Электрические и люминесцентные свойства полупроводниковых нанокристаллов на основе халькогенидов кадмия
Определение подвижности носителей заряда в системе, состоящей из органической матрицы на основе поливинилкарбазола, легированной сферическими нанокристаллами (СНК). Исследование фотолюминесценции СНК CdSe/CdS, помещенных в трехмерный фотонный кристалл.
Подобные документы
Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015Характер влияния неравновесности транспорта на температурно-полевую зависимость подвижности носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Роль полимерной матрицы в формировании кривых переходного тока, измеренных индуцированным методом.
дипломная работа, добавлен 28.12.2016Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Характеристика, возникновения гальваномагнитных явлений - эффектов Холла, Эттингсгаузена, термомагнитных – Риги-Ледюка, Нернста-Эттингсгаузена. Процесс накопления носителей заряда. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике.
методичка, добавлен 26.05.2015Синтез лазерного стеклокристаллического материала с нанокристаллами оксида цинка, легированного ионами двухвалентного кобальта для пассивной модуляции добротности эрбиевых лазеров. Исследование его структурных, спектроскопических и оптических свойств.
статья, добавлен 07.12.2018Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
лабораторная работа, добавлен 29.11.2010Технология нанесения коллоидных квантовых точек в относительно толстые слои на стеклянной подложке. Экспериментальные характеристики спектров фотолюминесценции. Плазменное отражение коллоидных квантовых точек CdSe, PbS, GaAs на стеклянной подложке.
статья, добавлен 18.09.2018Механизмы взаимосвязи магнитных и электрических свойств исследуемых материалов при изменении температуры, магнитного поля и концентрации носителей заряда. Анализ свойств на основе конфигурационной многоэлектронной модели энергетической структуры.
автореферат, добавлен 02.03.2018Физические свойства нанокристаллов, их изучение науками: кристаллография, кристаллооптика, кристаллохимия. Методы выращивания неорганических и органических нанокристаллов. Применение кристаллических наночастиц в радиоэлектронике, вычислительной технике.
реферат, добавлен 16.11.2012- 10. Диэлектрики
Определение концентрации носителей заряда в диэлектриках - веществах, не проводящих электрический ток. Влияние температуры, давления и напряженности поля на активные диэлектрики. Свойства электретов и жидких кристаллов. Материалы твердотельных лазеров.
реферат, добавлен 21.07.2013 Обсуждаются условия помещения одиночных атомов или ионов в дефекты фотонных кристаллов, в которых с помощью локальных полей атомы удерживаются от взаимодействия с поверхностью твердых тел. Использование фотонных кристаллов в качестве матрицы для атомов.
статья, добавлен 19.06.2018Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Характеристики и свойства наноструктур. Исследование поведения электронов при взаимодействии с наноматериалами. Условия возникновения кулоновских сил. Квантовое ограничение, интерференция и баллистический транспорт. Анализ рассеяния носителей заряда.
реферат, добавлен 22.01.2017Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.
методичка, добавлен 25.12.2012Изучение оптических свойств монокристаллов. Преимущества применения халькогенидов редкоземельных элементов в квантовой электронике. Исследование коэффициента теплопроводности материалов на основе полуторных сульфидов и теллуридов лантана, празеодима.
статья, добавлен 07.12.2018Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.
отчет по практике, добавлен 04.10.2019Электрические свойства кристаллов. Классическая электронная теория электропроводности металлов. Классификация проводниковых материалов. Электропроводность полупроводников, сверхпроводимость и ее природа. Специфика применения квантовой электроники.
реферат, добавлен 16.10.2013Рекомбинация неравновесных носителей заряда, фотопроводимость. Определение среднего времени жизни неравновесных носителей заряда. Тип примесных центров, их концентрация в объеме и на поверхности пластины. Освещение фоторезистора пульсирующим светом.
реферат, добавлен 22.11.2015Анализ результатов исследований и разработок фотодиодов и матричных фотоприёмников на основе твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Характеристика структуры, топологии и параметров фотодиодных матриц. Электрические схемы кремниевых мультиплексоров.
статья, добавлен 23.06.2013Рассмотрение способов и основных этапов создания инжекционных лазеров. Знакомство с особенностями влияния состава на люминесцентные свойства твердых растворов в системе SIС-ALN. Характеристика методики получения эпитаксиальных слоев твердых растворов.
статья, добавлен 02.02.2020Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.
контрольная работа, добавлен 18.10.2014Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
лекция, добавлен 04.12.2018Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном проводнике, концентрации вырождения донорной примеси. Определение равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока, толщины пространственного заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2015