Отримання структур з квантовими ямами, гетероструктур та тонких плівок напівпровідників А4В6, та дослідження їх фізичних властивостей
Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
Подобные документы
Разработка технологии выращивания гетероструктур и структур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гибридная микросборка матричных фотоприёмных модулей. Описание кремниевого мультиплексора с кадровой частотой считывания изображения.
статья, добавлен 23.06.2013Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Дослідження закономірностей температурної залежності електропровідності напівпровідників. Визначення ширини забороненої зони та деяких параметрів напівпровідників. Аналіз залежності опору термістора від температури. Практичні застосування термісторів.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Моделі для реалізації методу математичного планування і оптимізації багатофакторного експерименту у способі вирощування тонких плівок з парової фази методом гарячої стінки. Експериментальні дослідження структури і електричних властивостей тонких плівок.
автореферат, добавлен 23.11.2013Встановлення оптимальних умов отримання діркової провідності у кристалах селеніду цинку при їх легуванні елементами І та V груп. Комплексне дослідження основних фізичних властивостей виготовлених зразків та вивчення можливостей практичного використання.
автореферат, добавлен 10.01.2014Дослідження релаксації фотофізичних властивостей в плівках аморфних органічних напівпровідникових полімерів. Встановлення спектроскопії інфрачервоного поглинання, змін коливної структури аморфних молекулярних напівпровідників та допуючих їх фулеренів С60.
автореферат, добавлен 29.08.2015Встановлення взаємозв'язку структури алмазних та алмазоподібних вуглецевих плівок з умовами осадження. Дослідження фоточутливості отриманих гетеропереходів в ультрафіолетовій області випромінювання. Практичне використання плівок в оптоелектроніці.
автореферат, добавлен 22.04.2014Термодинамічний аналіз термічного і фототермічного окислення сполук АIIBVI. Вивчення фізичних властивостей оксидних шарів. Дослідження оптичних, механічних та електрооптичних властивостей монокристалів. Обґрунтування напрямків фазового синхронізму.
автореферат, добавлен 22.06.2014Удосконалення методик отримання плівок металів із відтворюваними структурою та електрофізичними властивостями. Дослідження закономірностей змін електричних властивостей тонких плівок під впливом поверхневого і зерномежового розсіювання носіїв струму.
автореферат, добавлен 05.08.2014Дослідження структури та електрофізичних властивостей, ефекту Холла та магнітоопору в тонких магнітних плівках сплаву. Метод електронно-променевого випаровування, який застосовується при виготовленні плівок. Дослідження кристалічної структури зразків.
статья, добавлен 23.10.2010Аналіз оптичних, електричних і структурних властивостей широкозонних шарів. Особливості механізмів випромінювальної рекомбінації у тонких шарах широкозонних напівпровідників, зумовлених енергетичною структурою дозволених зон та дефектної підсистеми.
автореферат, добавлен 29.09.2015Особливості фотовольтаїчних властивостей та методи оптимізації фоточутливості анізотипних органічних гетероструктурах, встановлення зв'язку енергетичної структури з експериментальними значеннями фото-ерс. Оцінка можливості використання цих структур.
автореферат, добавлен 29.08.2015Аналіз електрокінетичних і магнетних властивостей нелегованих інтерметалічних напівпровідників у температурному інтервалі 4,2-460 К і впливу на них значних концентрацій домішок. Механізми електропровідності нелегованих інтерметалічних напівпровідників.
автореферат, добавлен 14.09.2015Дослідження структурних і фізичних властивостей органічних полімерних матеріалів для фоточутливих та світловипромінюючих середовищ. Встановлення критеріїв вибору компонентів композиції та створення функціональних середовищ. Отримання полімерних плівок.
автореферат, добавлен 06.07.2014Фазовий склад і структура плівок, вирощених із парової фази. Механізми деградації електричних властивостей плівки. Встановлення залежності типу провідності і концентрації носіїв струму. Аналіз профілів властивостей плівок різної структурної досконалості.
автореферат, добавлен 14.07.2015Встановлення основних закономірностей впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники та границі розділу на їх основі. Вивчення можливості управління дефектною структурою та цілеспрямованої модифікації властивостей цих напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.06.2014Одержання методом реактивного магнетронного розпилення плівок різних фаз оксиду. Дослідження будови та мікроструктури плівок Bi2O3 за допомогою рентгенофазового аналізу, оптичної та електроннооптичної мікроскопії і специфіка їх температурної стабільності.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження властивостей тонких багатокомпонентних плівок: епітаксійних плівок SiGe, Si-Ge-С, отриманих методом плазмохімічного осадження. Введення вуглецю в процесі іонної імплантації і його вплив на рівень механічних напружень в епітаксійних структурах.
автореферат, добавлен 20.04.2014Дослідження структурних і фізичних властивостей реактивно-магнетронно розпилених плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, в залежності від вмісту азоту в розпилювальній плазмі. Взаємозв’язок між фізико-технологічними параметрами розпилення і властивостями тонких плівок.
автореферат, добавлен 30.10.2015Дослідження кінетики електричних характеристик p-n переходів в атмосфері при різних температурах. Зміни фотоелектричних властивостей структур при адсорбційних процесах, вплив парів аміаку на макрофізичні характеристики оксидного шару напівпровідника.
автореферат, добавлен 27.07.2014Вибір оптимальної технології виготовлення шарів оксиду цинку, дослідження їх основних фізичних властивостей та можливостей практичного використання. Особливості структурних, електричних, оптичних і люмінесцентних властивостей гетерошарів оксиду цинку.
автореферат, добавлен 25.07.2015Ознайомлення з методами побудови тришарової моделі для тонких металічних плівок з врахуванням верхнього перехідного шару між плівкою і повітрям. Дослідження та аналіз тришарових тонкоплівкових структур із використанням методів спектроеліпсометрії.
автореферат, добавлен 30.07.2015Визначення топології енергетичного спектра шаруватих напівпровідників гексагональної симетрії. Пошук актуальних позицій Викофа. Аналіз термодинамічної стабільності системи залежно від концентрації інтеркалянта. Основи розподілу електронної густини.
автореферат, добавлен 20.07.2015Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014