Наноструктурированные пленки на основе аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники
Получение и исследование наноструктурированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния, обладающих высокой фоточувствительностью и стабильностью. Расчет излучательной способности наноструктурированных пленок в видимом и инфракрасном диапазонах.
Подобные документы
Анализ безопасности проводных и Wi-Fi сетей. Использование светодиодных источников освещения как передатчиков системы защищенной связи. Применение интерфейса PLC. Изучение пропускной способности канала и коэффициента битовых ошибок в технологии VLC.
статья, добавлен 30.07.2017Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018Оксид цинка - прямозонный полупроводником, обладающий большими потенциальными возможностями применения в качестве материала для фотоприемников, светодиодов, прозрачных контактов, элементов солнечных ячеек и других элементов для тонкопленочной электроники.
статья, добавлен 30.05.2017Современное состояние производства гибких печатных плат. Технологические методы и оборудование для нанесения проводящего слоя на полимерную пленку. Рассмотрение методов повышения адгезионной способности покрытий. Классификация гибких печатных плат.
диссертация, добавлен 23.12.2013Основные преимущества гибридных интегральных микросхем. Толстые и тонкие пленки, их роль в современной технике и технологии получения. Методы термического испарения и ионного распыления, их характеристика. Области применения тонких и толстых плёнок.
курсовая работа, добавлен 31.05.2012Эффект генерации акустических сигналов при поглощении электромагнитных импульсов в слоистой структуре. Преобразование терагерцевого излучения в акустический импульс. Исследование оптических коэффициентов нанометровых пленок хрома на кварцевой подложке.
статья, добавлен 30.10.2018Исследование возможности обнаружения спектрально-согласованных помех в диапазонах систем спутниковой навигации с помощью дополнительных функциональных блоков в составе навигационной аппаратуры построенной по технологии SDR (software defined radio).
статья, добавлен 30.10.2018Задание величины отрицательной обратной связи с помощью пассивных элементов (резисторов), обладающих хорошей стабильностью. Разработка схемы с общим эмиттером, использующая транзистор. Использование полевых транзисторов. Метод дифференциального каскада.
лекция, добавлен 29.10.2013Характеристика кремниевой объёмной микрообработки. Рассмотрение маскирования полимерами и тонкими плёнками. Изучение прохождения химического осаждения из паровой фазы при пониженном давлении поликристаллического кремния или фосфорокварцевого стекла.
лекция, добавлен 26.10.2013Общая характеристика группы органических полупроводников. Электропроводность органических полупроводников. Свойства, лежащие в основе функционирования OLED дисплеев. Основные направления оптоэлектроники, использующих органические полупроводники.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016- 38. Анализ пропускной способности MIMO системы связи с учетом взаимного влияния каналов приемного тракта
Анализ пропускной способности системы передачи информации на основе технологии MIMO. Измерение пространственных характеристик полезного сигнала в пространственных каналах, уровня и корреляционных свойств теплового шума. Расчет пропускной способности.
статья, добавлен 02.04.2019 Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Представления о низкотемпературной и высокотемпературной сверхпроводимости. Эффекты и явления, на которых основана работа устройств криоэлектроники. Методы получения тонких пленок, монокристаллов, керамических образцов. Свойства сверхпроводников.
учебное пособие, добавлен 26.09.2017Входной контроль монокристаллических кремниевых пластин. Методы определения типа электропроводности. Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов и пленок четырехзондовым методом. Определение концентрации примесных атомов в кремнии.
методичка, добавлен 13.03.2015Анализ гомогенного и гетерогенного зарождения новой фазы. Химический рост эпитаксиальных пленок. Термодинамика и адсорбционные процессы на поверхности твердых тел. Процессы очистки, промывки и пропитки поверхности. Факторы, влияющие на адгезию.
курсовая работа, добавлен 25.02.2012Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.
контрольная работа, добавлен 21.01.2017Принцип работы и структура прибора с зарядовой связью. Достоинства и ограничения ПЗС. Сечение трёхфазного ПЗС с электродами из поликристаллического кремния и с виртуальной фазой. Запоминающее устройство на ПЗС, способ управления записью информации.
реферат, добавлен 14.10.2015Уникальная технология получения монокремния. Структура части высоковольтного N-МОП тиристора. Характеристики транзистров с частичным обеднением кремния. Возможности синтеза полупроводниковых многослойных тонкоплеточных структур в космическом вакууме.
презентация, добавлен 24.05.2014Достоинства ионно-плазменного нанесения, его отличие от термовакуумного процесса. Устройства катодного распыления на постоянном токе, основные элементы магнетронных распылительных систем. Отличительные особенности осаждения пленок из ионных пучков.
курсовая работа, добавлен 17.05.2011Классификация понижающих конверторов, их особенности и основные трудности реализации в СВЧ и КВЧ диапазонах. Исследование гибридной технологии многослойных интегральных схем на основе керамики с низкой температурой обжига — КНТО, ее использование.
статья, добавлен 27.02.2019Основные этапы производства: выращивание диоксида кремния и создание проводящих областей, тестирование, изготовление корпуса. Технологические этапы создания микропроцессоров. Процесс легирования и диффузии. Формирование структуры с помощью фотолитографии.
статья, добавлен 12.12.2012Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных микросхем. Методы формирования тонких пленок: термического испарения в вакууме, ионного распыления, ионно-термического испарения. Характеристика и свойства тонкопленочных пассивных элементов.
курсовая работа, добавлен 17.01.2011Методы очистки подложек интегральных схем и деталей электровакуумных приборов. Технология получения и изучения свойств тонких пленок. Изготовление оксидного катода и его испытание в разборной лампе. Технология люминофоров и люминесцирующих покрытий.
методичка, добавлен 27.10.2017