Фотоприемники на основе твердого раствора кадмий-ртуть-телур (КРТ)
Типы проводимостей полупроводников и их отличия. Преимущества гетероэпитаксиальных структур КРТ по сравнению с объемными кристаллами КРТ, выращивание. Разновидности полупроводниковых фотоприёмников. Приборы на основе КРТ: принцип действия и устройство.
Подобные документы
Устройство и принцип действия пролетного усилительного клистрона. Зависимость выходной мощности от мощности, поступающей на вход усилителя. Амплитудно-частотная характеристика двухрезонаторного клистрона. Особенности конструкций пролетных клистронов.
курсовая работа, добавлен 20.08.2015Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Назначение, область применения и общий принцип их действия. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.
курсовая работа, добавлен 19.10.2009Функции микропроцессоров в измерительных приборах. Цифровые вольтметры постоянного тока с время - импульсным преобразованием. Назначение, принцип действия и устройство цифровых частотомера, спидометра, термометра электронного весового оборудования.
реферат, добавлен 10.06.2014Лазеры на полупроводниковых гетероструктурах, на полупроводниковых квантовых ямах. Поверхностные лазеры с вертикальным резонатором. Фотодиоды на подзонах квантовых ям и сверхрешетках. Лавинные фотодиоды на сверхрешетках. Модуляторы на квантовых ямах.
контрольная работа, добавлен 24.08.2015Особенности и основные этапы производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах. Описание этапов планарно-эпитаксиальной технологии в производстве полупроводниковых ИС. Основные сведения об элементах структур полупроводниковых ИС и БИС.
презентация, добавлен 24.05.2014Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.
презентация, добавлен 29.05.2010Общая характеристика цифровых схем, их преимущества по сравнению с аналоговыми. Проектирование цифрового измерительного прибор с функциями индукционного расходомера и вольтметра постоянного напряжения, разработка его функциональной и структурной схемы.
курсовая работа, добавлен 13.02.2013Устройство и принцип работы лампы бегущей волны типа М. Путь построения теории лампы: продольная и переменная составляющие, решение характеристического уравнения. Амплитудно-частотная характеристика лампы. Устройство и принцип работы лампы обратной волны.
реферат, добавлен 20.08.2015Конструкции полевых транзисторов с управляющим р-п переходом. Стоко-затворная и стоковая (выходная) характеристики, параметры и принцип действия транзисторов. Структура транзисторов с изолированным затвором. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью.
реферат, добавлен 21.08.2015Преимущества диодов Шоттки по сравнению с обычными p-n-переходами. Основные стадии формирования структуры кремниевого диода. Классификация типов обработки поверхности полупроводниковых пластин. Особенности жидкостного травления функциональных слоев.
реферат, добавлен 20.12.2013Понятие электронного усилителя, принцип работы. Типы электронных усилителей, их характеристики. Типы обратных связей в усилителях и результаты их воздействия на работу электронных схем. Анализ электронных усилителей на основе биполярных транзисторов.
курсовая работа, добавлен 03.07.2011Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Нанокластеры и их энергетическое состояние. Влияние нанокластеров на свойства полупроводниковых материалов. "Захороненные" барьеры Шоттки. Формирование ансамблей боросиликатных нанокластеров в кремниевой матрице. Применение электронной оже-спектроскопии.
дипломная работа, добавлен 06.12.2015Исследование активных висмутовых центров и обзор области применения волоконных висмутовых усилителей. Изучение конструкции современных усилителей на основе висмута, пути их развития в волоконной оптике. Устройство лазера на основе висмутового волокна.
курсовая работа, добавлен 18.07.2014История создания полевых транзисторов. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Принцип действия МДП-структур специального назначения. Схемы включения полевых транзисторов, их применение в радиоэлектронике, перспективы развития.
реферат, добавлен 30.05.2014Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).
лабораторная работа, добавлен 24.06.2015Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.
курсовая работа, добавлен 24.11.2013Конструкция и принцип действия датчиков перемещения различных типов: емкостных, оптических, индуктивных, вихретоковых, ультразвуковых, магниторезистивных, магнитострикционных, потенциометрических, на основе эффекта Холла. Области использования приборов.
реферат, добавлен 06.06.2015Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.
реферат, добавлен 18.01.2017Рассмотрение принципиальной схемы и принципа действия силовых цепей преобразователей. Расчет режима мягкой коммутации и частоты коммутации транзисторов. Графические характеристики однокаскадного и двухкаскадного электронных силовых трансформаторов.
курсовая работа, добавлен 16.03.2014Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа, добавлен 16.05.2013Классификация кинопроекционной аппаратуры. Стационарный кинопроектор КПТ-3. Двухформатный кинопроектор КП-30В. Принцип действия современного кинопроектора, мерцающая поверхность. Проекционные лампы, контрастность, разрешение проектора, размер изображения.
реферат, добавлен 01.06.2012Принцип действия, структура и методы расчета параметрического стабилизатора напряжения на основе кремниевого стабилитрона графоаналитическим способом. Определение h-параметров двух биполярных транзисторов, включенных по схеме с общей базой и эмиттером.
курсовая работа, добавлен 30.06.2014Общие принципы разработки устройств на микроконтроллерах и внедрения их в производство. Принцип действия матриц на основе светодиодов. Разработка функциональной схемы устройства управления светодиодной матрицей с использованием микроконтроллера.
дипломная работа, добавлен 15.07.2010История создания, принцип действия Bluetooth. Преимущества технологии Wi-Fi, разновидности соединений. Построение сети беспроводного доступа с установлением точки доступа и беспроводных Wi-Fi адаптеров. Настройка оборудования и проверка работоспособности.
дипломная работа, добавлен 29.04.2014