice.
курсовая работа, добавлен 26.10.2011Анализ технического задания и описание электрической схемы. Особенности данного типа микропроцессора (PIC12F675). Обоснование выбора транзистора, диодов, резистора, конденсатора и микросхем. Расчет надежности, узкого места и катушки индуктивности.
дипломная работа, добавлен 18.02.2009Построение принципиальной схемы однотактного резистивного трансформаторного усилителя и расчет его параметров. Определение коэффициентов усиления по току, напряжению и сопротивлению для включения. Изучение особенностей микросхемы на транзисторах.
контрольная работа, добавлен 23.11.2010Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.
курс лекций, добавлен 11.01.2013Назначение и основные функциональные элементы радиопередатчика телеметрической системы. Структурная и принципиальная схемы устройства. Характеристики микросхем: MAX4617, MAX1178, КХО-210, RF 2713. Конструкция печатных плат и используемые программы САПР.
курсовая работа, добавлен 19.11.2010Физические явления в переключательных p-i-n-диодах - основных элементов высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Технология, структура и требования к параметрам полупроводникового материала. Методы создания p-i-n-структур, конструкции и способы сборки.
курсовая работа, добавлен 24.03.2009Реализация разделения цифрового потока от приемника SPDIF для подачи его на микросхемы ЦАП. Оптимизация схемы получения лучших условий прохождения сигнала. Моделирование работы схемы на языке VHDL. Фильтрация питания с большим числом цифровых микросхем.
курсовая работа, добавлен 24.09.2010Анализ схемы логического элемента, принципиальная схема логического элемента. Расчет комбинации входных сигналов "1101" и мощности, потребляемой микросхемой для каждой комбинации. Достоинства и недостатки гибридных микросхем по требованиям схемотехники.
реферат, добавлен 23.07.2011Параметры элементов усилителя на биполярном транзисторе. Принципиальная схема усилительного каскада. Величина сопротивления в цепи термостабилизации. Элементы делителя напряжения в цепи. Входное сопротивление переменному току транзистора в точке покоя.
контрольная работа, добавлен 02.08.2009Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.
контрольная работа, добавлен 13.02.2015Назначение и виды генераторов испытательных сигналов. Проектирование ГИС с использованием аналоговых и цифровых интегральных микросхем серии К155. Работа основных его элементов. Выбор функциональной схемы. Конструкция, детали и налаживание устройства.
курсовая работа, добавлен 18.10.2010Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.
лекция, добавлен 15.03.2009- 124. Транзистор
Использование транзистора для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах. Особенности субмикронных МОП-транзисторов. Уравнение электронейтральности для зарядов на единицу площади. Принцип действия МДП-транзистора.
реферат, добавлен 12.01.2010 Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа, добавлен 22.05.2015