Механізми тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах кремнію й германію n-типу
Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
Подобные документы
Розроблення рентгенодифракційних методів дослідження параметрів субструктури біоапатиту кісткової тканини. З’ясування характеру змін параметрів субструктури у ході модельної демінералізації. Визначення концентрації кальцію та фосфору в кристалах.
автореферат, добавлен 27.07.2014Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010Особливість вивчення насичених воднем гідрогенізованих поверхонь кремнієвих мультикристалічних підкладок типу Baysix з пористим кремнієм, за допомогою методів мас-спектрометрії. Аналіз визначення кількості гідрогену в динамічному режимі травлення.
статья, добавлен 29.01.2016- 104. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Дослідження умов і закономірностей накопичення залишкових напружено-деформованих станів. Розробка механіко-математичної моделі процесів утворювання та накопичення остаточних деформацій та методики поширення остаточних переміщень елементів ударних систем.
автореферат, добавлен 28.08.2014Дослідження властивостей алмазоподібних плівок вуглецю. Вивчення прихованих шарів карбіду кремнію, синтезованих високодозовою імплантацією вуглецю в монокристалічний кремній. Механізми гетерування домішок та пасивації рекомбінаційно-активних центрів.
автореферат, добавлен 20.04.2014Дослідження доменної структури зразків монокристалічного TlInS2, отриманих з розплаву методом Бріджмена, в області існування фаз високого тиску. Побудова діаграми стану. Визначення особливостей поведінки сегнетоеластичних доменів при зміні тиску.
статья, добавлен 27.12.2016Створення узагальненої статистичної динамічної теорії розсіяння випромінювання у кристалах з хаотично розподіленими дефектами. Коректне описання розсіяння в тому числі і на дефектах, розміри яких досягають та перевищують значення довжини екстинкції.
автореферат, добавлен 23.02.2014Вивчення дисперсійних залежностей фононних станів оксиду цинку в напрямку Г – А зони Бріллуена. Особливості взаємодії елементарних збуджень електронного типу в монокристалах ZnO та CdSe та низькотемпературних спектрів лазеру нанокристалічного ZnO.
автореферат, добавлен 27.07.2014З'ясування процесів, що відбуваються на поверхні нанопористого кремнію при його контакті з повітрям різної вологісті, водними розчинами з різними рН та розчинами біомолекул. Розгляд механізму впливу полінуклеотидів на фотолюмінесценцію пористого кремнію.
автореферат, добавлен 25.02.2015Представлення q-деформацій алгебр Лі унітарних, ортогональних та евклідових груп Лі. Застосування q-деформованих алгебр до знаходження нових масових співвідношень для адронів з більш високою точністю, ніж відомі раніше. Практичне значення результатів.
автореферат, добавлен 23.11.2013Вплив кристалографічної орієнтації монокристалічного кремнію на квантовий вихід фотолюмінесценції поруватого кремнію в процесі анодизації. Механізми струмопереносу та випромінювальної рекомбінації. Особливості характеристик електролюмінесценції.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження впливу плоских дефектів на динамічні характеристики сильно анізотропних шаруватих кристалів, вивчення особливостей локалізації коливань у складних багатошарових сполуках. З’ясування особливостей фононних спектрів складних шаруватих систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Специфіка фізичних властивостей релаксорних сегнетоелектриків. Визначення залежності радіуса кореляції поляризації фазових переходів. Дослідження динамічної діелектричної проникливості. Розгляд особливостей перевороту диполя у фізичних механізмах.
автореферат, добавлен 28.07.2014Характеристика скінченних прямих сум кореневих підпросторів за допомогою векторів експоненціального типу у випадку абстрактних операторів. Функціональні простори кореневих функцій регулярних і деяких сильно вироджених еліптичних граничних задач.
автореферат, добавлен 21.11.2013Утворення структурних та електрофізичних досліджень пористого кремнію. Методи дослідження мікроструктури, хімічного складу багатошарових структур при адсорбції газів. Електрофізичні властивості багатошарових структур з шаром термічно окисненого кремнію.
автореферат, добавлен 14.07.2015Аналіз механізмів, відповідальних за формування характеристик розсіяння кластерами частинок. Вивчення ефектів ближнього поля і їхньої ролі у формуванні характеристик розсіяння. Аналіз залежностей інтерференційних ефектів від властивостей середовища.
автореферат, добавлен 14.08.2015Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
презентация, добавлен 09.02.2012Дослідження умов когерентного випромінювання ансамблю квантових точок. Побудова статистичної картини автоколивань нерівноважних стаціонарних систем, підданих впливу шумів різної природи. Теорія мультифракталів для багаторазово деформованих структур.
автореферат, добавлен 11.08.2015Процеси окислення та їх вплив на механізми дефектоутворення у легованому кремнії. Закономірності деградації параметрів приладів залежно від структури приповерхньої області. Моделювання топологічних процесів струмопереносу в системах діоксиду кремнію.
автореферат, добавлен 14.08.2015Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
лабораторная работа, добавлен 28.07.2017Механізми впливу температури на накопичення радіаційних дефектів. Особливості впливу радіаційних дефектів на рекомбінаційні властивості опроміненного кремнію. Взаємодія вибитого радіацією міжвузловинного атома з акустичними та оптичними фононами.
автореферат, добавлен 29.08.2015Створення плівок поруватого кремнію електрохімічним методом. Характеристика електричних та оптичних властивостей прозорих плівкових оксидів. Застосування технології вологого хімічного та парового осадження при виготовленні головних ясних покрить.
диссертация, добавлен 01.01.2017Визначення температурних та деформованих полів у висушуваних пиломатеріалах. Вивчення законів механіки суцільних середовищ та термодинаміки нерівноважних процесів. Оцінка впливу полів напружень на характер протікання процесів тепломасоперенесення.
статья, добавлен 30.07.2016Розробка розрахункового апарату, за допомогою якого визначається пластичність попередньо деформованого металу при обробці тиском. Оцінка пластичності попередньо деформованих заготовок для будь яких умов напруженого стану за допомогою моделі руйнування.
статья, добавлен 24.12.2018