Проектирование и испытание фототранзистора
Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.
Подобные документы
Расчет объема межстанционного трафика проектируемой сети. Определение нагрузки и количества соединительных линий. Проектирование топологии сети. Конфигурация мультиплексорных узлов. Функциональное описание блоков. Параметры оптических интерфейсов.
курсовая работа, добавлен 21.02.2012Отличительные функции и дополнительные возможности телефонных аппаратов. Разделение на четыре класса сложности в зависимости от конструктивного исполнения и выполняемых функций. Телефонометрические, электроакустические электрические и временные параметры.
реферат, добавлен 27.02.2009Статистические характеристики и параметры передаваемого сообщения. Характеристики и параметры аналого-цифрового преобразования сообщения. Средняя квадратическая погрешность квантования. Основные характеристики и параметры сигналов дискретной модуляции.
курсовая работа, добавлен 24.10.2012Компоненты вычислительных устройств. Повышение процессов обработки информации. Получение конструкции трехмерного транзистора. Уменьшение размера транзистора. Уменьшение емкости транзистора путем добавления слоя диэлектрика. Использование SOI-транзисторов.
статья, добавлен 08.05.2014Разработка структурной схемы радиопередающего устройства для однополосной телефонии. Расчет выходного каскада, коллекторной цепи, выходного согласующего устройства, транзисторного автогенератора. Выбор транзистора. Обзор требований к источнику питания.
курсовая работа, добавлен 02.04.2013Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.
курсовая работа, добавлен 06.12.2012Свойства МДП-структуры (металл–диэлектрик–полупроводник). Типы и устройство полевых транзисторов, принцип их работы. Влияние типа канала на вольтамперные характеристики МДП-транзисторов. Эквивалентная схема, расчет и быстродействие МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Технические параметры, характеристики, описание конструкции и состав нашлемной системы. Разработка конструкции бинокулярного нашлемного блока индикации. Принцип действия оптико-электронных нашлемных систем целеуказания. Юстировка оптической системы.
дипломная работа, добавлен 24.11.2010Принцип действия формирователя импульса тока для запуска лазером и требуемые параметры его работы. Принцип работы таймера в схеме одиночного запуска. Каскад Дарлингтона. Операционный усилитель и схема с транзистором VT1. Принципиальная схема устройства.
курсовая работа, добавлен 07.04.2008Экспериментальное определение характеристики биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей. Измерение коэффициентов коллекторного тока с использованием мультиметра. Вычисление коэффициента насыщения транзистора.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Параметры, характеристики, схемы и назначение выводов микроконтроллера. Разработка программы, реализующей взаимодействие со сторонними устройствами, вместе образующих устройство часов с функцией будильника. Электрическая схема разрабатываемого устройства.
курсовая работа, добавлен 12.09.2012Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.
контрольная работа, добавлен 10.06.2013Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.
дипломная работа, добавлен 28.04.2013Назначение и использование профессиональных и радиовещательных судовых приемников. Упрощённая структурная схема супергетеродина. Расчет усилителя промежуточной частоты. Функции фильтра сосредоточенной селекции. Расчет каскадов транзисторных приемников.
контрольная работа, добавлен 24.11.2014Устройства согласования и модели широкополосных симметрирующих трансформаторов. Электрическая принципиальная схема симметрирующего устройства с использованием современных программных продуктов. Тонкопленочная технология изготовления микрополосковых линий.
дипломная работа, добавлен 20.10.2013Классификация типов, основные характеристики, параметры, история создания, принцип работы, устройство и применение светодиодов, материалы для их изготовления. Светодиоды оранжевого свечения на базе AlInGaP, GaAsP и GaP. Расчет конструкции светодиода.
курсовая работа, добавлен 26.10.2014Метод обработки сигналов, предназначенный для увеличения надежности передачи по цифровым каналам. Кодирование с исправлением ошибок. Двоичный канал связи. Появление фиксированной одиночной ошибки. Поиск при декодировании. Параметры помехоустойчивых кодов.
реферат, добавлен 11.02.2009Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Толщина поверхностных потенциальных барьеров. Основные параметры варисторов и терморезисторов. Тензорезисторы и их деформационная характеристика. Измерение давлений и деформаций.
лекция, добавлен 19.11.2008Анализ технического задания, электрической схемы, оценка элементной базы для разработки аудиоаппаратуры. Проблемы воспроизведения высококачественного звука. Основные параметры РЭА, разработка конструкции, этапы основных расчётов, компоновка эквалайзера.
курсовая работа, добавлен 13.10.2009Понятие микропроцессорной системы, её назначение, электрическая схема и назначение составляющих устройств. Проведение схемотехнического анализа устройства источника питания системных блоков. Электрические и эксплуатационные параметры блоков питания ЭВМ.
дипломная работа, добавлен 08.06.2014Будова біполярного транзистора, принцип його дії, класифікація, режими (активний, відсічення, насичення, інверсний й ключа), статичні і диференціальні характеристики. Схеми включення БТ з базою, емітером і колектором. Розрахунок електричних ланцюгів з БТ.
курсовая работа, добавлен 06.05.2015Физическая сущность и области практического использования физического эффекта электростатической эмиссии. Модель структуры кристалла, статические характеристики и условное графическое обозначение дрейфового транзистора. Расчет резисторного каскада УНЧ.
контрольная работа, добавлен 30.05.2015Конструктивные особенности и параметры полупроводниковых приборов для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Классификация диодов, транзисторов, тиристоров по основному рабочему материалу, принципу действия, частоте и мощности.
презентация, добавлен 03.05.2011Разработка транзистора большой мощности, высоковольтного. Напряжение пробоя перехода коллектор-база. Планарно-эпитаксиальная технология изготовления транзистора. Подготовка подложки к технологической операции. Технология фотолитографического процесса.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Выбор и обоснование структурной схемы исследуемого устройства. Механизм расчета входного, промежуточного и выходного каскада, а также главные параметры истокового повторителя. Определение амплитудно-частотных и результирующих характеристик усилителя.
курсовая работа, добавлен 15.05.2016