Газова чутливість поверхнево-бар’єрних структур на основі кремнію, арсеніду галію та сульфіду кадмію з надтонкими плівками титану та нікелю
З’ясування можливості використання поверхнево-бар’єрних напівпровідникових структур з надтонкими плівками титану і нікелю як первісних перетворювачів сигналу від оточуючого газового середовища. Встановлення фізичних процесів впливу аміаку і криптону.
Подобные документы
Дослідження фізичних основ щодо способів створення нових структур кремній на ізоляторі та арсенідгалію на ізоляторі різними методами: "DeleCut" (ion irradiated Deleted oxide Out) та "SmartCut" (для усунення недоліку використання базового методу).
статья, добавлен 30.10.2016Аналіз процесів фазової взаємодії в системі In-Ga-Se-O та окислення сполук цієї системи. Розгляд стійкості при термообробці на повітрі півтораселеніду індію і галію в напівпровідниковій системі та їх кристалізація з утворенням моноклінної b-модифікації.
автореферат, добавлен 27.02.2014Розробка наукових основ та перспективних технологій отримання однорідних напівізолюючих нелегованих кристалів арсеніду галію. Створення люмінесцентного методу контролю локального абсолютного вмісту фонових домішок та їх розподілу у сполуках А3В5.
автореферат, добавлен 22.04.2014Побудова теорії резонансної дифракції при падінні на двовимірний поверхнево-плазмонний кристал довільно-поляризованої монохроматичної хвилі під довільним кутом. Дослідження плазмон-поляритонових станів двовимірних поверхнево-плазмонних кристалів.
автореферат, добавлен 05.08.2014Дослідження взаємозв’язку між деформаційними властивостями та кількісними параметрами структури алюмінію, нікелю та жароміцних сталей. Параметри релаксаційного структуроутворення на певних масштабних рівнях в металах після різних засобів навантаження.
автореферат, добавлен 25.02.2015Фактори, які впливають на структуру та основні фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, отриманих реактивним магнетронним розпиленням. Застосування плівок в якості дифузійних бар’єрів в системах металізації до напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Закономірності процесів дефектоутворення в структурах і приладах на основі кремнію. Вивчення впливу вихідних дефектів та механізмів їх трансформації в процесах легування, окислення кремнію і подальших механічних обробок на формування дефектної структури.
автореферат, добавлен 13.08.2015Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.
автореферат, добавлен 29.07.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Фізичні основи роботи піросенсорів. Робота піроелектрика в зовнішніх електричних колах навантаження і підсилення. Методи побудови мікроелектронних перетворювачів теплової потужності у частоту. Методи вимірювання температури на основі піроелектриків.
статья, добавлен 24.12.2018Дослідження впливу міжфазових поверхневих процесів на люмінесценцію нанокристалів сульфіду кадмію. Вплив вологості повітря на рекомбінаційні процеси в нанокристалах. Ефект фотостимуляції короткохвильової смуги випромінювання з довжиною хвилі 480 нм.
статья, добавлен 07.12.2016Встановлення оптимального режиму модифікації катодоактивних речовин літієвих джерел струму на основі діоксиду титану рутильної форми методом рентгеноструктурного аналізу, месбауерівської спектроскопії, електричного імпедансу і електрохімічних вимірювань.
автореферат, добавлен 25.09.2015Перехід промисловості на сучасну елементну базу. Динаміка напівпровідникових перетворювачів електроенергії. Взаємозв'язок між різними змінними кола через відображення на комплексну площину. Природна комутація вентилів. Годограф перехідного процесу.
автореферат, добавлен 23.02.2014Виявлення оптимального методу створення гетеропереходів в системі сульфід-телурид кадмію на основі низькоомних монокристалів CdS. Дослідження електричних, фотоелектричних та дозиметричних характеристик структур у залежності від технології їх виготовлення.
автореферат, добавлен 10.01.2014Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014- 67. Просторовий розподіл та місце локалізації в гратці радіаційних дефектів та домішок інертних газів
Типи радіаційних дефектів і їх просторовий розподіл. Захоплення і утримання дейтерію в сталі при підвищених температурах опромінення. Місце локалізації в гратці монокристала нікелю атомів ксенону і криптону, їх взаємодія з радіаційними дефектами.
автореферат, добавлен 27.07.2015 Специфіка моделювання та експериментальна апробація дії імпульсного лазерного опромінювання на контактах метал-халькогенідного напівпровідника. Створення ефективних детекторів електромагнітного випромінювання з покращеними експлуатаційними параметрами.
автореферат, добавлен 26.02.2015Дослідження структурних і фізичних властивостей реактивно-магнетронно розпилених плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, в залежності від вмісту азоту в розпилювальній плазмі. Взаємозв’язок між фізико-технологічними параметрами розпилення і властивостями тонких плівок.
автореферат, добавлен 30.10.2015- 70. Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи
Дослідження механізмів йонно-стимульованого формування структур з прихованими діелектричними та напівпровідниковими шарами. Вплив на особливості процесів формування і властивості багатошарових структур вуглецю, домішок кисню та механічних напружень.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Способи електрохімічного синтезу графіту інтеркальованого сірчаною кислотою. Аналіз результатів систематичних досліджень процесів кластероутворення міді та нікелю з низькоконцентрованих розчинів в електрохімічних реакторах з дисперсними катодами.
автореферат, добавлен 25.06.2014Дослідження властивостей алмазоподібних плівок вуглецю. Вивчення прихованих шарів карбіду кремнію, синтезованих високодозовою імплантацією вуглецю в монокристалічний кремній. Механізми гетерування домішок та пасивації рекомбінаційно-активних центрів.
автореферат, добавлен 20.04.2014Проведення теоретико-групової класифікації деформаційних ефектів в алмазоподібних напівпровідниках і встановлення на цій основі дозволених фізичних моделей п’єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Теоретичне вивчення п’єзоопору в кремнії та германії.
автореферат, добавлен 05.01.2014Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015