Дослідження властивостей СВЧ польового транзистора на Gaas, які пов’язанні з междолинними переходами носіїв
Аналіз створення моделі, що дозволяє методом мікрочасток розраховувати транзистори на частотах понад 100 ГГц в квазігідродинамічному наближенні з урахуванням механізмів розсіювання. Спектральний склад шуму в польових транзисторах з затвором Шотткі.
Подобные документы
Согласование выходного сопротивления усилителя с сопротивлением нагрузки, подключаемой через коаксиальный кабель. Коэффициент частотных искажений на верхних и нижних частотах. Принципиальная схема выходного каскада. Справочные данные транзистора.
контрольная работа, добавлен 14.10.2012Застосовування схеми без індуктивностей, характеристика та особливості автогенератора з багатоланковим RC-фільтром. Причини поганої форми генерованих коливань, процес узгодження вихідного опору фазообертаючого RC-ланцюжка, опис опору транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.07.2017Номінальний опір, інтервал робочих температур, максимально припустима потужність розсіювання - основні параметри терморезистора. Фотопровідність — фізичне явище, що визначається у зменшенні опору напівпровідника у разі збудження носіїв заряду світлом.
презентация, добавлен 07.02.2022Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.
реферат, добавлен 21.07.2013Разработка структурной схемы передатчика с амплитудной модуляцией на транзисторах. Выбор транзистора оконечного каскада. Расчет первого и второго промежуточного каскада усиления, питания и смещения, коллекторной цепи, коэффициента фильтрации гармоник.
курсовая работа, добавлен 20.01.2016Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Розробка чисельно-аналітичної моделі теплового поля в ростовій камері. Розрахунок температурних профілів злитка GaАs LEC методом. Визначення впливу температурних полів і термопластичних напруг на утворення структурних дефектів в монокристалах GaАs.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження низькотемпературного транспорту носіїв заряду і деформаційно-стимульованих ефектів в алмазоподібних напівпровідниках. Аналіз впливу магнітного поля на зміну механізму транспорту носіїв заряду в кремнії та германії за низьких температур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Розробка математичної моделі для дослідження впливу фонового випромінювання на МПФ ОС та параметри розсіяного випромінювання, які впливають на МПФ. Розробка алгоритмів та експериментальне вимірювання функцій розсіювання випромінювання в елементах ОС.
автореферат, добавлен 12.02.2014Аналіз спектральних та кореляційних властивостей поліноміальних сигналів та узагальненого гаусового імпульсу. Особливості розробки методу синтезу оптимальних поліноміальних сигналів з заданими кореляційними властивостями, узагальнених гаусових імпульсів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Условия, которые необходимо учесть, чтобы разброс значений статического коэффициента передачи тока транзистора не оказывал влияние на величину напряжения. Методика построения эквивалентной схемы анализа двухкаскадного усилителя на средних частотах.
контрольная работа, добавлен 11.07.2022Изучение схемы балансового каскада с активной нагрузкой, построенной на трех транзисторах. Анализ пути передачи входного сигнала. Определение сопротивления нагрузки транзистора. Защита балансных каскадов от большого дифференциального сигнала на их входах.
лекция, добавлен 04.10.2013Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
доклад, добавлен 24.06.2013Покращення характеристик бортової метеонавігаційної станції. Побудова моделі сигналу на фоні білого шуму та завади в частоті. Застосування сплайн-апроксимації. Створення системи радіолокаційного виявлення для обминання небезпечної зони грозової хмарності.
автореферат, добавлен 30.07.2015Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Характеристики и параметры биполярного транзистора в режиме малых сигналов. Зависимости коэффициентов статического и динамического усиления по току от коллекторного тока для маломощного транзистора.
реферат, добавлен 21.02.2015Розробка методики вимірювання параметрів потужних транзисторів з високою рухливістю електронів. Оцінка основних причин зміни параметрів вольтамперних та шумових характеристик транзисторів і можливостей управління ними при опроміненні гамма-квантами.
автореферат, добавлен 28.10.2015Чисельне дослідження особливостей характеристик арсенід-галієвих польових транзисторів Шоткі в області входження в перенапружений режим, включаючи пробій. Дослідження впливу різних режимних і конструктивних параметрів транзисторів на його характеристики.
автореферат, добавлен 26.02.2015Дослідження проблеми виявлення інформаційного шуму для пересічного члена суспільства крізь призму потреби в дотриманні інформаційної гігієни. Характеристика можливих джерел інформаційного шуму. Формування і розвиток навичок інформаційної гігієни.
статья, добавлен 04.02.2024Принцип работы и характеристики проходного ключа, зависимость его сопротивления от входного сигнала. Условие отпирания р-канального транзистора. Передача логических уровней транзисторами разных типов. Цифровые схемы с использованием проходных ключей.
лабораторная работа, добавлен 12.11.2011Оцінка оптимальності виділення сигналу з шуму з використанням різних методів спектрального перетворення на прикладі сигналу з широтноімпульсною модуляцією. Підтвердження доцільності застосування методів, в основі яких покладено вейвлет перетворення.
статья, добавлен 27.07.2016Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
статья, добавлен 17.07.2018Огляд можливостей подолання складностей при проектуванні генераторних датчиків шляхом використання таблиць перетворення іммітансу. Принцип побудови таблиць перетворення іммітансу узагальнених перетворювачів іммітансу на основі польового транзистора.
статья, добавлен 28.07.2013Дослідження сучасних засобів вимірювання фізичних параметрів інформаційної доріжки фоноциліндра на відповідність визначеним вимогам. Розробка алгоритму цифрової обробки звукового сигналу при відновленні й реконструкції фонограм раритетних носіїв запису.
автореферат, добавлен 27.08.2014Схема биполярного транзистора - полупроводникового элемента, имеющего трехслойную структуру, основные принципы его действия. Расчет выходной коллекторной характеристики транзистора. Коэффициент переноса или передачи тока от эмиттера к коллектору.
контрольная работа, добавлен 09.06.2016Изучение основных терминов цифровой электроники. Понятия о полевых и биполярных транзисторах. Электрические и временные параметры цифровых устройств. Схемы включения биполярного транзистора. Шинная организация связей в резисторах и конденсаторах.
лекция, добавлен 12.01.2015