Внутрішня будова напівпровідників та їх властивості
Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
Подобные документы
Властивості, структура та застосування діодів Шотткі. Формування контакту метал/напівпровідник. Вакуумні, хімічні і електрохімічні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Розрахунок залежності вольт-амперної характеристики ідеального діода.
курсовая работа, добавлен 29.11.2017Аналітичний та чисельний аналіз ефективної маси електронів провідності в зовнішньому магнітному полі. Отримання рівняння для спектру спінових збуджень кристалічної та структурно невпорядкованої моделей в рамках двочасових температурних функцій Гріна.
автореферат, добавлен 29.10.2015Встановлення основних закономірностей впливу технологічних режимів напилення і температурної обробки на фізичні параметри та оптичні характеристики (питомий опір) твердих розчинів диселеніду індію та галію, а також прозорих провідних оксидів металів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Характеристики діодів з міждолинним переносом електронів при введенні в матеріал глибоких нейтральних центрів захоплення електронів. Особливості виникнення та існування високочастотних нестійкостей струму при повній, частковій компенсації напівпровідника.
автореферат, добавлен 30.08.2014Визначення пружних властивостей масиву вуглецевих нанотрубок і їх порівняння з відповідними властивостями терморозширеного графіту. Аналіз впливу різних типів дефектів на перерозподіл носіїв заряду і концентрацію квазівільних електронів в нанотрубках.
автореферат, добавлен 14.07.2015Розробка спін-електронної моделі аморфних магнітних металічних сплавів і напівпровідників. Розвиток методів дослідження моделі, розрахунок на її основі електронного спектру та густини електронних станів, спектру спінових хвиль у довгохвильовій області.
автореферат, добавлен 25.08.2014Характеристика поняття стану частинки у квантовій механіці. Вивчення особливостей хвильової функції і її статистичного змісту, стандартних умов. Дослідження загального (часового) рівняння Шредінгера та його застосування для обчислення стаціонарних станів.
реферат, добавлен 20.04.2015Загальні відомості про аксіально-симетричні електричні поля, їх характеристика. Рух параксіальних електронів в даному електричному полі та головні факти, що на нього впливають. Наближені методи визначення траєкторій електронів, умови їх використання.
контрольная работа, добавлен 10.05.2013Встановлення ролі механізмів поглинання ІЧ випромінювання у вузькощілинному кадмій–ртуть-телур та їх впливу на спектральні характеристики чутливості багатоелементних структур. Застосування методів нелінійної оптики для контролю складу зразків КРТ.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження сильнопольового та високочастотного транспорту у низькорозмірних структурах на основі сполук АIIIBV, зокрема нітридів. Характеристика переваг квантових ям на нітридних сполуках для реалізації сильноанізотропного розподілу електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Створення ефективних плазмових джерел електронів та негативних іонів на основі пастки Пеннінга й однощілинного гострокутного електромагнітного уловлювача із плазмовим джерелом електронів. Амплітудні та частотні характеристики коливань у плазмі.
автореферат, добавлен 05.08.2014Особливості динаміки електронів в високочастотних гарматах з термоемісійним катодом. Вплив розподілу електричного поля на осі гармат на характеристики пучка. Ефект бомбардування катода зворотними електронами, шляхи підвищення середнього струму гармат.
автореферат, добавлен 23.11.2013Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
контрольная работа, добавлен 15.05.2014Визначення залежності питомого опору від стану речовини, температури, освітлення та домішок. Характеристика власної провідності напівпровідників. Сутність термо- та фоторезисторів. Тривалентні елементи періодичної системи, утворення ковалентного зв’язку.
презентация, добавлен 14.11.2013Аналіз будови кристалічної ґратки та характеру сил, що діють між частинками твердого тіла. Вимірювання електричних величин та обчислення похибок. Температурна залежність електропровідності напівпровідників. Вивчення фотопровідності в діелектриках.
методичка, добавлен 28.07.2017Теоретичне дослідження кулонівської взаємодії між двома електронами, які перебувають в когерентних станах, та взаємодії пари когерентних електронів з полем випромінювання. Характеристика властивостей двочастинкових станів незаряджених фермі-частинок.
автореферат, добавлен 30.10.2015Особливості фотовольтаїчних властивостей та методи оптимізації фоточутливості анізотипних органічних гетероструктурах, встановлення зв'язку енергетичної структури з експериментальними значеннями фото-ерс. Оцінка можливості використання цих структур.
автореферат, добавлен 29.08.2015Класифікація речовин за здатністю проводити електричний струм. Виникнення надпровідності у металах при охолодженні. Визначення основних відмінностей напівпровідників від провідників. Матеріали та речовини-діелектрики. Керування електропровідністю.
презентация, добавлен 30.10.2019Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Характеристики відеоекранів на базі повноколірних світлодіодів. Електрооптичні ефекти у холестеричних РК. Особливості оптоелектроніки з неорганічних, органічних напівпровідників і рідкокристалічних матеріалів. Моделювання світлового випромінювання.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Основні характеристики і дефекти оптичних лінз. Вимірювання довжини хвилі джерела світла за допомогою дифракційної гратки. Шляхи зменшення сферичної аберації. Перевірка закону Малюса. Вивчення вентильного фотоефекту. Аналіз властивостей напівпровідників.
методичка, добавлен 21.07.2017Перевірка можливості формування наноструктур під час дії заданої кількості потоків електронів. Ерозійна дія потоків моноенергетичних електронів на чисті метали і сплави при нормальному й відмінному від нього кутах падіння потоку на поверхню деталі.
автореферат, добавлен 13.08.2015Розробка квазістаціонарного наближення для розв'язання кінетичного рівняння росту атомарних кластерів у газовому струмені, що розширюється у вакуумі. Особливості методів дослідження оптичних проявів кластерів, пов’язаних з особливостями їх росту.
автореферат, добавлен 24.02.2014Визначення фактору оберненого розсіювання для лінійного прискорювача. Формування додаткового заряду за рахунок фотонів і електронів, відбитих від верхньої і нижньої пластин коліматора. Оптимізація і методи застосування лінійного прискорювача електронів.
статья, добавлен 25.03.2016