Дослідження властивостей СВЧ польового транзистора на Gaas, які пов’язанні з междолинними переходами носіїв
Аналіз створення моделі, що дозволяє методом мікрочасток розраховувати транзистори на частотах понад 100 ГГц в квазігідродинамічному наближенні з урахуванням механізмів розсіювання. Спектральний склад шуму в польових транзисторах з затвором Шотткі.
Подобные документы
Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах, особенности их построения. Вычисления коэффициентов усиления, входного и выходного сопротивления. Типовые схемные решения усилительного каскада с общими эмиттером и базой, их анализ.
учебное пособие, добавлен 09.04.2015Розробка та характеристика особливостей математичної моделі реконфігурованих антен з урахуванням нелінійних властивостей керуючих елементів. Методика використання "матриці конфігурації" для опису конфігурації тонкопроводових випромінюючих структур.
дипломная работа, добавлен 27.07.2015Определение параметров и характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Дифференциальные параметры входного и выходного сопротивлений. Определение величины крутизны транзистора, которая связывает напряжение базы с током коллектора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
курсовая работа, добавлен 05.06.2017Определение коэффициента передачи усилителя с отрицательной обратной связью. Выбор рабочей точки и транзистора для выходного каскада. Выбор транзистора для промежуточного каскада. Проверка правильности выбора транзистора. Расчет емкостных элементов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2017Расчет параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Выбор биполярного транзистора и положения рабочей точки. Расчет параметров элементов схемы и определение параметров усилительного каскада на биполярном и полевом транзисторах.
контрольная работа, добавлен 19.11.2017Электронные усилители: общие характеристики и классификация. Статистические и динамические режимы усилительных каскадов. Схемы включения на биполярных и полевых транзисторах. Анализ влияния дестабилизирующих факторов на работу усилительных каскадов.
лекция, добавлен 13.10.2013Розробка спектральної моделі активного фільтра. Характеристика графіків потужності системи для статичного режиму роботи пристрою. Оцінка розподілу електричної енергії в елементах фільтру. Розрахунок потужності конденсатора в спектрі високих частот.
статья, добавлен 14.09.2016Фотоелектричні прилади на основі внутрішнього фотоефекту. Процес генерації вільних носіїв заряду. Довжина хвилі електромагнітного випромінювання. Вольт-амперна характеристика звичайного p-n-переходу. Відсутність вхідного сигналу на базі транзистора.
контрольная работа, добавлен 12.05.2016Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Розроблення конструкції вертикального МОН-транзистора керованого малопотужним сигналом з р-каналом, який дозволяє отримати високу густину упаковки елементів. Оптимізація технологічних методів одержання перемикальних МОН-структур з подвійною дифузією.
автореферат, добавлен 04.03.2014Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018Ознайомлення з основними причинами для виникнення похибки при побудові математичної моделі за методом найменших квадратів. Обчислення кімнатної температури та абсолютної похибки. Вивчення обладанання, яке використовувалося під час виконання завдання.
творческая работа, добавлен 24.03.2019Визначення залежності струму колектора від струму бази та напруги колектор-емітер. Розрахунок сімейства вихідних характеристик біполярного транзистора в схемі із загальним емітером. Фактори, що визначають силу струму, що протікає через колектор.
лабораторная работа, добавлен 27.03.2014Структурний синтез параметричних перетворювачів векторного відношення на основі узагальненої математичної моделі й дослідження властивостей цих перетворювачів. Аналіз метрологічних характеристик параметричного вимірника комплексного коефіцієнта відбиття.
автореферат, добавлен 29.09.2015Аналіз дослідження завад у повністю оптичних транспортних DWDM мережах і методи підвищення їх пропускної здатності. Їх вплив на передавання в системах зі спектральним ущільненням каналів. Збільшення швидкості передавання для модельованої мережі.
автореферат, добавлен 29.09.2014Исследование принципов работы усилительных каскадов на биполярных транзисторах. Определение их основных параметров. Расчет усилительного каскада на транзисторе по схеме с эмиттерной стабилизацией. Нахождение соотношения коллекторного и базового тока.
лабораторная работа, добавлен 15.06.2015Каскады на биполярных и полевых транзисторах. Рассмотрение параметров операционных усилителей. Основные преобразования аналоговых сигналов. Методы коррекции частотной характеристики операционных усилителей. Сложная схема "токового зеркала" Уилсона.
презентация, добавлен 18.04.2021Розробка методики підвищення ефективності телекомунікаційних мереж на базі методів багатокритеріальної оптимізації. Синтез об’єкта за допомогою декомпозиції моделі, що дозволяє здійснити ефективне дослідження окремих компонентів різнорідної мережі.
автореферат, добавлен 14.09.2015Результаты проектирования и экспериментального исследования монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах. Сущность методики проектирования транзисторных усилителей на основе гетероструктурной технологии.
статья, добавлен 26.09.2014Експериментальна перевірка розробленого методу пошуку несправностей, який дозволяє швидше знайти проблемний функціонально-логічний блок в електронній схемі материнської плати, а також локалізувати зону його пошуку з урахуванням зовнішніх факторів.
статья, добавлен 25.12.2016Основные параметры биполярного транзистора с p-n-p переходом, определяющие работу линейного усилителя низкой частоты. Принципиальная схема работы усилителя. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки по статическим характеристикам транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Аналіз стану офтальмологічної аберометрії. Математична абераційна модель оптичних систем. Абераційна складова рефракції ока. Створення апарату оцінок якості зображення на сітківці за результатами рейтресингу ока. Експериментальні дослідження похибок.
автореферат, добавлен 28.10.2015Проведение расчета коэффициента усиления, полосы пропускания и значений элементов корректирующих цепей для схемных построений усилительных каскадов (некорректированного, с высокочастотной индуктивной, истоковой коррекцией) на полевых транзисторах.
курсовая работа, добавлен 16.12.2009Аналіз моделі вихідного сигналу за методом групового урахування аргументів. Методики виробничого калібрування: методика тестових поворотів та методика на основі методу найменших квадратів. Порівняння ефективності методик калібрування для структури моделі.
статья, добавлен 26.01.2017