Влияние неоднородного распределения электрически активных примесей на перенос носителей заряда в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
Прогнозирование коэффициентов прозрачности потенциальных барьеров в областях пространственных зарядов структур металл-полупроводник. Решение уравнения Шредингера с учетом неоднородного пространственного распределения электрически активных примесей.
Подобные документы
Решение уравнения Шредингера для идеального кристалла. Причины возникновения проводимости в собственном полупроводнике. Концентрация электронов и дырок в зонах. Положение уровня Ферми в собственном полупроводнике. Электрон в идеальном кристалле.
курсовая работа, добавлен 19.11.2017Приближенные выражения для нестационарных волновых функций, описывающих движение частиц под прямоугольным потенциальным барьером, и их основных параметров. Приближенное представление подбарьерных компонент. Решения нестационарного уравнения Шредингера.
статья, добавлен 03.10.2013Распределение концентрации носителей при монополярной диффузии в кремниевом и германиевом полупроводниках. График распределения Ферми-Дирака, построение диаграмм для перехода из германия. Потенциалы Ферми для дырочного и электронного полупроводников.
контрольная работа, добавлен 21.10.2018Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Анализ металл-диэлектрических структур при углах падения света больше критического. Расчет зависимостей коэффициента отражения многослойных структур, объединяющих схемы Отто и Кречмана, с различным расположением металлических и диэлектрических пленок.
статья, добавлен 30.11.2018Создание на основе оптимизационного метода алгоритма для расчета пространственного распределения магнитного поля солнечных активных областей в нелинейном бессиловом приближении. Использование фотосферных векторных магнитограмм осесимметричного поля.
автореферат, добавлен 29.10.2018Понятие проводников, полупроводников и изоляторов, их строение и проводимость электрического тока. Дырочная и примесная электропроводимость, виды примесей, полупроводниковые приборы (транзистор, термистор, болометр, фоторезистор, светодиод) и их свойства.
реферат, добавлен 26.04.2014Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016Рекомбинация неравновесных носителей заряда, фотопроводимость. Определение среднего времени жизни неравновесных носителей заряда. Тип примесных центров, их концентрация в объеме и на поверхности пластины. Освещение фоторезистора пульсирующим светом.
реферат, добавлен 22.11.2015Выращивание аморфных наногранулированных пленок типа "металл-диэлектрик" методом ионно-лучевого напыления на лавсановой подложке большой площади. Изучение распределения толщины, концентрации и относительного объема металлической фазы по площади пленок.
статья, добавлен 07.11.2018Понятие нормировки в теории вероятности, получение и основные свойства уравнения Шредингера. Определение скорости электронов в квантовой теории, решение волнового уравнения. Вероятность нахождения частицы (атома) в различных точках пространства.
реферат, добавлен 04.12.2015Общая характеристика транзистора, имеющего плоскопараллельные электроды большой протяженности, анализ особенностей распределения неосновных носителей заряда в его базе. Анализ причин изменения напряжения коллектора, знакомство с уравнением тока.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Комплексное изучение основных характеристик диодных линеек как источников световой накачки активных элементов мощных твердотельных лазеров, частотного и пространственного распределения их излучения. Методика оценки эффективности работы диодных линеек.
автореферат, добавлен 12.11.2018Полупроводники с собственной, электронной и дырочной проводимостью. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Контакт между полупроводниками одинакового типа проводимости. Концентрация примесей, воздействия светового и ионизирующего излучений.
контрольная работа, добавлен 05.07.2016Понимание природы возникновения и физической сущности сил инерции, действующих при ускоренном движении материальных тел в эфире на примере движения элементарной электрически заряженной частицы. Математическая форма описания инерционных процессов.
статья, добавлен 22.11.2018Полупроводники как вещества с электронной электропроводностью, удельные сопротивления которых при нормальной температуре занимают промежное расположение среди металлов. Анализ особенностей влияния внешних факторов на электропроводность полупроводников.
статья, добавлен 05.05.2022Особенность распределения коэффициентов теплоотдачи и интенсивности температурных пульсаций по длине и по периметру сечения трубы. Характеристика формулы для определения теплообмена жидких металлов при течении в сильном поперечном магнитном поле.
автореферат, добавлен 31.07.2018Полупроводники как вещества, занимающие по величине удельной электрической проводимости промежуточное положение между металлами и диэлектриками: знакомство с видами, общая характеристика структуры. Анализ схемы энергетических состояний электронов.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Анализ истории электродинамики. Характеристика электромагнитных явлений, возникающих при движении и взаимодействии электрически заряженных частиц. Анализ распределения радиоспектра. Анализ основных теоретических сведений элементов векторного анализа.
лекция, добавлен 13.09.2017Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
контрольная работа, добавлен 11.03.2015Постановка математической и физической задач для нахождения решения неоднородного волнового уравнения (уравнения Даламбера). Ошибка, которую допускают физики, считая, что любые решения уравнения Даламбера являются функциями запаздывающих потенциалов.
статья, добавлен 23.11.2018Общая характеристика полупроводников, их строения и принципа действия. Определение понятий диффузионного и дрейфового токов. Построение соотношения Эйнштейна. Определение диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда с разными вариантами проводимости.
реферат, добавлен 05.11.2017Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Анализ особенностей определения коэффициента нейтронной опасности. Исследование основ деления примесей с учетом данного коэффициента. Рассмотрение допустимого содержания примесей в тепловыделяющих элементах ядерных реакторов на медленных нейтронах.
учебное пособие, добавлен 04.06.2015Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
лабораторная работа, добавлен 29.11.2010