Фотоприемники на основе твердого раствора кадмий-ртуть-телур (КРТ)
Типы проводимостей полупроводников и их отличия. Преимущества гетероэпитаксиальных структур КРТ по сравнению с объемными кристаллами КРТ, выращивание. Разновидности полупроводниковых фотоприёмников. Приборы на основе КРТ: принцип действия и устройство.
Подобные документы
Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.
курсовая работа, добавлен 30.04.2011Микрофон как устройство обработки, усиления звуковых частот и передачи на расстояния звуковой информации. Устройство и электрические характеристики микрофонов в сочетании с звукоусилительной и записывающей аппаратурой. Функциональные виды микрофонов.
реферат, добавлен 05.09.2012Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
курсовая работа, добавлен 08.05.2009Изучение системы измерения физических величин путем преобразования их в электрические величины. Принцип работы частотного датчика на основе рекомбинационных волн, особенности его калибровки. Диапазон рабочих частот. Функциональная схема устройства.
курсовая работа, добавлен 09.01.2018Принцип действия схемы генератора на основе операционного усилителя. Проверка работы мультивибратора в программе Micro-Cap, определение относительной погрешности. Описание интегральной схемы К572ПА2. Схема дискретно-аналогового преобразования фильтра.
курсовая работа, добавлен 06.04.2013Логические схемы комбинационных устройств, реализованных на дешифраторах и мультиплексорах на основе дешифраторов с восемью выходами, на основе мультиплексора с восемью информационными входами и на основе мультиплексора с четырьмя информационными входами.
отчет по практике, добавлен 18.10.2012Основные преимущества цифровых систем связи по сравнению с аналоговыми. Принципы работы дискретных устройств, особенности их построения. Устройство генератора импульсов, синтез счетчика, мультиплексора и дешифратора. Разработка асинхронного автомата.
курсовая работа, добавлен 21.11.2012Классификация телекоммуникационных сетей. Схемы каналов на основе телефонной сети. Разновидности некоммутируемых сетей. Появление глобальных сетей. Проблемы распределенного предприятия. Роль и типы глобальных сетей. Вариант объединения локальных сетей.
презентация, добавлен 20.10.2014Проектирование цифро-аналогового устройства на основе микропроцессорного комплекта БИС К1810, который изготовлен по высокопроизводительной nМОП-технологии и предназначен для построения 8- и 16-разрядных микропроцессорных систем широкого диапазона.
дипломная работа, добавлен 20.10.2010Разработка структурной, принципиальной и интегральной микросхем аналогового устройства на основе биполярных и полевых транзисторов. Выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов, навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов.
курсовая работа, добавлен 29.08.2014Типы устройств СВЧ в схемах распределительных трактов антенных решеток. Проектирование устройств СВЧ на основе метода декомпозиции. Работа с программой "Модель-С" для автоматизированного и параметрического видов синтеза многоэлементных устройств СВЧ.
контрольная работа, добавлен 15.10.2011Устройство и принцип работы LCD-проектора, его назначение и выполняемые функции. Технические характеристики, преимущества и недостатки наиболее распространенных на рынке проекторов. Особенности подключения данного устройства к ПК и его настройка.
курсовая работа, добавлен 28.10.2009- 63. Транзистор
Использование транзистора для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах. Особенности субмикронных МОП-транзисторов. Уравнение электронейтральности для зарядов на единицу площади. Принцип действия МДП-транзистора.
реферат, добавлен 12.01.2010 - 64. Электроника
Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка, добавлен 11.12.2012 Солнечная батарея как объект моделирования. Общие принципы построения и отладки математической модели солнечных батарей. Кристаллические полупроводниковые материалы. Рекомендации по построению фотоэлектрических систем космического и наземного назначения.
автореферат, добавлен 20.05.2012Проектирование системы регулирования дорожного движения на перекрестке (системы управления светофорами) на основе микроконтроллера группы PIC 16F84. Принцип действия устройства, функциональная схема и описание ее элементов. Алгоритм и листинг программы.
курсовая работа, добавлен 24.12.2012Принципы работы полупроводниковых приборов. Физические основы электроники. Примесная электропроводность полупроводников. Подключение внешнего источника напряжения к переходу. Назначение выпрямительных диодов. Физические процессы в транзисторе, тиристоры.
лекция, добавлен 24.01.2014Характеристики полупроводниковых материалов. Классификация источников излучения. Светоизлучающие диоды. Лазер как прибор, генерирующий оптическое когерентное излучение на основе эффекта вынужденного или стимулированного излучения, его применение.
курсовая работа, добавлен 19.05.2011Анализ основных тенденций в современных полупроводниковых интегральных микросхемах (ИМС). Структурная схема блока компаратора. Физическая структура и топология биполярного n-p-n транзистора на основе подложки p-типа с эпитаксиальным и скрытым слоем.
курсовая работа, добавлен 01.11.2010Закономерности систем, оценка их сложности. Модель типа "Черный ящик". Информационная модель на основе технологии IDEF1X. Функциональная модель на основе технологии IDEF0. Способность охранять частичную работоспособность при отказе отдельных элементов.
курсовая работа, добавлен 25.01.2015Технология изготовления полупроводниковых диодов, структура, основные элементы и принцип действия. Процесс образования p-n перехода, его односторонняя проводимость. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Контактная разность потенциалов.
курсовая работа, добавлен 28.01.2015Причины, способствовавшие зарождению и развитию электроники. Микроволновые диоды, принцип действия и элементы маркировки, конструктивные оформления. Вычисления для потерь преобразования в последовательной схеме. Частотные ограничения, присущие СВЧ-диодам.
курсовая работа, добавлен 22.08.2015Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.
курс лекций, добавлен 11.01.2013Обзор применения импульсных дальномеров-высотомеров на основе полупроводниковых лазеров для контроля объектов подстилающей поверхности. Методы повышения точности временной фиксации принимаемого сигнала. Расчет безопасности лазерного высотомера ДЛ-5.
дипломная работа, добавлен 14.03.2016Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы. Баллистические и аналоговые транзисторы. Сравнительная таблица основных свойств полупроводникового материала 4H-SiC с Si и GaAs. Алмаз как материал для СВЧ-приборов. Приборы на основе квантово-размерных эффектов.
курсовая работа, добавлен 22.08.2015