Биполярный транзистор и его устройство
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, разновидность транзистора. В активном режиме работы, транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении, а коллекторный переход смещён в обратном направлении.
Подобные документы
Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Основные способы осуществления исходного режима транзистора. Изменение выходного тока вызванные факторами, действующими при колебаниях температуры окружающей среды. Стабилизация исходного режима. Принципиальная схема каскада с коллекторной стабилизацией.
реферат, добавлен 27.06.2015Зависимости выходного сопротивления кремниевого ДМОП-транзистора от ширины вертикальной высокоомной части стока. Увеличение выходного сопротивления транзистора, ограничение размера транзисторной ячейки при проектировании прибора повышенной мощности.
статья, добавлен 20.07.2018Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.
методичка, добавлен 08.09.2015Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
статья, добавлен 26.10.2016Описание свойства схемы с общим коллектором и составного эмиттерного повторителя, её входное и выходное сопротивления. Порядок измерения сквозного коэффициента усилителя. Эквивалентная схема транзистора. Повторители как усилители с ООС, его задачи.
лабораторная работа, добавлен 21.09.2013Частота как важнейшая характеристика периодических процессов. Знакомство с основными этапами проектирования частотомера, особенности разработки структурной и принципиальной схемы. Общая характеристика полевого транзистора VT1 с изолированным затвором.
дипломная работа, добавлен 27.11.2014Открытие Лосевым электромагнитных колебаний и их усиление в полупроводниковом кристаллическом детекторе. Создание прибора "кристадин" на контактной паре металлического острия и кристалла цинкит. Изучение P-N переходов и серийное производство транзисторов.
реферат, добавлен 02.12.2011Определение мощности рассеиваемой на транзисторе. Расчет выходного сопротивления коллектора. Частотные параметры транзистора и график зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Приращение напряжения на затворе электрической схемы.
контрольная работа, добавлен 16.03.2017Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Представление усилительных каскадов в виде активных линейных четырехполюсников. Низкочастотные дифференциальные характеристики транзистора-четырехполюсника, методы построения его эквивалентных схем с действительными параметрами составляющих элементов.
курсовая работа, добавлен 06.04.2015Анализ параметров идеализированного кремниевого диода, определение его дифференциального сопротивления, построение графика силы тока и прямого напряжения. Принципиальная схема усилителя транзистора с резисторной нагрузкой, расчет его входной мощности.
контрольная работа, добавлен 27.02.2015Сопротивление нагрузки, необходимое для получения высокого коэффициента полезного действия транзистора. Напряжение источника питания для рассматриваемого усилителя. Усилитель мощности с трансформаторным включением нагрузки, выбор его режима работы.
лабораторная работа, добавлен 13.10.2013Определение сопротивления диода постоянному току. Вычисление напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах. Расчет крутизны полевого транзистора. Характеристика второго закона Кирхгофа. Главный анализ схем с использованием операционных усилителей.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Влияние температуры и ионизирующего излучения на характеристики полупроводниковой структуры транзисторов. Анализ системы схемотехнического моделирования LTspice IV. Проектирование вариантов схем источника опорного напряжения с учетом внешних воздействий.
дипломная работа, добавлен 02.09.2018Назначение и параметры устройства. Настройка генератора звуковой частоты. Приставка-вольтметр постоянного тока. Расчёт сопротивлений резисторов. Проверка высокоомных цепей. Подключение истока индикатора. Защита транзистора от возможных перегрузок.
доклад, добавлен 22.01.2014Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Обоснование структурной схемы источника питания. Определение параметров усилительного транзистора. Расчёт стабилизатора, мощности резисторов, импульсного трансформатора, входного выпрямителя и слаживающего фильтра. Выбор типоразмера магнитопровода.
курсовая работа, добавлен 16.10.2017Выбор и расчет элементов, входящих в состав компенсационного стабилизатора. Принцип действия биполярного транзистора. Параметры маломощных стабилитронов. Расчет стабилизатора. Основные элементы сглаживающих фильтров. Выбор диодов и расчет выпрямителя.
курсовая работа, добавлен 10.12.2012Порядок выбора транзистора и напряжения источника питания UП для усилительного транзисторного каскада. Расчет амплитуды напряжения источника сигнала UGm. Характеристика емкости конденсаторов, их номинал. Входное и выходное сопротивления RВХ и RВЫХ.
контрольная работа, добавлен 03.04.2017Академик Ж.И. Алферов о процессах, происходящих в российском естествознании на пороге третьего тысячелетия. Рождение квантовой физики. Открытие Джоном Бардином, Уильямом Шокли и Уолтером Браттейном первого транзистора. Сущность явления сверхпроводимости.
реферат, добавлен 02.04.2012Полная электрическая схема с учетом схемы замещения транзистора. Параметры пассивного четырехполюсника. Комплексно-частотная, амплитудно-частотная и фазочастотная характеристика. Расчет переходной и импульсной характеристики по передаточной функции.
контрольная работа, добавлен 07.08.2013Изучение связи мощности в нагрузке с напряжениями питания. Допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Максимальная амплитуда переменного напряжения на нагрузке у полумостового каскада. Смещение входных характеристик транзисторов.
презентация, добавлен 23.09.2016Изменение напряжения на стоке для обеспечения управления сопротивлением канала в тех же пределах, что и в случае подачи управляющего напряжения на затвор. Статические характеристики полевого транзистора. Характеристика и работа пентодного режима.
реферат, добавлен 19.02.2011Расчет резонансных частот и резонансных сопротивлений. Определение полосы пропускания цепи. Исследование особенностей транзистора с избирательной нагрузкой. Ознакомление с процессом получения нормированных выражений входной и передаточной функции.
курсовая работа, добавлен 23.02.2018