Проектирование и испытание фототранзистора
Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.
Подобные документы
Оптические кабели и разъемы, их конструкции и параметры. Основные разновидности волоконно-оптических кабелей. Классификация приемников оптического излучения. Основные параметры и характеристики полупроводниковых источников оптического излучения.
курс лекций, добавлен 13.12.2009- 2. Транзистор
Использование транзистора для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах. Особенности субмикронных МОП-транзисторов. Уравнение электронейтральности для зарядов на единицу площади. Принцип действия МДП-транзистора.
реферат, добавлен 12.01.2010 Выбор диода, выполняющего заданную функцию, его маркировка и характеристики, схема включения и принцип работы. Схема включения полевого транзистора с общим истоком в динамическом режиме. Преимущества и недостатки некоторых устройств оптоэлектроники.
контрольная работа, добавлен 11.11.2010Отличия энергетических диаграмм проводников, полупроводников и диэлектриков. Принцип работы биполярного транзистора. Фотодиод: принцип работы, параметры и назначение. Определение параметров биполярных транзисторов, включенных но схеме с обидим эмиттером.
контрольная работа, добавлен 05.07.2014Назначение и виды генераторов испытательных сигналов. Проектирование ГИС с использованием аналоговых и цифровых интегральных микросхем серии К155. Работа основных его элементов. Выбор функциональной схемы. Конструкция, детали и налаживание устройства.
курсовая работа, добавлен 18.10.2010Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.
реферат, добавлен 18.01.2017Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат, добавлен 27.05.2012Иерархическая структура радиоприемного устройства. Расчет полосы пропускания линейного тракта приемника. Определение рабочей точки транзистора. Основные параметры радиоприемников. Зависимость входной проводимости транзистора от частоты и тока коллектора.
курсовая работа, добавлен 26.05.2010Характеристика и принцип работы индикатора технологического микропроцессорного ИТМ-20, его назначение и сферы применения. Параметры конфигурации и особенности конструкции данного прибора, техническая характеристика его частей, функциональные возможности.
реферат, добавлен 31.01.2010Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Назначение, область применения и общий принцип их действия. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.
курсовая работа, добавлен 19.10.2009Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 08.11.2013Проведение испытания ЭС на воздействие ультранизких давлений. Параметры вакуумных испытательных установок. Испытание ЭС на воздействие криогенных температур. Выбор типа хладагента. Виды космических испытаний. Работа измерителей парциальных давлений.
реферат, добавлен 25.01.2009Операционные усилители: понятие и параметры. Влияние обратной связи на параметры и характеристики усилителей. Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе. Моделирование схем с помощью программы Elektronik Workbench. Выбор транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Назначение и техническая характеристика устройства "Простой бегущий огонек". Разработка электрической схемы в программе МультиСим. Травление микросхемы и выпаивания на ней нужные элементы. Использование транзистора для усиления электрических сигналов.
контрольная работа, добавлен 15.09.2014Требования к сопротивлению усилителя. Определение режима транзистора. Цепи питания и термостабилизация. Параметры эквивалентной схемы. Промежуточный каскад усиления. Параметры усилителя в области малых времен. Расчет запаса устойчивости усилителя.
курсовая работа, добавлен 09.03.2015Классификация, конструкции конденсаторов, принцип действия. Электролитические, керамические, плёночные и оксидно-полупроводниковые конденсаторы. Основные параметры конденсаторов всех типов. Электрическая прочность конденсатора, стабильность емкости.
реферат, добавлен 09.01.2009Понятие коммутационных устройств, классификация, параметры и характеристика, система условных обозначений, конструкции и материалы, зарубежные аналоги. Принцип действия исполнительных систем и виды энергии, используемой для управления устройствами.
реферат, добавлен 13.03.2011Назначение, параметры и органы управления мультиметра. Назначение, параметры и органы управления функционального генератора. Назначение, параметры и органы управления электронного осциллографа. Схема лабораторного стенда для наблюдения сигнала
лабораторная работа, добавлен 04.10.2008Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Типы тиристоров, понятие о динисторах, их вольтамперная характеристика и параметры, проектирование структуры. Виды и выбор полупроводникового материала. Время жизни неосновных носителей заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009- 20. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 21.11.2014 Принцип действия npn-транзистора, который усиливает электрические сигналы. Эффекты низких эмиттерных напряжений. Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры. Измерение зависимостей базового и коллекторного токов от напряжения на эмиттерном переходе.
курсовая работа, добавлен 12.06.2010Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.
контрольная работа, добавлен 13.02.2015Предельные эксплуатационные параметры полупроводникового прибора КД409А. Поиск напряжения пробоя транзистора. Электрический расчет схемы автоколебательного симметричного мультивибратора. Полупроводниковые диоды, их виды, конструкция и параметры.
контрольная работа, добавлен 22.03.2015Эксплуатация полупроводниковых преобразователей и устройств: недостатки полупроводниковых приборов, виды защит. Статические преобразователи электроэнергии: трансформаторы. Назначение, классификация, виды, конструкция. Работа трансформатора под нагрузкой.
лекция, добавлен 20.01.2010Ознакомление с оптоэлектронными приборами - устройствами, в которых при обработке информации происходит преобразование электрических сигналов в оптические и обратно. Оптрон - основной элемент оптоэлектроники. Принцип действия инжекционного светодиода.
реферат, добавлен 06.01.2009