Гибридные интегральные микросхемы
Использование основных методов создания интегральных микросхем. Навесные безкорпусные полупроводниковые приборы с жесткофиксированной системой выводов. Конструкция безкорпусного транзистора с балочными выводами. Пленочные резисторы и конденсаторы.
Подобные документы
Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
реферат, добавлен 22.03.2013Проблема оптимизации синтеза комбинационных частей цифровых интегральных микросхем. Нахождение функции Гильберта, задание систем частичных булевых функций. Применение разложения Гильберта к задаче синтеза комбинационных блоков интегральных микросхем.
статья, добавлен 19.04.2018Интегральные микросхемы: основные понятия и определения. Технология изготовления аналого-цифровых микросхем. Назначение двухразрядного дешифратора (декодера). Построение его схемы. Синтез шифратора. Преобразователь кода для семисегментного индикатора.
контрольная работа, добавлен 22.05.2016Характеристика микроэлектронных сенсоров, предназначенных для определения температуры подложки интегральных микросхем. Сравнение термосенсоров на основе резистивных, диодных и транзисторных структур. Обзор влияния температуры на параметры полупроводника.
статья, добавлен 02.03.2012Буквенно-цифровой код в основе системы условных обозначений интегральных микросхем отечественного производства. Многофункциональные аналоговые и цифровые устройства, обозначение их элементов и звеньев (матриц, триггеров, резисторов, транзисторов).
лекция, добавлен 30.08.2012Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Конструкция и расчет тонкопленочных конденсаторов. Резонаторы и фильтры на основе МПЛ. Логические ИМС и базовые ячейки. Максимально допустимая относительная погрешность воспроизведения площади конденсатора. Диодное включение интегрального транзистора.
контрольная работа, добавлен 18.05.2013Использование интегральных микросхем в радиоэлектронной аппаратуре. Назначение арифметически-логических интегральных схем. Классификация сумматоров, выбор и обоснование функциональной схемы. Расчет потребления мощности, быстродействия и надежности.
реферат, добавлен 06.03.2010Обратная и прямая импликация, синтез комбинационной схемы КС. Разработка схемы двоично-десятичного сумматора на основе микросхем и логических элементов. Разработка циклического генератора, таблица смены его состояний. Программируемая логическая матрица.
контрольная работа, добавлен 13.01.2015Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Обоснование конструктивно-технологического исполнения гибридной интегральной микросхемы. Проведение конструктивного расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, подбор навесных компонентов. Выбор материала платы, определение ее минимальных размеров.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Результаты патентного исследования по элементам производственно-отопительных котельных и водогрейных котлов. Подготовка микросхем к монтажу на печатные платы, их установка и крепление. Лужение и пайка выводов корпуса микросхемы припоями и флюсами.
реферат, добавлен 20.07.2014Типы цифровых интегральных микросхем, их классификации и особенности работы. Общие сведения и простейшие двоичные счетчики. Сумматоры с параллельным переносом. Применение дешифраторов для программного управления. Реверсивные и программируемые счетчики.
лекция, добавлен 25.06.2013Создание прецизионных резисторов и конденсаторов. Гибридная технология создания интегральных микросхем, работающих в СВЧ диапазоне. Характеристики подложек и резисторов. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 06.11.2017Расчёт тонкоплёночных резисторов и конденсаторов. Определение минимальной толщины диэлектрического слоя и оптимального сопротивления квадрата резистивной плёнки. Выбор материала и транзистора. Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя.
курсовая работа, добавлен 16.08.2014Технология получения керамики. Требования к подложкам микросхем. Конструктивно-технологические особенности толстопленочных интегральных микросхем. Схема процесса изготовления плат тонкопленочных гибридных интегральных схем. Сущность скрайбирования.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Описание технологии изготовления микросхем. Цоколёвка, электрические параметры и предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы. Формовка выводов прямоугольного поперечного сечения. Выбор метода присоединения пайкой. Требования при монтаже сваркой.
курсовая работа, добавлен 19.10.2014Описание устройства и принципа действия биполярного транзистора как трёхполюсного полупроводникового прибора с двумя p-n переходами. Электросвязь и полупроводниковые области биполярного транзистора. Общий активный режим, отсечка и насыщение транзистора.
лекция, добавлен 19.09.2011Проблемы с маркировкой приборов в одинаковых корпусах: пассивные компоненты для поверхностного монтажа, конденсаторы, резисторы и прочее. Требования Международной электротехнической комиссии и использование внутрифирменной цветовой и кодовой маркировки.
лекция, добавлен 30.08.2012Логические микросхемы, использующие структуры металл-окисел-полупроводник. Отличительная особенность серии КР1561 от К561. Логика работы микросхем с идентичными буквенно-цифровыми обозначениями после номера серии. Основные параметры серий микросхем.
доклад, добавлен 07.09.2012Классификация интегральных тензопреобразователей давления. Изучение технологических этапов изготовления интегральных тензопреобразователей. Принципы размещения тензорезисторов на мембранах полупроводниковых интегральных тензопреобразователей давления.
курсовая работа, добавлен 30.07.2015- 72. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Прогнозирование отказов металл-оксид полупроводников интегральных микросхем в период старения в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на основе использования ускоренных испытаний при повышенной температуре. Результаты испытаний.
диссертация, добавлен 02.08.2018 Аналоговые и цифровые микросхемы и операционные усилители. Инвертирующее и неинвертирующее включение. Диаграммы работы компаратора. Схема входного дифференциального каскада и мультивибратора. Реализация источника тока. Применение нелинейных элементов.
реферат, добавлен 01.05.2009История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Проблема прогнозирования надежности радиоэлектронной аппаратуры. Анализ модели прогнозирования интенсивности отказов микросхем с точки зрения возможности разделения интенсивности отказов микросхемы на сумму напряженностей отречений кристалла и корпуса.
статья, добавлен 08.12.2018