Газова чутливість поверхнево-бар’єрних структур на основі кремнію, арсеніду галію та сульфіду кадмію з надтонкими плівками титану та нікелю
З’ясування можливості використання поверхнево-бар’єрних напівпровідникових структур з надтонкими плівками титану і нікелю як первісних перетворювачів сигналу від оточуючого газового середовища. Встановлення фізичних процесів впливу аміаку і криптону.
Подобные документы
Вивчення електронного транспорту в одно- та двобар'єрних квантових гетероструктурах типу AlxGa1-xN/GaN. Дослідження фізичних явищ, що виникають в умовах сильних магнітних і електричних полів при кріогенних температурах, як особливостей переносу заряду.
автореферат, добавлен 20.07.2015Теоретичне й експериментальне вивчення фотоелектричних характеристик фотоперетворюючої структури на основі кристиалічного кремнію. Збільшення ефективності процесів фотоперетворення в ній в комплексі з прийнятними технологічними витратами на виробництво.
автореферат, добавлен 19.06.2018Встановлення ролі механізмів поглинання ІЧ випромінювання у вузькощілинному кадмій–ртуть-телур та їх впливу на спектральні характеристики чутливості багатоелементних структур. Застосування методів нелінійної оптики для контролю складу зразків КРТ.
автореферат, добавлен 28.08.2015Теоретична оцінка параметрів осадження компонентів пари на підкладку, оптимізація умов напилення шарів. Особливості впливу концентраційного профілю та хімічного складу елементів-модифікаторів на параметри тонкоплівкових структур на основі As2S3.
автореферат, добавлен 22.04.2014Дослідження закономірностей динаміки закипання емульсійних середовищ, кінетики фазових перетворень, подрібнення дисперсної фази емульсії та впливу поверхнево-активних речовин. Розробка технології і устаткування для процесів гідротермічного емульгування.
автореферат, добавлен 27.09.2014Параметри кремнію, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Підвищення радіаційної стійкості кремнію. Легування ізовалентними домішками. Вплив попереднього опромінення зарядженими частинками.
статья, добавлен 07.10.2013Визначення критеріїв конкурентоздатності домінуючих міжзонних і домішкових механізмів рекомбінації в кристалах телуридів кадмію, ртуті в залежності від складу і рівня легування матеріалу. Встановлення процесів природної деградації кристалів КРТ n-типу.
автореферат, добавлен 12.11.2013Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Вирощування монокристалів з використанням парофазного методу та дослідження їх фізичних властивостей. Процеси термічного окиснення на повітрі селеніду індію з різним умістом марганцю. Електрофізичні та фотоелектричні властивості різнотипних структур.
автореферат, добавлен 27.07.2015Удосконалення методів визначення втрат потужності в перетворювальних пристроях, які працюють в різних режимах. Розробка математичної моделі напівпровідникових перетворювачів постійного та змінного струму працюючих в автономних системах електропостачання.
автореферат, добавлен 29.07.2014Розробка та вдосконалення апаратних, програмних засобів для проведення автоматизованих вимірювань спектрів характеристичних втрат енергії електронів. Встановлення відносних кутових залежностей інтенсивностей піків поверхневого та об’ємного плазмонів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Формування поверхневого мікрорельєфу. Автокореляційні властивості поверхневого рельєфу. Розсіяння об'ємних і поверхневих електромагнітних хвиль наночастинками, мембранами і мезопористими діелектричними плівками. Застосування процесів розсіяння світла.
автореферат, добавлен 10.08.2014Вивчення процесів термостимульованого розділення фаз в плівках SiOx, що приводять до формування наночастинок кремнію в оксидній матриці. Дослідження впливу на фотолюмінесценцію характеристики структур Si-SiOx. Плазмова та хімічна обробка плівок.
автореферат, добавлен 28.08.2014Фізичні процеси, які виникають на межі поділу контактів Ti (Ni) – n-SiC, які традиційно використовуються, а також TiBx (ZrBx) – n-SiC, під час активних впливів. Розробка терморегулюючого пристрою на діапазон температур 77–1000 К, його структура.
автореферат, добавлен 28.07.2014Роль часткових дислокацій, що рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення змін фізичних властивостей кристалів сульфіду та селеніду цинку, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.12.2015Встановлення механізму електровідновлення оксидних форм вольфраму, молібдену, нікелю і кобальту. Розробка нових електролітів для нанесення гальванічних покриттів вольфраму та сполук вольфрам-нікель, молібден-нікель (кобальт) на різних металевих основах.
автореферат, добавлен 25.02.2015Вивчення дії механічних напружень підкладки на люмінесцентні властивості сформованого на ній поруватого шару. Дослідження впливу хімічної обробки зразків поруватого кремнію на ефективність їх фотолюмінесценції. Аналіз впливу атмосферного середовища.
автореферат, добавлен 21.11.2013З’ясування можливості використання тонко- і товстоплівкових структур на основі трикомпонентних твердих розчинів Cd1-xZn(Mn)xTe для поглинаючих шарів детекторів іонізуючого випромінювання. Оптимізація люмінесцентних характеристик плівкових базових шарів.
дипломная работа, добавлен 13.01.2020Вивчення застосування явища поверхневого плазмон-поляритонного резонансу в тонких шарах золота та срібла. Вплив оптичних параметрів шаруватої структури на чутливість сенсору та дослідження впливу зовнішнього електричного потенціалу на параметри сенсору.
автореферат, добавлен 27.04.2014Аналіз тривимірної достовірної моделі, в якій моделювання рекристалізації та росту зерна поєднано в рамках наближення Монте-Карло. Доведення впливу текстури на кінетику зросту насіння. Текстурні зміни у промислових сплавах на основі титану і заліза.
автореферат, добавлен 29.08.2014Аналіз стійкості структурного й спінового станів MnAs та MnP при зміні об’єму елементарної комірки. Вивчення впливу аніонного й катіонного заміщень, параметрів кристалічної ґратки на структуру й магнітні характеристики гексагонального арсеніду марганцю.
автореферат, добавлен 14.08.2015Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розробка методів ідентифікації параметрів силової схеми та навантаження напівпровідникових перетворювачів частот. Дослідження аварійних режимів роботи напівпровідникових перетворювачів частоти та розробка методів діагностування їхніх несправностей.
автореферат, добавлен 11.08.2014Особливості утворення гіперонів. Аналіз даних та основні критерії відбору корисного сигналу. Вимірювання диференціальних поперечних перерізів в області від’ємних значень змінної Фейнмана. Визначення загальної ефективності реконструкції гіперонів.
статья, добавлен 03.10.2013- 100. Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів
Дослідження фізичних процесів, що відбуваються в напівпровідникових структурах субмікронних розмірів, розроблення математичної моделі, що включає чисельний розв'язок частинок рівняння Больцмана, Пуассона та теплопровідності з граничними умовами.
автореферат, добавлен 06.07.2014