Типы интегральных схем

Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.

Подобные документы

  • Изучение электрорадиоэлементов, которые включают соединители, резисторы, конденсаторы, индуктивности, и интегральных микросхем, включающих полупроводниковые и гибридные, устройства функциональной микроэлектроники. Оптическая запись и обработка информации.

    курс лекций, добавлен 23.07.2010

  • Физические модели p-n переходов в равновесном состоянии и при электрическом смещении. Влияние процессов генерации-рекомбинации на вид ВАХ для PSPICE модели полупроводникового диода, связь концентрации и температуры с равновесной барьерной емкостью.

    лабораторная работа, добавлен 31.10.2009

  • Характеристика полупроводниковых источников излучения. Изучение принципов работы светоизлучающих диодов. Расчет квантового выхода, частоты излучения. Строение лазеров, электролюминесцентных и плёночных излучателей. Описание внутреннего фотоэффекта.

    курсовая работа, добавлен 21.08.2015

  • Исследование различных схем выпрямителей и их работа на различные типы нагрузок. Снятие диаграмм напряжений и токов, выполнение необходимых расчетов. Схема выпрямителя однофазного однополупериодного с активной или индуктивной–емкостной нагрузкой.

    лабораторная работа, добавлен 01.06.2015

  • Рассмотрение основных видов транзисторов: точеного, сплавного плоскостного, диффузионного, биполярного, эпитаксиального, полевого и фототранзистора. Применение эпитаксиального материала для изготовления транзисторов для усилителей и электронных ключей.

    презентация, добавлен 05.07.2013

  • Принципы работы полупроводниковых приборов. Физические основы электроники. Примесная электропроводность полупроводников. Подключение внешнего источника напряжения к переходу. Назначение выпрямительных диодов. Физические процессы в транзисторе, тиристоры.

    лекция, добавлен 24.01.2014

  • Исследование полевых транзисторов и анализ оборудования для их герметизации. Материалы деталей для корпусов транзисторов. Назначение и работа автомата герметизации. Расчет вибробункера автомата герметизации транзисторов. Технология изготовления детали.

    дипломная работа, добавлен 21.06.2014

  • Анализ технического задания и описание электрической схемы. Особенности данного типа микропроцессора (PIC12F675). Обоснование выбора транзистора, диодов, резистора, конденсатора и микросхем. Расчет надежности, узкого места и катушки индуктивности.

    дипломная работа, добавлен 18.02.2009

  • Основные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. Классификация радиационных эффектов. Действие облучения на биполярные транзисторы. Радиационные эффекты в усилительных и дифференциальных каскадах. Радиационные эффекты в ИОУ.

    реферат, добавлен 09.03.2007

  • Изучение работы усилителей постоянного тока на транзисторах и интегральных микросхемах. Определение коэффициента усиления по напряжению. Амплитудная характеристика усилителя. Зависимость выходного напряжения от напряжения питания сети для усилителя тока.

    лабораторная работа, добавлен 31.08.2013

  • Схема выпрямителя, график токов и напряжений. Фильтры, используемые в устройствах электропитания. Принципиальная схема выпрямителя. Выбор полупроводниковых диодов. Рекомендации по монтажу и модернизации схемы. Частота пульсаций выпрямленного напряжения.

    реферат, добавлен 21.06.2015

  • Анализ особенностей корпусов интегральных микросхем как объекта для исследования механических и тепловых процессов. Оценка программного обеспечения для моделирования механических и тепловых процессов. Правила оформления конструкторской документации.

    дипломная работа, добавлен 10.02.2017

  • Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.

    контрольная работа, добавлен 13.02.2015

  • Составление топологии печатной платы, а также разводка токоведущих дорожек в САПР P-CAD. Специфика выбора элементной базы, транзисторов и диодов синтезатора. Разработка конструкции, подбор материалов. Расчет объемно-компоновочных характеристик устройства.

    курсовая работа, добавлен 12.11.2009

  • История создания электронной лампы. Принципы устройств и работы электровакуумных приборов. Назначение и применение диодов и триодов. Основные виды электронной эмиссии. Физические процессы и токораспределение в триодах. Построение характеристик ламп в EWB.

    курсовая работа, добавлен 15.12.2010

  • Транзистор как прибор, предназначенный для преобразования различных электрических сигналов. Устройство и принцип действия транзисторов. Схема включения, система обозначения силовых транзисторов, кодовая маркировка, тип корпуса, пример параметров.

    реферат, добавлен 19.02.2010

  • Выбор и расчет элементов электрической схемы блока питания управляющего устройства. Расчет мощности, рассеиваемой регулирующими транзисторами. Выбор схем интегральных стабилизаторов напряжения; оптимизация конструкции охладителей силовых транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 21.11.2013

  • Графическое и аналитическое решение трансцендентного уравнения. Выполнение аппроксимации вольтамперной характеристики диодов различных видов методом полинома третьего порядка. Определение реакции цепи на входное воздействие при помощи интеграла Дюамеля.

    контрольная работа, добавлен 15.08.2012

  • Использование транзистора для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах. Особенности субмикронных МОП-транзисторов. Уравнение электронейтральности для зарядов на единицу площади. Принцип действия МДП-транзистора.

    реферат, добавлен 12.01.2010

  • Общие сведения о сегнетоэлектриках, диэлектрические свойства и электропроводность, линейные и нелинейные свойства. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики, области спонтанной поляризации (доменов). Направления применения сегнетоэлектрических кристаллов.

    курсовая работа, добавлен 29.07.2009

  • Общие рекомендации к выполнению лабораторных работ. Изучение электронного осциллографа. Исследование выпрямительного и туннельного диодов. Исследование дифференциального включения операционного усилителя. Изучение свойств интегрирующего усилителя.

    учебное пособие, добавлен 25.03.2009

  • Автоматизация конструирования. Разработка схем цифровых устройств на основе интегральных схем разной степени интеграции. Требования, методы и средства разработки печатных плат. Редактор АСП DipTrace. Требования нормативно-технической документации.

    отчет по практике, добавлен 25.05.2014

  • Описание схемы электрической принципиальной. Обоснование выбора резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов. Разработка трассировки и компоновки печатной платы. Настройка простого средневолнового синтезатора частоты. Организация рабочего места оператора.

    дипломная работа, добавлен 18.04.2015

  • Особенности работы теплоэлектростанций. Технико-экономическим характеристикам преобразователь типа ВЧРП-ТМ. Выбор частотного преобразователя, диодов и транзисторов. Анализ электромагнитной совместимости преобразователя частоты ВЧРП-ТМ и питающей сети.

    курсовая работа, добавлен 06.05.2015

  • Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.

    курсовая работа, добавлен 30.04.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.