Диагностирование логического элемента DC LUT FPGA
Описание моделирования "быстрого" диагностирования логического элемента DC LUT тестами "все единицы" и "все нули" в системе схемотехнического моделирования NI Multisim 10 путём одновременной проверки всех ветвей обратного дерева передающих транзисторов.
Подобные документы
- 101. Полевые транзисторы
Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.
лекция, добавлен 04.10.2013 Создание фильтров в программе Multisim 11.0. Разработка частотно-избирательных устройств, которые пропускают и задерживают сигналы, лежащие в определенных полосах частот. Аппроксимация по Чебышеву и Баттерворту. Проверка частотных характеристик фильтра.
курсовая работа, добавлен 02.05.2014Выбор контрольно-измерительных приборов для ремонта планшетного сканера. История изобретения осциллографа, описание мультиметра, логического пробника. Оборудование рабочего места техника-электроника. Основные неисправности сканера и методы их устранения.
контрольная работа, добавлен 10.04.2016- 104. Полевые транзисторы
Понятие, виды и принцип действия полевых транзисторов. Структурная схема и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017 - 105. Варикапы
Использование варикапов в качестве конденсатора, емкость которого зависит от величины обратного напряжения. Порядок расчета параметрического стабилизатора напряжения. Назначение стабилизаторов, стабисторов, туннельных и обращенных диодов, транзисторов.
лекция, добавлен 06.09.2017 Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Рассмотрение основных принципов сложения мощности усилителей в выходных каскадах твердотельных передающих устройств радиолокационных станций (РЛС). Результаты измерений в выходных каскадах реальных передающих устройств РЛС. Мощность СВЧ-передатчиков.
статья, добавлен 02.04.2019Возможности определения параметров гидроакустических датчиков с помощью компьютерного моделирования. Численное моделирование процесса воздействия плоской гидроакустической волны на пьезокерамический датчик и ее преобразование в электрический сигнал.
статья, добавлен 28.10.2018Рассмотрение методических подходов к построению математических моделей сложных радиотехнических систем. Обоснование структуры и предварительных оценок характеристик на этапе проектирования. Решение задачи испытаний методом математического моделирования.
статья, добавлен 02.04.2019Описание программного комплекса, предназначенного для моделирования вектора состояний многоспутниковой низкоорбитальной сетевой системы в каждый момент времени. Условия применения и требования организационного, технического и технологического характера.
статья, добавлен 06.01.2020Суть алгоритма решения систем уравнений комплексной модели электрических, тепловых, аэродинамических и механических процессов в радиоэлектронной аппаратуре. Вычисление эффективных параметров ветвей комплексной модели верхнего иерархического уровня.
статья, добавлен 08.12.2018Элементы программируемых логических интегральных схем. Элементарный дешифратор без инверторов на выходах, обеспечение ортогональности сигналов. Расчет показателя инверсирования переменной в соответствующей ветви дерева логической интегральной схемы.
статья, добавлен 30.07.2017Метод последовательного интегрирования и канонической формы. Схема моделирования методом вспомогательной переменной. Модель в пространстве состояний в нормальной, канонической форме и форме простых сомножителей. Схемы и результаты моделирования системы.
курсовая работа, добавлен 10.12.2015Описание принципиальной схемы субблока. Построение проверяющей тестовой последовательности. Разработка программы для проверки. Размещение стендового оборудования на рабочем месте. Расчет себестоимости и оптовой цены стенда. Выбор базы для сравнения.
дипломная работа, добавлен 28.09.2017Методика моделирования РЭС, ее алгоритм и типовая схема, особенности, порядок проведения работ в процессе автоматизированного проектирования. Взаимосвязь моделей физических процессов в дублировании работ. Математические модели, классификация, особенности.
реферат, добавлен 30.12.2008Принципы имитационного моделирования дискретных систем, в основу которого положен транзактный способ организации квазипараллелизма и метод изменения модельного времени "шагом до следующего события". Определение загрузки запасного канала и частоты отказов.
статья, добавлен 02.02.2019Анализ моделирования радиоэлектронных средств (РЭС) с учетом влияния механических воздействий наряду с постоянным повышением требований к надежности и качеству аппаратуры. Особенности использования компьютерного моделирования при разработке РЭС.
статья, добавлен 08.12.2018Особенности теплового моделирования при проектировании инфокоммуникационных устройств. Тепловые процессы в радиоэлектронной аппаратуре, моделирование тепловых процессов в приемно-вычислительном блоке. Проектирование инфокоммуникационных устройств.
дипломная работа, добавлен 10.12.2019Подходы к применению приборно-технологического моделирования маршрутов. Спектр задач моделирования маршрутов изготовления, модели активных и пассивных элементов. Конструктивно-технологический вариант устройства и изготовление партий микросхемы КР1446ХК1.
дипломная работа, добавлен 14.06.2012Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.
презентация, добавлен 20.07.2013Краткий анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработка макета для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Область безопасной работы биполярного транзистора. Результаты контроля партии транзисторов.
статья, добавлен 15.08.2013Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Основные рекомендации относительно правильного выполнения параллельного соединения полевых транзисторов. Способы решения проблемы защиты своих устройств от токов короткого замыкания. Специфические потери обратного восстановления паразитных диодов.
реферат, добавлен 30.08.2010Осуществление управления током в выходной цепи за счет изменения входного напряжения или тока. Характеристика принципа действия и способов применения транзисторов. Улучшение параметров транзисторов BISS за счет изменения конструкции зоны эмиттера.
реферат, добавлен 08.06.2021