Отримання структур з квантовими ямами, гетероструктур та тонких плівок напівпровідників А4В6, та дослідження їх фізичних властивостей
Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
Подобные документы
Встановлення фізичних закономірностей формування аморфної та мікрокристалічної структури в плівках Со-Р, отриманих при імпульсному електроосадженні. Встановлення залежності хімічних властивостей плівок Со-Р від структури та режимів імпульсного струму.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження структурних факторів, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів, характеристика їх відклику на зовнішні збурення такі як деформації та дефекти. Встановлення аспектів формування зонного спектру кристалу CdSb.
автореферат, добавлен 29.09.2015Дослідження електрофізичних властивостей структур на основі поруватого кремнію і паладію при сорбції, накопиченні та виділенні водню з точки зору їх застосування як сенсорів і твердотільних джерел Н2. Оцінка інтенсивності виділення та виходу водню.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників. Виникнення квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях. Зміни енергетичного спектру електронів та оптичної провідності кристалів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Особливості метастабільної фази некристалічних халькогенідних напівпровідників. Аналіз зміни атомної структури миш’яку та сурми під дією зовнішніх чинників, вивчення їх властивостей. Розробка і оптимізація параметрів елементів оптоелектронних систем.
автореферат, добавлен 29.09.2014Встановлення зв'язку між параметрами йонної імплантації, зміною оптичних властивостей та приповерхневої структури систем "тонка металева плівка-піроелектрик". Методика розробки високоефективних піроелектричних приймачів інфрачервоного випромінювання.
автореферат, добавлен 30.07.2015Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010Установка для вивчення температурної залежності електропровідності напівпровідників. Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Формула енергії активації. Коефіцієнт температурної чутливості терморезистора.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Pозробка фізико-математичних моделей та аналіз термодинаміки процесу нітридизації GaAs. Дослідження морфології, фотолюмінесцентних та структурних властивостей нанопоруватих підкладок. Створення гетероструктур на основі монокристалічних і поруватих сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження поведінки ряду антиферомагнетиків з різними типами симетрії під час спінової переорієнтації, що відбувається під дією зовнішнього магнітного поля. Визначення зовнішніх параметрів орієнтаційного фазового переходу, його роду та типу структур.
автореферат, добавлен 24.02.2014Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Вивчення поведінки резонансних і магнітних властивостей в магнетиках, магнітні іони яких знаходяться в основному S-стані. Дослідження електронного парамагнітного резонансу рідкісноземельного некрамерсового іона Tb3+ в сполуці подвійного вольфрамату.
автореферат, добавлен 30.08.2014Фазовий склад і кристалічна будова плівок алюмінію, дослідження їх структурних характеристик і температурної залежності від електрофізичних властивостей. Розрахунок параметрів електроперенесення за лінеарізованою та ізотропною моделями Ательє і Тоссе.
статья, добавлен 23.10.2010Теоретичне дослідження та аналіз температурної залежності питомого опору і температурного коефіцієнта опору двошарових плівок Ni/Cr, Ti/Cu та Al/Ni як у процесі термостабілізації електрофізичних властивостей, так і після завершення твердофазних реакцій.
статья, добавлен 26.10.2010Закономірності оствальдівського дозрівання (коалесценції) дисперсних фаз у металевих сплавах і наноструктур в гетеросистемах з квантовими точками, в умовах дислокаційної дифузії. Вплив можливого порушення когерентності на характер розподілу за розмірами.
автореферат, добавлен 06.07.2014Встановлення фізичних закономірностей технології виготовлення нових фоточутливих елементів і інтерференційно-абсорбційних фільтрів. Дослідження залежності фотоелектричних електричних властивостей фоточутливих елементів на основі гетеропереходів сполук.
автореферат, добавлен 25.06.2014Дослідження фізичних властивостей напівпровідникового діода шляхом зняття вольт-амперної характеристики та знаходження коефіцієнта випрямлення. Обчислення статичного опору для прямого і зворотного напряму при різних значеннях прикладеної напруги.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Дослідження процесів рафінування танталу фізичними методами. Одержання чистого танталу та дослідження його властивостей. Аналіз поведінки домішок при рафінуванні танталу. Вплив параметрів рафінування і чистоти вихідного металу на властивості танталу.
автореферат, добавлен 18.11.2013Встановлення основних закономірностей впливу технологічних режимів напилення і температурної обробки на фізичні параметри та оптичні характеристики (питомий опір) твердих розчинів диселеніду індію та галію, а також прозорих провідних оксидів металів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014Розробка методики для контролю геометричного стану слабкорельєфної поверхні підкладинок методом багатокутової еліпсометрії. Дослідження чутливості еліпсометричного методу до визначення геометричних і оптичних параметрів квантово-розмірних структур.
автореферат, добавлен 23.02.2014Закономірності впливу структури, умов вирощування і зовнішніх факторів (термічного відпалу, радіаційного опромінення, легування) на термоелектричні характеристики плівок телуриду свинцю та їх аналогів. Методика вимірювання теплопровідності тонких плівок.
автореферат, добавлен 11.11.2013Оптимальні режими дифузії для створення легованих оловом шарів II–VI сполук, дослідження їх електричних, фотоелектричних, структурних та оптичних властивостей. Спільні та відмінні риси характеру фізичних процесів у шарах, які зумовлені домішкою олова.
автореферат, добавлен 29.08.2015Встановлення ролі механізмів поглинання ІЧ випромінювання у вузькощілинному кадмій–ртуть-телур та їх впливу на спектральні характеристики чутливості багатоелементних структур. Застосування методів нелінійної оптики для контролю складу зразків КРТ.
автореферат, добавлен 28.08.2015