Структурні i люмiнесцентнi властивості поруватого кремнiю, отриманого методом анодного електрохiмiчного травлення
Вплив кристалографічної орієнтації монокристалічного кремнію на квантовий вихід фотолюмінесценції поруватого кремнію в процесі анодизації. Механізми струмопереносу та випромінювальної рекомбінації. Особливості характеристик електролюмінесценції.
Подобные документы
Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Утворення структурних та електрофізичних досліджень пористого кремнію. Методи дослідження мікроструктури, хімічного складу багатошарових структур при адсорбції газів. Електрофізичні властивості багатошарових структур з шаром термічно окисненого кремнію.
автореферат, добавлен 14.07.2015Дослідження властивостей алмазоподібних плівок вуглецю. Вивчення прихованих шарів карбіду кремнію, синтезованих високодозовою імплантацією вуглецю в монокристалічний кремній. Механізми гетерування домішок та пасивації рекомбінаційно-активних центрів.
автореферат, добавлен 20.04.2014Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Дослідження властивостей структур на основі пористого кремнію та механізмів їх модифікації під дією поверхневих обробок. Активація фотолюмінісцентних характеристик на імплантованих зразках. Сегрегація бору на границі поділу кремнієвого кристаліту.
автореферат, добавлен 20.04.2014Закономірності процесів дефектоутворення в структурах і приладах на основі кремнію. Вивчення впливу вихідних дефектів та механізмів їх трансформації в процесах легування, окислення кремнію і подальших механічних обробок на формування дефектної структури.
автореферат, добавлен 13.08.2015- 32. Вплив активних зовнішніх факторів на особливості випромінювальної рекомбінації кристалів Cd1-xZnxTe
Зміни люмінесцентних властивостей кристалів, викликані впливом активних зовнішніх факторів: термообробка, лазерне опромінення. Вивчення фотолюмінесценції кристалічних детекторів іонізуючого випромінювання. Аналіз впливу малих доз радіації на кристали.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Вивчення впливу легування кремнію ізовалентною домішкою олова. Процеси утворення і відпалу радіаційних і термічних дефектів. Теорія кінетики утворення термодонорів. Електрофізичні властивості кремнію при обробці. Оцінка носіїв струму при опроміненні.
автореферат, добавлен 12.02.2014Взаємозв'язок інтегральних характеристик динамічного розсіяння Х-променів, температурних спектрів поглинання пружної енергії зі змінами дефектної структури опромінених монокристалів кремнію високоенергетичними електронами в процесі природного старіння.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження особливостей процесу електронної польової емісії з пористого кремнію. Оптимізація режимів вирощування пористого кремнію з метою отримання високоефективних емісійних катодів. Розробка методики визначення основних емісійних параметрів.
автореферат, добавлен 26.07.2014Роль речовин, розташованих на поверхні кремнієвих кристалітів, у процесах збудження червоної смуги фотолюмінесценції (ФЛ). Вплив морфології пористих шарів на процеси збудження ФЛ. Хімічний склад пористих шарів та його впливу на процеси збудження.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження природи хімічного зв’язку Si–Al при входженні кремнію в решітку за допомогою ab initio розрахунків. Взаємозв’язок квантово-хімічних параметрів і термодинамічних характеристик системи Si–Al. Утворення кластерів під дією нейтронного опромінення.
автореферат, добавлен 28.07.2014Основні види парамагнітних дефектів в імплантованих шарах оксидів кремнію, плівках SіOx та опроміненому електронами 6H-SіC p-типу. Загальна характеристика спектрів парамагнітних дефектів, утворених внаслідок опромінення кристалів 6H-SіC електронами.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вплив спотворень на величину і поведінку інтегральної відбиваючої здатності. Закономірності дифракції рентгенівських променів на масивних реальних кристалах кремнію для розвитку представлень про вплив структурних спотворень на параметри дифракції.
автореферат, добавлен 23.02.2014Характеристика структурних змін у кристалах кремнію. Визначення параметрів методами опромінення, дифракції та акустичної взаємодії. Дослідження мікродефектів та природного старіння. Аналіз температурного гістерезису внутрішнього тертя і модуля зсуву.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вивчення фізичних властивостей домішкових та дефектних центрів у синтетичних кристалах. Дослідження донорів азоту, закономірностей температурної та концентраційної поведінки карбіду кремнію. Вивчення стрибкового механізму делокалізації електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Дослідження процесів динамічного розсіяння Х-променів у кристалах кремнію, що містять різного типу дислокаційні петлі та бар’єри. Чисельне розв’язування рівнянь Такагі. Вплив деформаційних полів дислокаційних петель на Х-променеву акустичну взаємодію.
автореферат, добавлен 27.07.2014Фізичні механізми фазових перетворень, викликаних зміною структурного стану кисню, що відбуваються при стимульованому створенні кремнієвих нановключень в оксидній матриці і на початковому етапі термічного окислення кремнію. Стан кисню в перехідному шарі.
автореферат, добавлен 01.08.2014Дослідження спектрального розподілу фотолюмінесцеції в залежності від їх кристалографічної орієнтації. Структура головного піка фотолюмінесцеції. Перерозподіл інтенсивності окремих складових піка у поляризованому світлі залежно від орієнтації зразків.
статья, добавлен 30.01.2016Особливості дефектоутворення у вихідному монокристалічному та епітаксіальному кремнію. Аналіз причин деградації параметрів кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних систем. Огляд механізмів впливу дефектів на електрофізичні характеристики струму.
автореферат, добавлен 14.07.2015Комплексне теоретичне та експериментальне дослідження структурних і електрофізичних характеристик багатофазних шаруватих систем на основі кремнію, а також впливу віддзеркалювальних шарів на властивості фотоперетворювальних і транзисторних композицій.
автореферат, добавлен 23.11.2013Параметри кремнію, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Підвищення радіаційної стійкості кремнію. Легування ізовалентними домішками. Вплив попереднього опромінення зарядженими частинками.
статья, добавлен 07.10.2013Дослідження впливу ультразвукової обробки на перебудову радіаційних дефектів у бездислокаційних кристалах кремнію n-типу з високою концентрацією кисню, опромінених квантами. Теоретичний аналіз температурних залежностей концентрації та рухливості.
статья, добавлен 08.10.2013Аналіз властивостей і особливостей структуроутворення композиційного матеріалу алмаз-SiC під час виготовлення композита з оптимальною мікроструктурою. Залежність рівня псевдомакронапружень і мікронапружень від концентрації карбіду кремнію в композиті.
автореферат, добавлен 22.07.2014Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.08.2014