Структурні i люмiнесцентнi властивості поруватого кремнiю, отриманого методом анодного електрохiмiчного травлення
Вплив кристалографічної орієнтації монокристалічного кремнію на квантовий вихід фотолюмінесценції поруватого кремнію в процесі анодизації. Механізми струмопереносу та випромінювальної рекомбінації. Особливості характеристик електролюмінесценції.
Подобные документы
Аналіз оптичних, електричних і структурних властивостей широкозонних шарів. Особливості механізмів випромінювальної рекомбінації у тонких шарах широкозонних напівпровідників, зумовлених енергетичною структурою дозволених зон та дефектної підсистеми.
автореферат, добавлен 29.09.2015Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014Дослідження довгочасової кінетики фотолюмінесценції у нерегулярних по товщині кремнієвих квантових дротинах і квантових точках. Визначення фосфоресценції, аномально малої величини бекерелевого показника згасання, немонотонності температурної залежності.
автореферат, добавлен 30.10.2015Розробка пристроїв для реалізації схеми двокристального спектрометру. Оцінка структурних змін і параметрів можливих дефектів в імплантованих фосфором приповерхневих шарах пористого кремнію. Дослідження будови поверхні методом атомно-силової мікроскопії.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вплив оболонки мікрогранул на характеристики люмінесценції. Виявлення механізмів фото- та електролюмінесценції. Формування енергетичних зон на основі сульфіду цинку. Причини та механізми деградації. Підвищення температурної та часової стабільності.
автореферат, добавлен 29.08.2015Аналіз і наукове обґрунтування методологічних і теоретичних засад математичного моделювання розподілу домішок при вирощуванні монокристала кремнію в умовах протікання фізичних процесів. Розробка алгоритмів розв’язання розроблених математичних моделей.
автореферат, добавлен 26.08.2015Аналіз фізичних процесів, які визначають кінетику згасання фотолюмінесценції нанокремнію в широкому часовому діапазоні. Розробка моделі опису міграції електронних збуджень у нерегулярних по товщині кремнієвих квантових дротинах і квантових точках.
автореферат, добавлен 27.08.2014Розробка магнітної системи для транспортування позитронів і введення їх у процес прискорення. Створення механізму радіаційно-індукованої аморфізації і радіаційно-стимульованого гідрогенування монокристалічного кремнію за допомогою пучкових технологій.
автореферат, добавлен 29.04.2014Вивчення механізмів дефектоутворення в кристалічному і аморфному кремнії та зміна його фотоелектричних властивостей під впливом гамма-опромінення, іонної імплантації та гідрогенізації матеріалу. Коефіцієнти квазіхімічних реакцій моделей дефектоутворення.
автореферат, добавлен 25.02.2014Порівняння властивостей дефектів у нанокристалічному кремнії, що має різний вміст кристалічної фази. Дослідження технологічних особливостей процесу утворення нових парамагнітних станів у матеріалі після низькотемпературного електронного опромінення.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розробка моделі для опису міграції електронних збуджень у нерегулярних по товщині кремнієвих квантових дротинах (КД) і квантових точках (КТ), яка б з єдиних позицій пояснювала природу виявлених експериментально особливостей кінетики згасання ФЛ.
автореферат, добавлен 27.08.2014Фізичні процеси, які виникають на межі поділу контактів Ti (Ni) – n-SiC, які традиційно використовуються, а також TiBx (ZrBx) – n-SiC, під час активних впливів. Розробка терморегулюючого пристрою на діапазон температур 77–1000 К, його структура.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 63. Природа люмінесценції та процеси старіння структур з кремнієвими наночастинками в оксидній матриці
Вплив високотемпературного відпалу на хімічний склад, структуру та ФЛ-властивості шарів SiOx. Встановлення природи свічення ряду систем, що містять нанокристаліти кремнію (шари). Порівняння стабільності досліджених низьковимірних кремнієвих систем.
автореферат, добавлен 25.02.2015 Вивчення методами мас-спектрометрії кремнієвих поверхонь мультикристалічних підкладок до і після електрохімічного травлення з використанням складної органічної сполуки. Дослідження поверхні мультикристалічної підкладки мас-спектроскопією вторинних іонів.
статья, добавлен 30.10.2016Особливість вивчення насичених воднем гідрогенізованих поверхонь кремнієвих мультикристалічних підкладок типу Baysix з пористим кремнієм, за допомогою методів мас-спектрометрії. Аналіз визначення кількості гідрогену в динамічному режимі травлення.
статья, добавлен 29.01.2016Характеристика механізмів спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках через локалізовані електронні пари та через збуджені триплетні стани точкових дефектів. Врахування надтонкого поля в квантовій теорії електрично детектованого магнітного резонансу.
автореферат, добавлен 21.11.2013Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015Вплив легування різними концентраціями активних домішок на деякі оптичні, електричні і термоелектричні властивості керамік. Моделі, які пояснюють природу центрів люмінесценції в ZnSe і механізми впливу на структурні дефекти легуючих домішок літію і міді.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження рівноважних характеристик монокристалічного CdTe:V, вирощеного методом Бріджмена, при двох концентраціях домішки у розплаві см-3 та різних режимах охолодження злитків. Встановлення залежності властивостей кристалів від швидкості охолодження.
статья, добавлен 30.10.2016Формування вимог до створюваних первинних перетворювачів та дослідження характеристики існуючих фотодіодів на основі кремнію, вимірювання енергетичних характеристик оптичного випромінення. Лінійність енергетичних характеристик в діапазоні освітленостей.
статья, добавлен 29.07.2016Способи створення омічних і випростовуючих контактів, параметри та властивості базових підкладинок. Особливості міжзонної та екситонної рекомбінації у дифузійних шарах II-VI напівпровідників. Випромінювальна рекомбінація простих та асоціативних центрів.
автореферат, добавлен 29.09.2014Дослідження властивостей тонких багатокомпонентних плівок: епітаксійних плівок SiGe, Si-Ge-С, отриманих методом плазмохімічного осадження. Введення вуглецю в процесі іонної імплантації і його вплив на рівень механічних напружень в епітаксійних структурах.
автореферат, добавлен 20.04.2014Вплив різних типів димеризації на структурні і термодинамічні властивості водних розчинів поліелектролітів, характеристика та сутність рівноваги Донана. Дослідження впливу заряду катіона на структурні та динамічні властивості його гідратної оболонки.
автореферат, добавлен 25.08.2014Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014