Контактные явления в полупроводниках
Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
Подобные документы
Полупроводники с собственной, электронной и дырочной проводимостью. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Контакт между полупроводниками одинакового типа проводимости. Концентрация примесей, воздействия светового и ионизирующего излучений.
контрольная работа, добавлен 05.07.2016Описание двумерных численных моделей, основанных на решении уравнений переноса носителей с помощью аппарата конечных разностей. Анализ математических моделей состояния металлических контактов области полупроводника и диэлектрика по уравнению Пуассона.
контрольная работа, добавлен 23.10.2014Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
автореферат, добавлен 23.05.2018Полупроводники как особый класс кристаллов со многими физическими свойствами, отличающими их как от металлов, так и от диэлектриков. Принципы функционирования электрического тока в них. Полупроводниковые приборы: типы, принципы действия, назначение.
реферат, добавлен 07.05.2014Исследования в области полупроводников и их значение для радиотехники, электротехники, автоматики, приборостроения, энергетики. Вопрос о характере движения электронов в полупроводнике. Свойства периодически повторяющейся элементарной ячейки кристалла.
статья, добавлен 20.09.2009Виды оптического поглощения в полупроводниках. Измерение поглощения оптического излучения в арсениде галлия. Отбор образцов с дефектами. Измерение спектров пропускания. Оценка концентрации хрома и его распределения в высокоомных образцах арсенида галлия.
отчет по практике, добавлен 21.02.2020Отличительные особенности и принцип работы полупроводникового лазера. Люминесценция (излучение кванта света) в полупроводниках, использование способа генерации избыточных электронно-дырочных пар для ее наблюдения. Инверсия населённостей в полупроводниках.
реферат, добавлен 16.10.2011Изучение сущности и свойств теплопроводности - явления передачи внутренней энергии от одного тела к другому или от одной его части к другой. Свойства теплопроводности у различных веществ: металлов, жидкостей, газов, вакуума (безвоздушного пространства).
презентация, добавлен 09.04.2012Электрическая проводимость различных веществ. Электронная проводимость металлов. Зависимость сопротивления проводника от температуры. Движение электронов в металле. Сверхпроводимость при очень низких температурах. Электрический ток в полупроводниках.
реферат, добавлен 09.03.2013- 110. Физика металлов
Физико-химическая характеристика благородных металлов: золота, платины, палладия. Свойства и параметры магнитных материалов и их классификация. Значение статической относительной магнитной проницаемости. Зависимость намагниченности от напряженности поля.
контрольная работа, добавлен 29.01.2012 Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.
лекция, добавлен 30.07.2013Изучение терминов "элементная база", "электронные приборы". Достоинства и недостатки полупроводников. История развития техники электронных приборов. Особенности конструкции диффузионно-сплавного транзистора. Общие свойства электронно-дырочных переходов.
шпаргалка, добавлен 01.04.2017Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Характеристика типовых функциональных каскадов полупроводникового усилителя. Преобразование энергии источника питания в энергию выходного сигнала. Большие искажения при передаче на большие расстояния. Трудность долговременного хранения результатов.
презентация, добавлен 23.09.2016Определение понятия твердости металла как особого механического свойства материала, которое характеризует их способность сопротивляться проникновению в их поверхность другого более твердого тела. Экспресс оценки твердости по методу Мооса и Шора.
статья, добавлен 11.11.2018Виды пробоя диэлектриков, механизмы их протекания. Основные характеристики диэлектрических жидкостей. Область контакта двух полупроводников с различным типом проводимости, а также полупроводника и металла. Точечные и планарные полупроводниковые диоды.
контрольная работа, добавлен 31.01.2022Свойства сверхпроводников материалов. Теория сверхпроводимости как макроскопического квантового эффекта. Электроны в металлах, открытие изотопического эффекта. Теория Бардина – Купера – Шриффера, эффект Джозефсона. Критические температуры и поля.
практическая работа, добавлен 11.04.2018Электрические свойства веществ: проводники, полупроводники, диэлектрики. Упорядоченное движение электронов под действием электрического поля. Проведение опытов с инерцией электронов. Атомная кристаллическая решетка. Изменение удельного сопротивления.
презентация, добавлен 10.10.2014Сущность полупроводника как вещества, обладающего электрическими свойствами, промежуточными между свойствами металлов и диэлектриков. Включение p-n-перехода под прямое и обратное напряжение. Полупроводниковый диод, его свойства и область применения.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Методология создания установки для исследования комплекса физических свойств металлов, бинарных и многокомпонентных материалов. Особенности методики изучения диаграмм состояния высокотемпературных оксидных систем. Анализ многокомпонентных материалов.
автореферат, добавлен 08.02.2018Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Влияние магнитного поля на свойства ферромагнитных материалов. Изменение свойств "немагнитных" твердых тел в слабых магнитных полях. Исследования изменения в магнитном поле физико-механических свойств поликристаллических металлов, подвергаемых ползучести.
статья, добавлен 10.07.2013Влияние на фотоэлектрические свойства пленок медного фталоцианина модификации формы молекул периферийными и аксиальными заместителями. Критическая толщина, выше которой кристаллическая подложка не оказывает ориентирующего воздействия на молекулы пленки.
автореферат, добавлен 31.07.2018Свойства фуллерены и нанотрубки. Физические свойства тонких магнитных пленок. Формирование и структура аморфных металлов и сплавов. Приборы и технические изделия нанометровых размеров. Эффекты квантового ограничения, интерференционный и туннельный.
контрольная работа, добавлен 22.10.2013