Наноструктурированные пленки на основе аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники
Получение и исследование наноструктурированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния, обладающих высокой фоточувствительностью и стабильностью. Расчет излучательной способности наноструктурированных пленок в видимом и инфракрасном диапазонах.
Подобные документы
Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Механизм генерации когерентного электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Его реализация в экспериментах по взаимодействию лазерных импульсов фемтосекундной длительности с поверхностью тонких наноструктурированных ферромагнитных пленок.
статья, добавлен 07.11.2018Анализ технологических операций при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов. Изменение удельной электропроводности кремниевой пленки. Применение лазерного отжига. Выбор оптимальной мощности для получения наилучших электрофизических параметров.
статья, добавлен 29.07.2017Разработан оригинальный способ определения тангенса угла потерь тонких диэлектрических пластин и пленок в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. Измерения тангенса угла потерь тонких пленок были проведены в резонаторе на частоте 69.4 ГГц.
статья, добавлен 07.11.2018Характеристика полупроводников. История развития транзисторных технологий. Характеристика химической связи в аморфных полупроводниках. Общая характеристика оптических спектров поглощения аморфных полупроводников. Структура связей аморфного кремния.
реферат, добавлен 15.05.2015Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
статья, добавлен 30.10.2018Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018Маршруты формирования пленок на поверхности сапфира для газочувствительных датчиков с использованием лазерного излучения длиной волны 1064 нм. Экспериментальная оценка применения лазерного излучения для получения тонких пленок на поверхности подложки.
статья, добавлен 29.07.2017Оценка влияния параметров процесса газофазного осаждения нитрида кремния (Si3N4) на механические напряжения пленок. Определение размерного фактора, позволяющего управлять чувствительностью гофрированной мембраны для миниатюрного акустического датчика.
автореферат, добавлен 31.07.2018Резонатор, состоящий из акустоэлектрического преобразователя на основе пьезоэлектрической пленки оксида цинка и Брэгговского акустического отражателя на основе 5 пар слоев пленок молибдена и алюминия. Параметры элементов электрической схемы резонатора.
статья, добавлен 02.02.2019Переход от микро- к наноразмерным пленкам в электронике. Работа технологической установки для формирования наноразмерных пленок и диагностической рентгено-рефлектометрической системы. Контроль параметров растущих пленок в реальном времени их формирования.
лабораторная работа, добавлен 30.11.2018Применение тонких проводящих пленок в радиотехнике и электронике. Экспериментальное исследование отражения, прохождения и резонансного поглощения электромагнитных волн в тонких нанометровых пленках меди, алюминия и нихрома в диапазоне длин волн 2–10 см.
статья, добавлен 19.06.2018Исследование динамической проводимости на постоянном токе. Отражение электромагнитных волн сверхвысокочастотного диапазона от тонких пленок гранулированных аморфных металл-диэлектрических нанокомпозитов. Модель внутригранулярных (внутрикластерных) токов.
статья, добавлен 05.11.2018Влияние технологических параметров приготовления на электрические и структурные свойства эпитаксиальных пленок, полученных из высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-x распылением. Параметры химической и термической обработки NdGaO3 подложек.
статья, добавлен 03.11.2018Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Электрофизические свойства объемного арсенида индия: структура, оптические характеристики, подвижность. Методы глубокой очистки индия. Получение мышьяка и его соединений высокой степени чистоты. Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы.
реферат, добавлен 07.10.2010Решение проблемы создания СВЧ модулей высокой степени интеграции для систем космической связи. Определение требований к микроэлектромеханическим элементам, изготовленных на основе аморфных алмазоподобных пленок, для использования в СВЧ диапазоне частот.
автореферат, добавлен 13.02.2018- 18. Интегральные сенсоры угловых скоростей и линейных ускорений LR-типа на основе углеродных нанотрубок
Технологии формирования наноструктурированных материалов и гибридных сенсорных систем на основе углеродных нанотрубок. Результаты моделирования наномеханического сенсора LR-типа в зависимости от изменений внешних воздействий с перекрытием по времени.
статья, добавлен 29.05.2017 Результаты разработки и изготовления экспериментальной установки для проведения полиионной сборки тонких пленок на поверхности твердой подложки. Использование метода послойного наплавления FDM для изготовления механических элементов данной установки.
статья, добавлен 23.05.2018Устройство малогабаритной вакуумной установки. Изучение топологии поверхности островковых плёнок меди на ситалловой подложке с помощью атомно-силового микроскопа АСМ. Их получение методом термического испарения при разном расстоянии от испарителя.
курсовая работа, добавлен 03.05.2019Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Изучение материалов и устройств оптической памяти, нейросетевой обработки информации. Функциональные преимущества и перспективность применения бактериородопсина (БР) в приборах электронной техники. Требования к параметрам БР-содержащих полимерных пленок.
дипломная работа, добавлен 30.01.2018Описание бистатического радиолокатора с синтезированной апертурой, работающего синхронно в VHF и Р диапазонах. Результаты экспериментальной отработки радиолокатора, цель которой в получении высокой разрешающей способности и увеличение полосы частот.
статья, добавлен 02.04.2019Базовые технологические операции изготовления интегральных микросхем. Операция наращивания на подложке монокристаллического слоя. Получение эпитаксиальных пленок. Использование светочувствительных материалов. Ионное легирование и термическое окисление.
доклад, добавлен 22.05.2016История открытия сверхпроводимости, ее физические основы. Джозефсоновский переход, сверхчувствительные приемники. СКВИД-датчик. Сверхчувствительные магнитометры. Сканирование слабонамагниченных объектов. Радиоэлементы на основе сверхпроводящих пленок.
реферат, добавлен 12.09.2019