Вольт-емкостные характеристики гетероструктур

Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.

Подобные документы

  • Транспортные и оптические свойства низкоразмерных материалов наноэлектроники в условиях воздействия сильных электромагнитных полей. Характер вольт-амперных характеристик исследуемых систем. Радиоэлектрический эффект в полупроводниковой сверхрешетке.

    автореферат, добавлен 15.02.2018

  • Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.

    учебное пособие, добавлен 07.05.2014

  • Перемещение массивных или крупногабаритных грузов, точная сварка, покраска и сортировка продукции - основные задачи промышленных роботов. Методика разработки печатной платы. Схема подключения фотоимпульсного датчика. Выбор конденсаторов и диодов.

    курсовая работа, добавлен 31.05.2015

  • Характеристика бесконтактного и люминесцентного методов измерения температуры. Разработка электрической структурной и функциональной схемы. Обоснование выбора микросхем, резисторов, конденсаторов и диодов. Анализ создания трассировки печатной платы.

    дипломная работа, добавлен 24.06.2015

  • Механизм электропроводности в твердых телах. Исследование температурной зависимости удельной проводимости полупроводниковых материалов. Расчет термической ширины запрещенной зоны полупроводников. Определение температурного коэффициента проводимости.

    лабораторная работа, добавлен 30.06.2016

  • Розробка математичних моделей і оцінка ефективності імпедансних елементів керування на базі узагальнених перетворювачів імітансу. Дослідження активних фільтрів на базі двозатворних польових структур Шоттки, придатних для інтегральних технологій.

    автореферат, добавлен 29.09.2015

  • Структурная схема дифференциального инвертора. Идеальная форма колебаний для управления инвертором с внешним возбуждением. Расчет диодов в диодном мосте. Расчет тока через транзисторы. Цепь подключения драйвера. Самотактируемый полумостовой драйвер.

    курсовая работа, добавлен 22.10.2017

  • Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.

    автореферат, добавлен 01.09.2018

  • Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.

    реферат, добавлен 24.04.2017

  • Вивчення впливу низькотемпературного відпалу на спектри ядерного квадрупольного резонансу і характеристики гетерофотодіодів на основі моноселенідів індію та галію. Встановлення оптимального режиму термообробки вихідних матеріалів та їх гетероструктур.

    автореферат, добавлен 20.07.2015

  • Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.

    лекция, добавлен 09.12.2013

  • Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода. Отрицательные обратные связи в уравнении вольт-амперной характеристики вакуумного диода.

    контрольная работа, добавлен 10.05.2015

  • Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.

    лабораторная работа, добавлен 02.01.2023

  • Исследование гальваномагнитных явлений в полупроводниках. Параметры устройств на основе гальваномагнитных явлений и обоснование выбора материалов для их изготовления. Анализ приборов и устройств, использующих гальваномагнитные эффекты в диапазоне СВЧ.

    учебное пособие, добавлен 25.04.2014

  • Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.

    реферат, добавлен 26.03.2011

  • Розробка технології створення мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників, чутливих до дії зовнішніх чинників. Вивчення електрооптичних та бар’єрних характеристик гетероструктур та дисперсних композитів.

    автореферат, добавлен 10.08.2014

  • Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.

    статья, добавлен 06.11.2018

  • Понятие и назначение обмоточных проводов, их классификация и виды, правила маркировки. Материалы, применяемые в изготовлении для обмотки проводов, назначение и сортимент. Технические требования, применяемые к монтажным проводам и силовым кабелям.

    реферат, добавлен 18.06.2015

  • Принцип действия фотодиода. Изучение его световых и спектральных характеристик. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Создание многоэлементных фотоприемников и полупроводниковых приборов. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.

    реферат, добавлен 23.12.2016

  • Сверхпроводимость, ферромагнетизм и эффект Андреевского отражения. Применение гибридных структур в устройствах памяти. Вольт-амперные характеристики и плотности состояний SIFS-контакта. Рассчет зависисмости критического тока от толщины F-слоя в контакте.

    дипломная работа, добавлен 15.09.2018

  • Использование варикапов в качестве конденсатора, емкость которого зависит от величины обратного напряжения. Порядок расчета параметрического стабилизатора напряжения. Назначение стабилизаторов, стабисторов, туннельных и обращенных диодов, транзисторов.

    лекция, добавлен 06.09.2017

  • Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.

    доклад, добавлен 15.10.2011

  • Описание схемы биполярного транзистора с эмиттером и экспериментальное определение его вольт-амперных характеристик при нормальной и повышенной температуре. Измерение показателей и построение графиков входных и выходных параметров биполярного транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 21.07.2013

  • Схематическое построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода и определение его сопротивления. Расчет величины сопротивления ограничительного резистора, параметры его стабилизации. Построение нагрузочной схемы транзистора.

    контрольная работа, добавлен 16.09.2013

  • Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.

    статья, добавлен 08.04.2019

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.