Влияние неоднородного распределения электрически активных примесей на перенос носителей заряда в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
Прогнозирование коэффициентов прозрачности потенциальных барьеров в областях пространственных зарядов структур металл-полупроводник. Решение уравнения Шредингера с учетом неоднородного пространственного распределения электрически активных примесей.
Подобные документы
Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.
автореферат, добавлен 31.03.2018Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Описание и свойства вещества в диспергированном состоянии. Особенности обмена свободных носителей заряда через границу раздела металл-полупроводник. Анализ одиночной металлической сферической частицы в полупроводниковой электронной невырожденной матрице.
реферат, добавлен 23.10.2010Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
реферат, добавлен 08.04.2014Методы кристаллизационной очистки в технологии очистки полупроводниковых материалов и металлов. Методы выращивания монокристаллов из расплавов. Метод Вернейля и Чохральского. Расчет кристаллизационной очистки в бинарных системах полупроводник-примесь.
курсовая работа, добавлен 01.01.2014Электрический ток - перенос электрических зарядов. Концентрация электронов в зоне проводимости. Электропроводность зоны проводимости полупроводников. Влияние примесей на электропроводность. Скорость электрона как производная от энергии по импульсу.
лекция, добавлен 30.07.2013Физические процессы на контакте "металл-полупроводник". Термоэлектронная эмиссия. Поверхностные состояния. Образования режимов обеднения, обогащения и инверсии в приповерхностном слое полупроводника. Зонные диаграммы, соответствующие этим режимам.
реферат, добавлен 18.11.2015Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Особенность применения комплементарной структуры металл-оксид-полупроводников транзисторов в аналоговой микросхемотехнике. Расчет коэффициента передачи синфазного напряжения. Характеристика симметричного дифференциального каскада с каскадной нагрузкой.
статья, добавлен 29.05.2017Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник. Энергия активации проводимости полупроводниковых переключателей. Свойства полупроводников, электропроводность металлических сплавов. Строение выпрямителей, усилителей и принцип их действия.
реферат, добавлен 10.01.2018Понятие электрического заряда. Расчет зависимости электрического напряжения, создаваемого элементарной электрически заряженной частицей и её условным радиусом. Циркуляция пространственно распределённых электрических токов смещения в структуре частицы.
статья, добавлен 23.11.2018Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.
отчет по практике, добавлен 04.10.2019Характеристика, возникновения гальваномагнитных явлений - эффектов Холла, Эттингсгаузена, термомагнитных – Риги-Ледюка, Нернста-Эттингсгаузена. Процесс накопления носителей заряда. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике.
методичка, добавлен 26.05.2015Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
лекция, добавлен 04.12.2018Электрическая характеристика явления защелки. Создание больших, сверхбольших интегральных схем. Варианты масштабирования приборов со структурой металл-оксид-полупроводник. Исследование устойчивости сверхбольших интегральных схем к эффекту "защелкивания".
статья, добавлен 08.04.2019Численное диффузионно-дрейфовое моделирование процессов переноса и накопления носителей заряда в гетероструктуре TiO2 / перовскит / полупроводник p-типа. Анализ фотоэлектрических характеристик солнечных элементов. Обоснование оптимальной толщины пленки.
статья, добавлен 30.07.2017Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
статья, добавлен 26.10.2016Особенности взаимодействия электромагнитного излучения с веществом. Классификация люминесценции по длительности и способу возбуждения. Фотолюминесценция полупроводника с примесями. Электронные уровни примесей. Донорно-акцепторные излучательные переходы.
лекция, добавлен 17.06.2015Исследование пространственного перераспределения спектра рассеяния фемтосекундного излучения. Изучение в условиях неоднородного распределения поля в среде влияния дисперсии вещества на взаимодействие: квантовые системы – фемтосекундное излучение.
автореферат, добавлен 26.07.2018Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
автореферат, добавлен 23.05.2018История открытия и использования полупроводников. Анализ причин зависимости электрического сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Зонная теория проводимости. Влияние примесей на электропроводность материала. Применения полупроводников.
реферат, добавлен 08.03.2010Математическая модель области пространственного заряда биполярной мембраны, строение в условиях протекания постоянного электрического тока и в его отсутствии. Влияние соединения металла хрома(III) на скорость диссоциации воды в биполярной мембране.
статья, добавлен 19.05.2017Описание двумерных численных моделей, основанных на решении уравнений переноса носителей с помощью аппарата конечных разностей. Анализ математических моделей состояния металлических контактов области полупроводника и диэлектрика по уравнению Пуассона.
контрольная работа, добавлен 23.10.2014