Внутрішня будова напівпровідників та їх властивості
Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
Подобные документы
Опис експериментальних спостерігань у двовимірних провідниках із домішковими станами електронів при зондуванні їх зарядженими частинками. Зменшення частоти двовимірних плазмонів у провідниках з малою густиною електронів і зміщення максимуму перерізу.
автореферат, добавлен 10.01.2014Взаємодія нерелятивістських електронів (іонів) між собою в імпульсному полі однієї і двох зустрічних лазерних хвиль. Просторові і часові області, в яких є місце притягання електронів. Утримання електронів на деякій ефективній відстані в імпульсному полі.
автореферат, добавлен 26.07.2014Аналіз методами оптичної спектроскопії розподілу розмірів квантових точок, синтезованих у матриці боросилікатного скла. Закономірності еволюції краю смуги поляризаційного поглинання оптичних хвиль, структура спектрів фотолюмінесценції квантових точок.
автореферат, добавлен 28.07.2014Властивості діодів Шотткі, їх структура. Властивості і методи вимірювання контактів метал/напівпровідник. Вольтамперна характеристика ідеального контакту. Вакуумні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Фізичні принципи осадження шарів.
курсовая работа, добавлен 13.02.2016Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Внутрішня будова та зовнішня форма кристалів. Внутрішній пристрій кристала. Поняття і сутність елементів симетрії, що характерні для кристалів: площина, центр і вісь симетрії. Священна сімка сингоній (систем). Поняття ідеального і реального кристалів.
реферат, добавлен 11.05.2014Рух електронів в атомі водню. Радіус Боровської орбіти атома водню. Повна енергія електрона на енергетичному рівні. Довжина хвилі де Бройля. Розв’язок рівняння Шредінгера для частинки в одновимірному нескінченно глибокому прямокутному потенційному ящику.
учебное пособие, добавлен 09.07.2017Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014Особливості метастабільної фази некристалічних халькогенідних напівпровідників. Аналіз зміни атомної структури миш’яку та сурми під дією зовнішніх чинників, вивчення їх властивостей. Розробка і оптимізація параметрів елементів оптоелектронних систем.
автореферат, добавлен 29.09.2014Розробка вузлів системи технологічної дозиметрії інтенсивних пучків електронів. Процес здійснення радіаційних вимірювань. Особливості конструкції електромеханічного приладу для контролю конфігурації пучка електронів потужного промислового прискорювача.
статья, добавлен 30.01.2016Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Закономірності транспорту заряду та зміни оптичних характеристик у напівпровідникових матеріалах. Спряжені поліарилени під дією зовнішніх факторів – температури, електричного поля, протонного та акцепторного легування. Спряжені поліарилени у пристроях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження фізико-хімічних та кристалізаційних параметрів стекол. Розрахунок критичних швидкостей охолодження розплавів. Визначення оптимальних режимів синтезу стекол. Оцінка впливу опромінення та відпалу на структуру і оптичні властивості плівок.
автореферат, добавлен 07.08.2014Дослідження механізмів самоіндукованного формування квантових точок і впливу геометричних та структурних факторів на енергетичний спектр. Аналіз особливостей процесів, що реалізуються за участю електронних, екситонних, фононних і плазмових збуджень.
автореферат, добавлен 28.01.2016Побудова теорії енергетичних спектрів електронів, дірок і оптичних інтерфейсних та обмежених фононів у складних еліптичних квантових дротах. Складні еліптичні квантові дроти, розташовані у масивних напівпровідникових і діелектричних середовищах.
автореферат, добавлен 14.09.2014Побудова структурної моделі та розрахунок енергетичних характеристик кластерів X12Y12 сполук С, BN, SiC, ZnO, GaN. Розрахунок теоретичних інфрачервоних спектрів поглинання та спектрів комбінаційного розсіювання кластерів X24Y24 сполук С, BN, SiC.
автореферат, добавлен 14.07.2015Розрахунок поверхні Фермі двох металів: натрію і магнію. Обчислення енергії Фермі цих металів, швидкість електронів на поверхні, хвильовий вектор поверхні Фермі. Графіки залежностей енергії Фермі від кількості валентних електронів та від об’єму порожнеч.
курсовая работа, добавлен 01.09.2015Взаємодія заряджених частинок з середовищем. Специфіка взаємодії електронів з речовиною. Поняття детектування та визначення граничної енергії бета-спектра методом поглинання. Ядерна взаємодія і радіаційне гальмування електронів (гальмівне випромінювання).
курсовая работа, добавлен 04.12.2014Побудова частотоміра послідовного наближення вимірювання частоти радіосигналів невідомої тривалості. Адаптація методів аналого-цифрового перетворення. Аналіз математичної моделі швидкодії вимірювачів. Схемотехнічне рішення і зменшення похибки вимірювання.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 70. Стабільність, зонна структура та оптичні властивості твердих розчинів на основі елементів IV групи
Розрахунок на основі потенціалу Терсофа розподілу довжин зв’язків для напівпровідників твердих розчинів, особливості поведінки надлишкової енергії при їх змішуванні. Перебудова оптичних функцій сплавів, вплив внутрішніх локальних, біаксіальних деформацій.
автореферат, добавлен 13.07.2014 Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015- 72. Особливості активації повітря та утворення нейтронів при роботі медичного прискорювача електронів
Розгляд шляхів активації компонентів середовища повітря та матеріалів при роботі медичного лінійного прискорювача електронів. Особливості забезпечення радіаційної безпеки персоналу. Утворення нейтронів при роботі медичного прискорювача електронів.
статья, добавлен 30.01.2016 Розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках у бінарних напівпровідниках та зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів.
статья, добавлен 22.08.2013З’ясування причин появи закономірностей, які спостерігаються в непружному розсіянні релятивістських електронів на ядрах. Дослідження чутливості диференціального перерізу до ефектів залишкової взаємодії, принципу Паулі і короткодіючих NN-кореляцій.
автореферат, добавлен 22.06.2014Електричні кола постійного струму. Закон Джоуля Ленца. Сила тяги електромагніту. Однофазні кола змінного струму. Основні визначення, види електричних вимірювань, переваги. Характеристика трансформатора. Електрофізичні властивості напівпровідників.
курс лекций, добавлен 19.08.2017