Вольт-емкостные характеристики гетероструктур

Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.

Подобные документы

  • Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.

    лекция, добавлен 01.09.2013

  • Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.

    реферат, добавлен 16.10.2017

  • Производственный процесс по изготовлению транзисторов, диодов, микросхем, процессоров, микроконтроллеров. Технологические и контрольные операции при производстве полупроводниковых изделий. Использование фотолитографии и литографического оборудования.

    презентация, добавлен 21.03.2022

  • Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.

    курсовая работа, добавлен 24.04.2017

  • Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.

    реферат, добавлен 21.07.2013

  • Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.

    курс лекций, добавлен 04.03.2017

  • Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.

    лабораторная работа, добавлен 28.06.2015

  • Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.

    контрольная работа, добавлен 19.04.2014

  • Вольт-амперная характеристика диода. Применение двухполупериодного выпрямителя. Фильтры в источниках питания. Расщепление напряжения питания. Схема выпрямителей с умножением напряжения. Пример использования диодов. Индуктивные нагрузки и диодная защита.

    лекция, добавлен 09.12.2013

  • Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.

    курсовая работа, добавлен 13.11.2013

  • Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов. Определение источников полупроводникового диода и физических процессов происходящих в нем. Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 10.05.2016

  • История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.

    реферат, добавлен 15.04.2010

  • Полупроводниковый диод как полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами: рассмотрение типов, знакомство с принципом устройства. Знакомство с особенностями применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.

    курсовая работа, добавлен 23.03.2016

  • Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.

    реферат, добавлен 02.08.2009

  • Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.

    методичка, добавлен 30.10.2015

  • Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.

    презентация, добавлен 31.10.2020

  • Характеристика и распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Использование одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера. Создание нового поколения резонансно-туннельных диодов.

    статья, добавлен 23.01.2018

  • Маркировка резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных микросхем. Определение, классификация, основные характеристики и параметры усилителей. Рассмотрение влияния обратных связей на характеристики и параметры усилителя.

    шпаргалка, добавлен 01.10.2017

  • Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.

    реферат, добавлен 03.06.2014

  • Изучение принципа динамического управления электронным потоком и его применения в приборах СВЧ. Исследование характеристик и параметров ЛБВ-О. Изучение устройства детекторных и смесительных диодов СВЧ. Характеристики квантовых парамагнитных усилителей.

    контрольная работа, добавлен 27.03.2012

  • Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.

    реферат, добавлен 24.11.2015

  • Конструктивно-технологические ограничения в структуре лавинного фотодиода для режима счета фотонов. Ударная ионизация и лавинное умножение в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Динамика токовых импульсов с учетом латеральной неоднородности.

    статья, добавлен 29.05.2017

  • Общее представление о науке электронике. Типология электропроводности и вольтамперные характеристики движения тока. Определение электрической проводимости и свойств диодов. Основные параметры варикапа. Полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды.

    презентация, добавлен 25.12.2013

  • Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.

    книга, добавлен 07.02.2014

  • Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.

    статья, добавлен 30.04.2018

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.