Типы интегральных схем
Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.
Подобные документы
Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.
курсовая работа, добавлен 13.07.2008Описание и анализ конструкции диффузионного резистора. Оптимизация его конструкции с учетом критерия минимальной площади. Последовательность операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 20.11.2013Проводники, диэлектрики и полупроводниковые материалы. Строение и свойства фото-, светодиодов, транзисторов, термисторов, их классификация, вольт-амперная характеристика, применение в автомобильных электрических системах. Преимущества цифровых схем.
презентация, добавлен 12.12.2013Конструкционные проблемы теплового режима металлических пленок бескорпусных полупроводниковых интегральных микросхем: диаграмма нагрева и расчет надежности эскизного проекта. Интенсивность отказов конструкции и структуры проводника металлизации.
реферат, добавлен 13.06.2009Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа, добавлен 16.05.2013Расчёты показателей надёжности изделий электронной техники при заданных условиях. Защита микросхем от внешних дестабилизирующих факторов: температуры и влажности. Обеспечение теплового режима работы интегральных микросхем (гибридных и полупроводниковых).
курсовая работа, добавлен 19.03.2012Основные этапы проектирования приборов. Роль и место радиоэлектронной промышленности в национальной технологической системе России. Формирование рынка контрактной разработки. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 22.11.2010Обоснование принципа построения и функциональной схемы преобразователя. Выбор емкости фильтра, транзисторов, диодов силовой цепи. Принцип управления мостовыми широтно-импульсными преобразователями. Расчет параметров элементов и характеристик силовой цепи.
курсовая работа, добавлен 10.10.2019- 59. Полупроводники
Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.
контрольная работа, добавлен 15.12.2015 Проведение исследования области применения полупроводникового диода BY228 и полупроводникового стабилитрона 1N4733. Снятие осциллограммы входного и выходного напряжений. Проведение сравнительного анализа характера изменения входных и выходных напряжений.
контрольная работа, добавлен 02.12.2010Потенциометры и реостаты - простейшие регуляторы напряжения и тока. Виды и принцип работы. Высокая эффективность управляемых выпрямителей для регулирования U и I. Параметрические стабилизаторы постоянного и переменного тока, недостатки и применение.
реферат, добавлен 10.02.2009Классификация биполярных транзисторов по типу рабочего материала и механизму передачи тока в структуре. Технологические разновидности БТ. Основные свойства сплавных и планарных транзисторов. Ширина диапазона рабочих частот БТ. Способы повышения усиления.
контрольная работа, добавлен 15.01.2011Структура и действие многоэмиттерных транзисторов (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ) как функциональные полупроводниковые приборы, представляющие собой совокупность нескольких тринисторов. Применение в интегральных схемах. Изготовление МЭТ и МКТ.
контрольная работа, добавлен 21.02.2016Конструкции МДП-транзисторов (металл - диэлектрик – полупроводник) в микросхемах с алюминиевой металлизацией. Материалы, используемые в качестве диэлектрика. Применение поликремниевых затворов транзисторов. Преимущество диэлектрической подложки.
реферат, добавлен 22.02.2009Применение булевой алгебры при анализе и синтезе цифровых электронных устройств. Реализация логических функций в разных базисах. Параметры и характеристики цифровых интегральных микросхем. Структура локальной микропроцессорной системы управления.
книга, добавлен 20.03.2011Установка для трафаретной печати. Изготовление микрополосковых плат по толстопленочной технологии. Процессы обеспечения электрических контактов. Сварка плавлением. Задачи и принципы микроэлектроники. Особенности полупроводниковых интегральных микросхем.
реферат, добавлен 15.12.2015Топологический расчет схемы принципиальной электрической для толстопленочной гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Конструирование, технология толстопленочных ГИС. Расчет толстопленочных резисторов и конденсаторов. Выбор корпусов для микросхем.
курсовая работа, добавлен 03.02.2010- 68. Электроника
Сравнительная таблица формул для приближенного расчета параметров разных схем однофазных выпрямителей. Типы вентилей. принцип работы параллельно-балансного (дифференциального) каскада усилителя постоянного тока (УПТ). Полупроводниковые, пленочные ИС.
контрольная работа, добавлен 14.01.2008 Особенности построения и применения импульсных источников питания. Структура, схемотехническое решение и принцип действия импульсного блока питания. Разработка структуры прибора Master-Slave с применением современных интегральных микросхем TEA 2260.
дипломная работа, добавлен 04.03.2013Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Выбор типов аналоговых и цифровых интегральных микросхем. Формирователь длительности импульсов. Регулировочная характеристика преобразователя.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.
курсовая работа, добавлен 26.05.2010Выбор промежуточной частоты, расчёт полосы пропускания линейного тракта приемника. Выбор и обоснование структурной и принципиальной схемы, расчет преселектора. Выбор интегральных микросхем, оценка реальной чувствительности и свойства приемника.
курсовая работа, добавлен 04.03.2011Классификация типов электрических моделей и моделирования интегральных схем. Основной задачей моделирования интегральной схемы является оптимальный синтез ее принципиальной электрической схемы (модели). Дискретные логические схемы. Параметры и типы схем.
реферат, добавлен 12.01.2009Комплементарные МДП-схемы интегральных микросхем и построение их логических элементов: динамическая мощность и составляющие элементов с вентильным и блокирующим КМДП-транзисторами. Упаковка транзисторов в кристаллах микропроцессорных технологий.
реферат, добавлен 12.06.2009Определение параметров структурно-физических математических моделей диодов и полевых транзисторов, малосигнальных и структурно-физических моделей биполярных транзисторов. Исследование элементов системы моделирования и анализа радиоэлектронных цепей.
курсовая работа, добавлен 17.03.2011