Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления
Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления. Классификация микросхем: полупроводниковые и гибридно-пленочные. Элементы электрической схемы полупроводниковых ИС. Структура биполярных транзисторов. Условное обозначение серии микросхем.
Подобные документы
Понятие и функциональные особенности, внутреннее устройство мультивибраторов как монолитных интегральных микросхем. Роль и значение транзисторов в данных устройствах. Разработка электрической структурной и функциональной схем, их элементы и анализ.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Проектирование и расчет пленочных интегральных схем. Рассмотрение основных принципов проектирования топологической структуры гибридных проектов. Методика расчета основных тонкопленочных элементов и оценка теплового режима гибридных интегральных микросхем.
учебное пособие, добавлен 21.11.2012Общие сведения о печатном монтаже. Разработка структурной и принципиальной схемы и проектирование изготовления печатной платы. Восстановление первоначального значения сопротивления изоляции. Проектирование рисунка проводников, его этапы и разработка.
реферат, добавлен 03.03.2014Возможные варианты автоматизированных испытаний аналоговых микросхем с помощью универсальных и специализированных тестеров. Разработка автоматизированных тестеров для испытаний микросхем компараторов, операционных усилителей и микросхем аудиоусилителей.
статья, добавлен 27.05.2018Создание средств схемотехнического моделирования работы интегральных микросхем технологии "кремний-на-изоляторе" в условиях воздействия ионизирующего излучения в разных электрических режимах. Исследование чувствительности элементов КНИ к дозовым эффектам.
автореферат, добавлен 02.08.2018Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015Разработка электрической принципиальной схемы супергетеродинного приемника на двух интегральных микросхемах. Расчет и описание функциональной схемы и основных узлов радиовприемника. Чертеж электрической принципиальной схемы с перечнем элементов.
курсовая работа, добавлен 09.09.2014Понятие и признаки топологий интегральных микросхем. Регистрация топологий интегральных микросхем и уведомление о правах. Права авторов топологий интегральных микросхем и их защита. Особенности, топологий как результата интеллектуальной деятельности.
контрольная работа, добавлен 13.06.2010Краткая характеристика лазерно-утюжной технологии (ЛУТ). Пошаговое описание изготовления печатной платы этим методом. Общие рекомендации и пошаговая технология производства. Общие рекомендации при создании двухсторонних плат. Техника безопасности.
реферат, добавлен 07.07.2014Описание технологии изготовления микросхем. Цоколёвка, электрические параметры и предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы. Формовка выводов прямоугольного поперечного сечения. Выбор метода присоединения пайкой. Требования при монтаже сваркой.
курсовая работа, добавлен 19.10.2014Назначение и характеристики дешифратора, принцип его работы, логические функции. Разработка и реализация микросхемы дешифратора для семисегментного индикатора на 4 информационных входа с использованием микросхем серии КР514ИД1. Выбор элементной базы.
курсовая работа, добавлен 22.11.2013Технологический процесс изготовления гибридных интегральных микросхем. Поверочный расчет конструкций тонко- и толстопленочных резисторов, выбор формы и геометрических размеров. Определение конструкций пленочных конденсаторов, выбор материала диэлектрика.
курсовая работа, добавлен 11.02.2013Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
реферат, добавлен 22.03.2013Кодирование чисел с помощью электронно-вычислительных машин. Виды преобразователей кодов. Дешифраторы в системах цифровой индикации. Основные параметры серии микросхем на основе ТТЛШ технологий. Расчет электрической принципиальной схемы устройства.
контрольная работа, добавлен 10.12.2013Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.
реферат, добавлен 01.02.2011Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.
реферат, добавлен 05.04.2011Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Методы изготовления интегральных микросхем. Пентоды и их конструкции. Принцип работы МДП транзистора со встроенным каналом. Получение в кристалле многослойной структуры, воспроизводящей заданную электрическую схему, основные технологические процессы.
реферат, добавлен 29.03.2021Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Разработка топологии гибридной схемы широкополосного усилителя К174УВ1. Технология гибридных интегральных микросхем. Параметры, определяющие выбор конструкции и материал пленки. Этапы технологического процесса изготовления гибридных интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 24.09.2012Область применения, цель создания и задачи подсистемы САПР конструкторско-технологического назначения. Классификация, обозначение и условно-графическое изображение цифровых микросхем. Особенности применения КМОП микросхем. Работа с компилятором Visual C.
курсовая работа, добавлен 06.06.2010Широкое применение интегральных микросхем в цифровой электронике. Разработка структурной схемы устройства автоматизации, управляющего нагревательным элементом печи. Выбор серии интегральных микросхем, датчиков, источников питания, устройства согласования.
курсовая работа, добавлен 25.03.2015Общие сведения о параллельных и универсальных регистрах, их классификация и типы, функции и применение. Моделирование схемы цифрового устройства на операционных усилителях, технология их сборки, внутреннее устройство и элементы программной среды.
курсовая работа, добавлен 01.01.2018