Механізми тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах кремнію й германію n-типу
Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
Подобные документы
Дослідження фотоіндукованих фізико-хімічних процесів формування регулярних структур із наноцентрів під дією стаціонарних просторово-періодичних світлових полів у адитивно забарвлених кристалах KCl як сукупності конкуруючих дифузійно-дрейфових процесів.
автореферат, добавлен 11.08.2014Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження механізмів переходів в сполуках типу Sn2P2S6 з допомогою моделювання в рамках дипольної моделі. Відтворення фізичних явищ: сегнетоелектричної, несумірної і параелектричної фази. Склоподібна поведінка дипольної моделі при низьких температурах.
автореферат, добавлен 10.01.2014З’ясування механізмів та закономірностей пластичної деформації високоміцних сплавів заліза зі структурою мартенсита на базі систем Fe–Nі і Fe–C та титанового сплаву на базі системи Tі–Al–Mo–V. Утворення локальних дипольних вигинів кристалічної ґратки.
автореферат, добавлен 23.11.2013Виявлення і дослідження зміни мікромеханічних, електрофізичних характеристик і наноструктури кристалів кремнію при впливі магнітного поля. Аналіз особливостей зміни мікротвердості кристалів кремнію при довготривалій дії слабких постійних магнітних полів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Механізм генерації активаторних центрів забарвлення в лужно-галоїдних кристалах, активованих талієм. Розрахунок наростання концентрації активаторних центрів забарвлення в процесі опромінення кристала хлориду калію, легованого талієм, іонізуючою радіацією.
статья, добавлен 07.12.2016З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
автореферат, добавлен 23.08.2014Особливості дефектоутворення у вихідному монокристалічному та епітаксіальному кремнію. Аналіз причин деградації параметрів кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних систем. Огляд механізмів впливу дефектів на електрофізичні характеристики струму.
автореферат, добавлен 14.07.2015Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Вивчення мікроструктури сплавів Al-Li з рівноважним і нерівноважним вмістом літію методами рентгенівського аналізу. Дослідження особливостей макроскопічного розподілу пластичної деформації в деформованих зразках сплавів Al-Li залежно від температури.
автореферат, добавлен 18.07.2015Дослідження структури та електрофізичних властивостей об'ємних монокристалів кремнію і кремнієвих композицій. Комплексоутворення точкових дефектів, класифікації та механізму утворення ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію.
автореферат, добавлен 25.04.2014Синтез кристалів хлористого стронцію, легованих іонами талію та спів активаторами. Визначення характеру входження іонів талію в гратку кристала, їх концентрації, кількісних параметрів. Розкриття специфіки механізмів генерації талієвих центрів забарвлення.
автореферат, добавлен 24.02.2014Визначення кількісних критеріїв конкурентоздатності домінуючих міжзонних і домішкових механізмів рекомбінації в кристалах CdTe в залежності від складу і легування матеріалу. Роль перехідної металургійної границі парофазних епітаксійних гетеросистем.
автореферат, добавлен 05.01.2014Вивчення питань створення ефективних плівкових і кристалічних люмінесцентних матеріалів на основі оксидів, нітридів і галогенідів шляхом дослідження в них механізмів рекомбінації за участю складних дефектів, а також процесів стабільності люмінофорів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Встановлення природи особливостей електронних властивостей кристалів та епітаксійних структур твердих розчинів вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe в області домішкової та стрибкової провідності. Опис переходів Мотта й Андерсона у домішковій зоні цих кристалів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження нестійкостей, що виникають при ядерному опроміненні впорядкованих бінарних сплавів та напівпровідників. Виникнення часових і просторових реакцій однорідного стаціонарного розподілу дефектів. Опис системи методом молекулярної динаміки.
автореферат, добавлен 19.04.2014Дослідження енергетичних спектрів носіїв заряду в об'ємних кристалах твердих розчинів Cd1-xMnxTe, кристалів із поверхнею телуриду кадмію та товщини надграток. Парціальні вклади марганцю в густину станів валентної зони та зони провідності цих структур.
автореферат, добавлен 19.04.2014Розробка теоретичної та експериментальної бази для проведення досліджень квантових кристалів за умов наднизьких температур. Дослідження особливостей кінетичних процесів, що відбуваються в квантових кристалах в період ізотопічних фазових переходів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Аналіз і наукове обґрунтування методологічних і теоретичних засад математичного моделювання розподілу домішок при вирощуванні монокристала кремнію в умовах протікання фізичних процесів. Розробка алгоритмів розв’язання розроблених математичних моделей.
автореферат, добавлен 26.08.2015Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Встановлення особливостей магнітної сприйнятливості та преципітації кисню у монокристалічному і ниткоподібному кремнію, попередньо опроміненому нейтронами та легованому ізовалентними домішками. Рентгеноструктурні дослідження кристалів після термообробки.
автореферат, добавлен 29.09.2014Природа і закономірності формування центрів свічення та захоплення носіїв заряду. Перетворення дефектів під дією збуджувальної радіації і температури. Встановлення механізмів перебігу фотохімічних та рекомбінаційних процесів у фоточутливих кристалах.
автореферат, добавлен 30.07.2015Вивчення специфіки розтікання збуджених електронів від локального джерела нерівноважності, розташованого на поверхні вісмутового кристала. Дослідження явища дифракції електронного потоку, що втікає в кристал вісмуту крізь мікроконтакт малого розміру.
автореферат, добавлен 27.07.2014Дослідження непружного розсіяння світла флуктуаціями густини повного кутового моменту носіїв. Вивчення властивостей колективних збуджень вільних носіїв заряду. Виявлення впливу направленої деформації кристала на властивості плазмонів і розсіяння світла.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 100. Динамічна теорія розсіяння рентгенівських променів в циліндрично вигнутих кристалах з мікродефектами
Аналітичні вирази для коефіцієнтів відбиття і проходження когерентних, квазідифузних та дифузних хвиль у випадку циліндрично вигнутих монокристалів, які містять однорідно розподілені дефекти кулонівського типу. Вплив вигину для менших радіусів дефектів.
автореферат, добавлен 29.08.2014