Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами
Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
Подобные документы
Дослідження нестійкостей, що виникають при ядерному опроміненні впорядкованих бінарних сплавів та напівпровідників. Виникнення часових і просторових реакцій однорідного стаціонарного розподілу дефектів. Опис системи методом молекулярної динаміки.
автореферат, добавлен 19.04.2014Дослідження механізму генерації центрів забарвлення в кристалах BaCl2-Pb за умови існування в кристалах автолокалізованих дірок (VK-центрів) у моделі лінійного кристала. Кінетика утворення та граничні концентрації в кристалі. Сумарне забарвлення кристала.
статья, добавлен 30.07.2016Поглинання світла в кристалах, люмінесценція твердих тіл, фотолюмінесценція, люмінофори, вимушене випромінювання, лазер і схема рубінового лазера. Основні електронні переходи при поглинанні світла в кристалах, спектри люмінесценції деяких люмінофорів.
курсовая работа, добавлен 03.11.2014Дослідженню впливу фонових домішок і структурних дефектів на формування та фізичні властивості розбавлених твердих розчинів. Основні мови виникнення аномалій фізичних властивостей. Вивчення процесів одержання слабколегованих шарів кремнієвих композицій.
автореферат, добавлен 15.11.2013- 55. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження зсуву Найта і форми резонансних спектрів у телуридах свинцю-олова залежно від концентрації носіїв струму. Ознайомлення з особливостями розробленої методик детектування у напівпровідникових матеріалах з високою електричною провідністю.
автореферат, добавлен 26.08.2014 Випромінювальні та спектрально-кінетичні параметри зонної структури кристалів LiBaF3. Характеристика процесів втрати енергії мінералу при її переносі від гратки до центрів світіння. Виявлення термічної стійкості забарвлення в опромінених кристалах.
автореферат, добавлен 25.02.2014Опис енергетичного спектру, спінового транспорту та магнітних властивостей кристалів з сильними електронними кореляціями. Дослідження намагнічуваності та просторових неоднорідностей магнітної структури в системах з сильними електронними кореляціями.
автореферат, добавлен 28.09.2014Релаксація радіаційних дефектів в процесі теплового впливу. Розрахунок енергій міграції дефектів та часу цього процесу для докритичних та близьких до критичної доз імплантації. Зміни у порушеному приповерхневому шарі в процесі ізохронного відпалу.
автореферат, добавлен 24.06.2014- 59. Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями
Встановлення природи, локальної структури та загальних закономірностей утворення різних дефектних станів в ряді кристалічних оксидних матеріалах зі структурою шеєліта та перовскіта. Вплив цих дефектів на електро-фізичні властивості даних матеріалів.
автореферат, добавлен 01.08.2014 Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.08.2014Динаміка гратки кристалів інертних газів під тиском. Розрахунок атомних властивостей неону, аргону, криптону. Моделі міжатомної взаємодії в кристалах інертних газів. Аналіз електрон-фононної взаємодії в ряду Ne-Xe в залежності від атомного номеру Z.
автореферат, добавлен 24.07.2014Вивчення питань створення ефективних плівкових і кристалічних люмінесцентних матеріалів на основі оксидів, нітридів і галогенідів шляхом дослідження в них механізмів рекомбінації за участю складних дефектів, а також процесів стабільності люмінофорів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження акустичної емісії в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні постійного електричного струму та акустичного відгуку в монокристалах GaAs та CdTe при дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 26.07.2014- 64. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження надтонких взаємодій радіоспектроскопічними методами. Визначення особливостей зонного спектра та динаміки перетворень у системі домішок і дефектів у телуридах свинцю й олова. Аналіз стану домішок і дефектів у моноселенідах індію та галію.
автореферат, добавлен 30.10.2015 Дослідження оптичних властивостей кремнієвих, германієвих, квантових точок та вуглецевих кластерів в SiO2-матриці, прихованих шарів SiO2, SiC, SixGe1-x в кремнії, що формувалися за допомогою іонної імплантації та наступного високотемпературного відпалу.
автореферат, добавлен 23.11.2013Характер структурної організації мезогенних молекул в індукованих холестеричних рідких кристалах з прямою та скошеною сиботактичними структурами. Залежність сформованої структури від роду домішки, ступеня розвитку в ній флуктуацій смектичного параметра.
автореферат, добавлен 24.06.2014Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Дослідження особливостей процесу електронної польової емісії з пористого кремнію. Оптимізація режимів вирощування пористого кремнію з метою отримання високоефективних емісійних катодів. Розробка методики визначення основних емісійних параметрів.
автореферат, добавлен 26.07.2014Дослідження короткотривалої релаксації надструктури неспівмірних фаз кристалів тетраметиламін-тетрахлорметалатів, а також вивчення впливу електричного поля на поведінку хвилі модуляції в умовах "в’язкої взаємодії" в кристалах [N(CH3)4]2МеCl4 (Me=Cu, Zn).
автореферат, добавлен 14.09.2014Закономірності еволюції неспівмірної надструктури в стохастичному режимі у діелектричних кристалах. Температурна поведінка двозаломлення в фазових переходах, за умови існування неспівмірної модуляції у кристалах, її аналіз в межах феноменологічної теорії.
автореферат, добавлен 27.07.2015Вивчення концентраційної поведінки урбахівського краю поглинання та його основних параметрів. Розгляд спектральних залежностей коефіцієнта поглинання в кристалах твердих розчинів. Аналіз катіонного заміщення Ge-Si. Збільшення ширини оптичної псевдощілини.
статья, добавлен 27.12.2016Технологія отримання і властивості масивних кристалів. Методика отримання монокристалів CdTe і CdTe:Cl. Вивчення дефектів структури у масивних кристалах. Процеси електропровідності монокристалів, вирощених методом фізичного транспорту через газову фазу.
автореферат, добавлен 12.07.2015Аналіз умов збудження й поширення поверхневих плазмових поляритонів в багатошарових твердотільних системах. Визначення геометричних, статистичних параметрів мікрорельєфу профільованих поверхонь з різною морфологією, їх вплив на умови плазмового резонансу.
автореферат, добавлен 25.04.2014Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження фазового складу структури, фазових перетворень, фізичних властивостей перовскітів із застосуванням електричних та магнітних полів, рентгеноструктурного аналізу, електронної мікроскопії. Теоретичні моделі для точкових і протяжних дефектів.
автореферат, добавлен 24.02.2014