Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами
Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
Подобные документы
Розрахунок на основі моделі прямокутної квантової ями скінченної глибини, температурної залежності енергії дна основної мінізони електрона в наноплівках AlxGa1–xAs / GaAs / AlxGa1–xAs різної товщини з різною концентрацією бар’єрного наноматеріалу.
статья, добавлен 23.12.2016Дослідження азимутальних залежностей нормованої повної інтегральної інтенсивності монокристалу з дефектами у випадку динамічної дифракції за Бреггом. Шляхи створення комбінованих методів кількісної діагностики характеристик дефектів декількох типів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Методика аналізу порошкових дифрактограм для визначення кількісних характеристик структури одномірно розвпорядкованих полікристалів. Визначення типу і густини ансамблю планарних дефектів, густини дислокацій та розміру областей когерентного розсіяння.
автореферат, добавлен 28.06.2014Результати досліджень впливу швидкості охолодження, стану високотемпературної фази, легування на формування структур, у розташуванні дефектів в низькотемпературній фазі сплавів кобальту. Огляд легуючих елементів, які відрізняються за механізмом впливу.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження спектрів фарадеївського обертання кристалів в залежності від вмісту магнітної компоненти, температури та напруженості магнітного поля. Вивчення фазового переходу парамагнетик-спінове скло в кристалах за даними низькопольової температурної.
автореферат, добавлен 31.01.2014Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження розігріву електронно-діркової плазми електричним полем в процесі утворення термодифузійних автосолітонів в кристалах Ge і Si. Вплив типу провідності кристалу і властивостей приконтактних областей на поведінку плазми в електричному полі.
автореферат, добавлен 30.07.2014- 83. Динамічна теорія розсіяння рентгенівських променів в циліндрично вигнутих кристалах з мікродефектами
Аналітичні вирази для коефіцієнтів відбиття і проходження когерентних, квазідифузних та дифузних хвиль у випадку циліндрично вигнутих монокристалів, які містять однорідно розподілені дефекти кулонівського типу. Вплив вигину для менших радіусів дефектів.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Теоретичне дослідження структури об’ємних пропускаючих динамічних граток, що формуються при зустрічній чотирипучковій взаємодії (ЗЧПВ) в фоторефрактивному середовищі з нелокальним відгуком. Теоретична модель отримання стаціонарних розв’язків при ЗЧПВ.
автореферат, добавлен 15.11.2013Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Розробка та випробування методу реєстрації індукованого двопроменезаломлення в кубічних кристалах на основі поляризаційної модуляції випромінювання. Його експериментальне та теоретичне дослідження. Взаємозв’язок між параметрами градієнту анізотропії.
автореферат, добавлен 13.07.2014Дослідження електромеханічного перетворення та існуючих методів та теорій даного явища. Аналіз релаксаційних процесів у різних фазах сегнетоелектричних рідких кристалів. Дослідження електромеханічного зв'язку та параметричних ефектів в рідких кристалах.
автореферат, добавлен 11.08.2015Виявлення механізмів формування структур і фізичних властивостей кристалічних середовищ різних типів з іонним, ковалентним і металевим зв'язками. Розробка методики моделювання впливу дефектів низької розмірності (домішок, вакансій, локальних вигинів).
автореферат, добавлен 28.07.2014Процеси фазоутворення на поверхні Cu, GaAs, ZnSe в атмосфері хлору, стимульованих впливом УФ випромінювання. Дослідження залежності квантового виходу фотореакцій від тиску активного газу, температури підкладки, часу експозиції та енергії фотонів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Аналіз електронно-польової емісії з кремнієвих структур типу Si-SiO2-d(Si)-SiO2 і Si-SiO2-d (Cs), вкритих плівками з дельта-легованим шаром. Емісійні властивості кремнієвих вістрійних емітерних матриць вкритих багатошаровими та алмазо-подібними плівками.
автореферат, добавлен 07.03.2014Закономірності процесів дефектоутворення в структурах і приладах на основі кремнію. Вивчення впливу вихідних дефектів та механізмів їх трансформації в процесах легування, окислення кремнію і подальших механічних обробок на формування дефектної структури.
автореферат, добавлен 13.08.2015Розробка прецизійного підходу до опису надтонких і слабких взаємодій у важких атомах та ядрах. Аналіз релятивістської ядерної спектроскопії надтонкої структури. Розрахунок енергій і незберігаючих парність амплітуд радіаційних переходів для іонів.
автореферат, добавлен 19.07.2015Дослідження властивостей збуджених рівнів, що заселяються у бета-розпаді легких ізотопів олова за допомогою збірок германієвих і кремнієвих детекторів. Розрахунок радіаційних силових функцій – інструменту для опису процесів гамма-розпаду і фотопоглинання.
автореферат, добавлен 30.07.2014Вплив модифікації монокристалів Li6Gd(BO3)3:Ce натрієм і магнієм на процеси дефектоутворення під впливом іонізуючого випромінювання. Встановлення природи радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах твердих розчинів Li6Gd1-xEux(BO3)3, Li6Y1-xEux(BO3)3.
автореферат, добавлен 23.08.2014Дослідження ефекту лінійного плеохроїзму у напівпровідникових кристалах кубічної сингонії з індукованою анізотропією діелектричних властивостей за допомогою методу, заснованому на модуляції поляризації з високою чутливістю до величини анізотропії.
автореферат, добавлен 01.08.2014Дослідження нелінійної провідності квантових контактів різної геометрії в присутності одиничних дефектів. Залежність нелінійної провідності від прикладеної напруги, потенціалу розсіювання й параметрів, що характеризують форму квантового контакту.
автореферат, добавлен 28.10.2015Причини руйнівної дії сил електростатичної взаємодії кремнієвого зонду з діелектричними поверхнями при дослідженні їх мікрогеометрії та характеристик методом атомно-силової мікроскопії. Розрахунок сил електростатичної взаємодії двох кремнієвих поверхонь.
статья, добавлен 13.10.2016Механізм генерації активаторних центрів забарвлення в лужно-галоїдних кристалах, активованих талієм. Розрахунок наростання концентрації активаторних центрів забарвлення в процесі опромінення кристала хлориду калію, легованого талієм, іонізуючою радіацією.
статья, добавлен 07.12.2016Морфология поверхности исследуемых композитных пленок, а также зависимость модификации их рельефа от вида и концентрации вводимого наполнителя. Обоснование структурирования поверхности с максимальной степенью кристалличности при значениях х=2–6 масс%.
статья, добавлен 21.06.2018Дослідження кінетичних ефектів у твердих розчинах кремній-германій. Природа кінетичних ефектів у кристалах n-кремнію з ізовалентною домішкою германію. Вплив ізовалентної домішки германію на інтенсивність утворення дефекту радіаційного походження A-центра.
автореферат, добавлен 22.06.2014