Электрические и люминесцентные свойства полупроводниковых нанокристаллов на основе халькогенидов кадмия
Определение подвижности носителей заряда в системе, состоящей из органической матрицы на основе поливинилкарбазола, легированной сферическими нанокристаллами (СНК). Исследование фотолюминесценции СНК CdSe/CdS, помещенных в трехмерный фотонный кристалл.
Подобные документы
Понятие удельного заряда частицы. Определение силы Лоренца с помощью правил левой руки. Особенности движения частицы по спирали. Теория метода определения заряда электрона. Описание экспериментальной установки для определения удельного заряда электрона.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2015Электрические характеристики, параметры электровакуумных приборов, электронных устройств. Полупроводниковые диоды, электронные схемы на их основе. Обратные связи в операционных усилителях. Импульсные электронные генераторы на базе операционных усилителей.
презентация, добавлен 03.01.2018Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013Изучение задачи о собственных колебаниях резонатора на основе электромагнитного кристалла в виде решетки металлических цилиндров с управляемыми емкостными элементами, расположенной внутри плоского волновода. Анализ спектра собственных частот и колебаний.
статья, добавлен 05.11.2018Метод получения термостабильной компоненты инжекционно стимулированного отрицательного заряда в МДП-структурах. Особенности влияния электронного облучения заряда, локальных неоднородностей МДП-структур на процессы. Способ изготовления МДП-приборов.
автореферат, добавлен 31.03.2018Исследование фазового состава пленок сплавов на основе железа и кобальта, выращенных магнетронным и вакуумным напылением. Влияние термообработок на метастабильные состояния и магнитные свойства пленок металлов. Особенности атомного упорядочения веществ.
автореферат, добавлен 02.03.2018Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
реферат, добавлен 23.12.2015- 83. Моделирование распространения электромагнитных волн в двумерном фотонно-кристаллическом волноводе
Особенность распространения электромагнитных волн в фотонном кристалле. Исследование моделирования распределения света через исследуемый фотонно-кристаллический волновод. Основная характеристика продвижения поля и его интенсивности в волноводном изгибе.
статья, добавлен 29.11.2016 Исследование диэлектрической проницаемости и потерь изолирующих материалов, помещенных в твёрдое поле с применением метода вариации активной проводимости. Расчет параметров диэлектриков. Свойства и применение фторопластов, оргстекла, эбонитов, винипласта.
лабораторная работа, добавлен 09.03.2018Описание фотодиодов, принцип работы и электрические характеристики устройства. Анализ фотодиодов на основе гетероперехода. Виртуальный инструмент для управления экспериментальной установкой: программное обеспечение LabVIEW, монохроматор ML 44 LabVIEW.
дипломная работа, добавлен 14.09.2018Выявление и обоснование физических закономерностей и особенностей технологических методов обработки нелинейно-оптических кристаллов и создание на их основе высокоэффективных параметрических генераторов света ближнего и среднего инфракрасного диапазона.
автореферат, добавлен 03.02.2018Исследование возможностей оптимизации одномерного Рамановского усилителя оптических сигналов для увеличения коэффициента усиления проходящих и отраженных сигналов. Осуществление проверки эффективности увеличения активной среды фотонных кристаллов.
статья, добавлен 29.06.2017Изучение температурных зависимостей удельной электропроводности, общей теплопроводности, холловской подвижности носителей зарядов, магнитного сопротивления соединения CuGa2InTe5. Описание механизмов рассеяния электронов и фононов в его кристаллах.
статья, добавлен 06.03.2018Пути создания малогабаритных оптических стандартов частоты на основе Nd:YAG/I2 лазера. Анализ возможности загрузки одиночного атома в наноразмерную полость. Использование кристаллов с дефектом решетки для хранения в дефекте охлажденных молекул йода.
статья, добавлен 01.03.2017Исследование по определению электрофизических свойств полимерных композиций на основе поливинилхлорида (ПВХ). Влияние ингредиентов на технологические свойства ПВХ композиций. Отличия электрофизических свойств изоляции в зависимости от водопоглощения.
статья, добавлен 06.02.2017- 91. Время релаксации
Рекомбинация – это переход электрона из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара свободных носителей. Основные механизмы генерации носителей заряда по типам электронных переходов. Максвелловское время релаксации, понятие и вид.
курсовая работа, добавлен 23.09.2020 Рассмотрение вопроса поглощения электромагнитных волн СВЧ диапазона материалами, выполненными на основе красной глины, красной глины и наполнителя. Описание поглощения электромагнитных волн шарами, параметры шаров из керамики. Динамика разогрева шаров.
статья, добавлен 11.03.2019Повышение качества гетероструктур и микроэлектронных приборов на их основе. Наличие примесей и нарушений кристаллической структуры в слоях. Приборы с зарядовой связью на основе гетероструктур, основные факторы, определяющие их высокочастотные свойства.
реферат, добавлен 01.08.2009Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
реферат, добавлен 30.10.2014Сведения о фотонных кристаллах. Обзор закономерностей движения квантовой частицы в периодическом потенциале. Эффект Фредерикса в жидкокристаллических структурах. Теория фотонных запрещенных зон. Диэлектрическая проницаемость кристаллов в пространстве.
курсовая работа, добавлен 26.12.2017Характеристика алгоритма отделения кристаллов алмаза от породы (обогащения) на основе анализа рентгеновских снимков. Суть отличия коэффициента пропускания рентгеновского излучения кристаллами алмаза от коэффициента пропускания сопутствующей породы.
статья, добавлен 07.12.2018Обоснование необходимости, значение поиска и исследования новых полупроводниковых материалов, отвечающих современным требованиям. Место двойных, тройных и более сложных халькогенидов среди обширного класса соединений с участием редкоземельных материалов.
статья, добавлен 22.02.2023Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.
лекция, добавлен 23.09.2017Краткое ознакомление с активными и пассивными элементами, изменяющими электрические сигналы в цепях. Определение независимых источников тока. Характеристики полупроводниковых приборов, использующихся в промышленности. Диодная структура тиристоров.
реферат, добавлен 01.06.2015