Биполярный транзистор и его устройство
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, разновидность транзистора. В активном режиме работы, транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении, а коллекторный переход смещён в обратном направлении.
Подобные документы
Энергетические зоны примесей и дефектов. Локализация электронных состояний на дефекте структуры. Теория туннельного эффекта. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннелирование электронов в твёрдых телах. Работа квантового транзистора.
контрольная работа, добавлен 23.04.2024Общая характеристика транзистора, имеющего плоскопараллельные электроды большой протяженности, анализ особенностей распределения неосновных носителей заряда в его базе. Анализ причин изменения напряжения коллектора, знакомство с уравнением тока.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Определение диапазона допустимых значений в частотной области используется подход Сешу и Уоксмена. Изучение структурной схемы программного комплекса диагностирования. Нестационарный тепловой режим транзистора, установленного на двух разных радиаторах.
статья, добавлен 08.12.2018Области применения датчиков магнитного поля, приёмники излучения на основе эффекта Зеебека. Ионоселективные полевые транзисторы, их достоинства и недостатки. Магниторезистивные датчики магнитного поля. Конструкция ионоселективного полевого транзистора.
реферат, добавлен 15.12.2015Использование квадратичной модели прибора для анализа цепи с МОП-транзисторами. Возникновение режима насыщения МОП-транзистора с индуцированным каналом, его характеристика. Сопротивление резистора в цепи стока. Сопротивление эквивалентного резистора.
лекция, добавлен 03.03.2017Методы, помогающие в изучении физики в средней школе. Электромеханические аналогии (электромагнитные и механические колебания, волновые процессы, изучение транзистора, электрические цепи, постулаты Бора). Изучение аналогий на факультативах и кружках.
учебное пособие, добавлен 19.03.2010Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.08.2017Ознакомление с классификацией усилителей. Анализ технических характеристик и электрических параметров исследуемого транзистора. Изучение структурной схемы каскада с общим эмиттером. Определение напряжение питания усилителя (по второму закону Киргофа).
контрольная работа, добавлен 07.01.2015Анализ влияния элементов схемы каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, значение индуктивности, частотные, переходные показатели). Методы определения замыкания электрической цепи.
лабораторная работа, добавлен 23.05.2016Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Вибір транзистора та розрахунок режиму роботи вихідного каскаду. Розрахунок необхідного значення глибини зворотного зв'язку. Визначення кількості каскадів підсилювача та вибір транзисторів. Вибір схеми кола підсилення та розрахунок за постійним струмом.
контрольная работа, добавлен 17.05.2016Расчёт максимально допустимой амплитуды напряжения между коллектором и эмиттером транзистора. Определение значения крутизны сквозной характеристики усилителя. Выбор промежуточного каскада по схеме с общим эмиттером, проверка допустимой мощности.
курсовая работа, добавлен 16.10.2017Анализ особенностей источника опорного напряжения, который является составным элементом сложно-функциональных блоков: аналого-цифровых преобразователей и вторичных источников питания. Определение напряжения база-эмиттера биполярного транзистора.
статья, добавлен 29.06.2017Достоинства и недостатки полупроводниковых приборов. Виды проводимости, отрицательный температурный коэффициент электрического сопротивления. Электронно-дырочный переход и нелинейное сопротивление. Выпрямительные диоды малой мощности, силовые диоды.
реферат, добавлен 16.03.2011- 115. Сущность электроники
Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014 Теоретические вычисления зависимости тока от напряжения. Анализ селенового и медно-закисного выпрямителей. Особенность коэффициентов выпрямления, внутреннего сопротивления и полезного действия. Снятие вольтамперных характеристик в прямом направлении.
реферат, добавлен 13.09.2015Методы расчета усилителя мощности низкой частоты. Амплитуда тока выходных транзисторов. Минимальная величина среднего тока, потребляемого от источника питания в каждом плече в режиме заданной выходной мощности. Мощность рассеяния транзисторов VT2 (VT6).
реферат, добавлен 21.10.2017Программируемая лабораторная измерительная система, ее структура и принцип работы. Рекомбинационные потери в биполярных микроэлектронных структурах. Эффекты продольного падения напряжения. Управление моп-транзистором по подложке в подпороговой области.
методичка, добавлен 12.05.2014Теория частотного управления электроприводом, ее содержание и значение, типы: скалярное и векторное. Структура и принцип работы низковольтного преобразователя частоты на IGBT транзисторах. Законы и алгоритмы управления, реализуемые в электроприводе.
контрольная работа, добавлен 11.04.2014Рассмотрение графика одномерной функции плотности вероятности мгновенных значений. Изучение уравнения энергетического спектра гауссовского стационарного процесса. Анализ вольт-амперной характеристики биполярного транзистора амплитудного модулятора.
контрольная работа, добавлен 25.09.2016Устройство и принцип действия транзисторов, сферы использования, физический смысл, принципы действия и внутренняя структура. Классификация и маркировка транзисторов, схема и правила их включения. Общая характеристика, типы, отличительные особенности.
реферат, добавлен 08.03.2014Определение коммутационных процессов в инверторе напряжения при значительном индуктивном рассогласовании и в околорезонансном режиме. Способы определения оптимального тока коммутации силовых транзисторов. Расчетная схема мостового инвертора напряжения.
реферат, добавлен 27.09.2012Рассмотрение структуры и принципа работы низковольтного преобразователя частоты на IGBT транзисторах. Регулирование частоты вращения асинхронного двигателя. Исследование основных технических данных и характеристик тиристорных преобразователей частоты.
курсовая работа, добавлен 05.06.2014Динамика работы выпрямительного агрегата. Расчет схемы замещения, цепи нагрузки подстанции. Измерение, учет и контроль энергии. Защита от перенапряжений. Разработка преобразователя на основе полностью управляемых силовых ключах транзисторов IGBT.
дипломная работа, добавлен 11.01.2015Изучение выпрямительных и сглаживающих устройств, работы усилительного каскада на транзисторе, параметрических и электронных стабилизаторов напряжения. Методические рекомендации к выполнению работ, техника безопасности и требования к оформлению отчета.
лабораторная работа, добавлен 25.02.2014