Гибридные интегральные микросхемы
Использование основных методов создания интегральных микросхем. Навесные безкорпусные полупроводниковые приборы с жесткофиксированной системой выводов. Конструкция безкорпусного транзистора с балочными выводами. Пленочные резисторы и конденсаторы.
Подобные документы
Алюминий и его сплавы как материал металлизации интегральных схем. Требования, предъявляемые к параметрам металлизации. Контактное сопротивление, качество покрытия ступеньки, размеры пустот, обусловленных напряжениями, и устойчивость к электромиграции.
статья, добавлен 08.04.2019Входное и выходное напряжение. Определение типа транзистора. Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора. Расчет коэффициента обратной связи по напряжению. Вольтамперные характеристики транзистора. Расчет статического коэффициента передачи по току.
контрольная работа, добавлен 13.05.2015Разработка топологии гибридной схемы широкополосного усилителя К174УВ1. Технология гибридных интегральных микросхем. Параметры, определяющие выбор конструкции и материал пленки. Этапы технологического процесса изготовления гибридных интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 24.09.2012Электроника как наука, ее основы и значение. Особенности этапов ее развития, основные открытия и изобретения ученых-физиков. Специфика развития серийного производства интегральных микросхем. Классификация дискретных элементов и интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 09.01.2011Измерение динамических электрических параметров микросхем. Примеры существующих измерительных установок для проверки цифровых интегральных схем. Особенности практической реализации блока коммутации измерительной установки измерительной системы.
дипломная работа, добавлен 06.06.2018Установка электронных компонентов. Дискретные компоненты и микросхемы для поверхностного монтажа. Использование широких проводников платы в качестве дополнительного теплоотвода. Сокращение длины выводов компонентов для уменьшения теплового сопротивления.
лекция, добавлен 25.04.2017- 107. Реверсивные счетчики
Описание основных технических характеристик счетчиков, логического цифрового устройства последовательностного типа, их классификация. Изучение принципа действия современного реверсивного счетчика 564ИЕ14 ЭП серии цифровых интегральных микросхем.
реферат, добавлен 10.12.2014 Осуществление контроля основных параметров микропроцессорных и микроконтроллерных интегральных схем. Основы безопасности при работе с электрическим напряжением. Разработка и проектирование шифраторов и дешифраторов. Устройство ввода-вывода для IBM PС.
отчет по практике, добавлен 28.05.2015Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором, которые используются в глубокоохлаждаемых фотоприемных устройствах. Разработка гибридной таблично-аналитической модели полевого транзистора для электронных симуляторов интегральных схем.
статья, добавлен 30.05.2017Создание электронных узлов, блоков и устройств, выполняющих функцию преобразования, обработки сигнала и накапливания информации. Элементы и задачи интегральных микросхем. Использование полупроводниковых устройств в компьютерной технике и процессорах.
реферат, добавлен 20.11.2018Назначение и характеристики дешифратора, принцип его работы, логические функции. Разработка и реализация микросхемы дешифратора для семисегментного индикатора на 4 информационных входа с использованием микросхем серии КР514ИД1. Выбор элементной базы.
курсовая работа, добавлен 22.11.2013Особенности асинхронных счетчиков и разработка алгоритма работы микросхемы (описание и блок-схема). Временные диаграммы работы микросхемы и функциональная схема устройства. Условно-графическое обозначение и технические характеристики микросхемы.
реферат, добавлен 18.12.2014Полупроводниковый диод как полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами: рассмотрение типов, знакомство с принципом устройства. Знакомство с особенностями применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
курсовая работа, добавлен 23.03.2016Результаты работ по моделированию изменения электропараметров интегральных схем при воздействии ионизирующего излучения. Модели и программное обеспечение для расчета надежности биполярных интегральных микросхем, учитывающие температуру окружающей среды.
статья, добавлен 28.04.2017Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018Изучение основных структур ИМС АЦП и их характеристик. Комплексный контроль статических и динамических параметров. Применение аналого-цифровых преобразователей в различных областях современной науки и техники. Методы контроля интегральных микросхем АЦП.
курсовая работа, добавлен 29.10.2013Рассмотрение новых методов определения интегральных характеристик, основанных на запоминании и сравнении мгновенных значений гармонических сигналов и обеспечивающих сокращение времени измерения. Реализация методов измерения интегральных характеристик.
статья, добавлен 30.08.2018Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.
контрольная работа, добавлен 26.05.2012Характеристика полупроводниковой интегральной микросхемы, методы оценки технологичности ее конструкции. Особенности и достоинства эпитаксиально-планарной технологии. Технологический маршрут изготовления микросхемы. Детальное описание основных операций.
курсовая работа, добавлен 25.12.2012Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления. Устройство и конструкция диффузиозно-сплавного транзистора структуры p–n–p. Включение p–n–p транзистора по схемах общего эмиттера, общей базы и общего коллектора.
реферат, добавлен 29.01.2014Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Изучение работы микросхемы высоковольтного импульсного регулятора автомобильного класса LM5001-Q1, основных особенностей ее применения. Характеристика возможных режимов работы микросхемы, способа управления по току и компенсации наклона кривой тока.
статья, добавлен 29.06.2017Исследование режимов работы транзистора в усилителях, используемых в системах управления производственными процессами. Условия выбора режима работы транзистора. Анализ сведений о типах электронных устройств классов транзисторов и их основных свойствах.
статья, добавлен 21.10.2016- 124. Применение метода токовых графов для схемотехнического проектирования цифровых интегральных схем
Исследование методики схемного проектирования цифровых интегральных схем с применением токовых графов. Преобразование логических функций. Токовый граф логического устройства и его электрическая принципиальная схема. Расчет напряжения питания микросхемы.
контрольная работа, добавлен 22.11.2010 - 125. Оптроны. Часть 1
Принцип действия элементарного оптрона. Характеристики. Разновидности оптронов (транзисторные, диодные, резисторные, тиристорные, с составным транзистором). Технология и конструкции. Оптоэлектронные интегральные микросхемы, тенденции их развития.
лекция, добавлен 17.08.2014