Електронні і фононні властивості фоточутливих напівпровідникових сполук типу AIBIIICVI2
Дослідження змін електронного спектру в кластерному наближенні кристалів CuInSe2, спричинених заміною в ньому атомом In атомів Ga та Al. Теорія перенормування потенціалу частки багатокомпонентного кристалу при переході до кластера. Ефект Яна-Теллера.
Подобные документы
Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
автореферат, добавлен 22.07.2014Виявлення та дослідження комбінованого впливу електричного поля та механічного напруження на заломлюючі властивості сегнетоелектричних кристалів. Вплив при сегнетоелектричних фазових переходах та сегнетоелектричних-сегнетоеластичних фазових переходах.
автореферат, добавлен 28.08.2014Величина екранування поля спонтанної поляризації, що призводить до збільшення ролі флуктуацій параметру. Температурний гістерезис діелектричної проникності кристалів Li2Ge7O15 при температурі фазового переходу. Частотна дисперсія дебаєвського типу.
автореферат, добавлен 15.11.2013Фактори, які впливають на структуру та основні фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, отриманих реактивним магнетронним розпиленням. Застосування плівок в якості дифузійних бар’єрів в системах металізації до напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження кристалізаційних, структурних, спектроскопічних, люмінесцентних, нелінійно-оптичних, та генераційних властивостей кристалів боратів стронція. Отримання нової хімічної сполуки. Методика вирощування та дослідження структури нових монокристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Виявлення і дослідження зміни мікромеханічних, електрофізичних характеристик і наноструктури кристалів кремнію при впливі магнітного поля. Аналіз особливостей зміни мікротвердості кристалів кремнію при довготривалій дії слабких постійних магнітних полів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Спонтанний та індукований п’єзооптичний і фотопружній ефект в кристалах Cs2HgBr4 і Cs2CdBr4 та коефіцієнти акустооптичної якості кристалів, вивчення дифракції світла в них. Поляризаційно-оптичні, мікроскопічні та дилатометричні дослідження кристалів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження механізмів поглинання електромагнітного випромінювання видимого та інфрачервоного діапазонів в матричних дисперсних системах. Виявлення основних умов переходу метал-діелектрик в наближенні Бругеманна і диференційного ефективного середовища.
автореферат, добавлен 05.01.2014Встановлення закономірностей впливу розмірних ефектів на магнітні та термоелектричні властивості надграток EuS-PbS. Можливість існування в напівпровідникових НГ EuS-PbS міжшарової обмінної взаємодії феромагнітних шарів через немагнітні прошарки.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014Політипність досліджуваних кристалів TlInS2 і TlGaSe2. Вплив всебічного стиснення кристалів на область існування неспівмірно-модульованої фази. Особливості впливу гідростатичного тиску і температури на оптичні та діелектричні властивості кристалів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Дослідження дисперсії й температурних змін кристалів сульфату амонію в широкій ділянці спектра і температур. Встановлення впливу одновісного механічного тиску на показники заломлення. Вивчення спектральних та температурних змін п’єзооптичних коефіцієнтів.
автореферат, добавлен 28.08.2015Закономірності формування енергетичного спектра, що використовується в оптоелектроніці. Правила підбору модельних об’єктів для дослідження твердого тіла в сульфідних та оксидних матрицях. Сутність методу кластерного наближення рідкоземельних іонів.
автореферат, добавлен 26.02.2015Дослідження температурних залежностей властивостей сегнетоелектричних кристалів тригліцинсульфату, диметиламонійалюмінійсульфату, калія селенату та амонія гідроселенату. Ступень анізотропії показника заломлення та коефіцієнта лінійного розширення.
автореферат, добавлен 23.11.2013Розрахунок електронної зонної структури бінарних сполук методом модельного псевдопотенціалу та дослідження впливу на неї деформацій і температури. Моделювання твердих розчинів заміщення і дослідження впливу структурної релаксації на електронний спектр.
автореферат, добавлен 06.07.2014Визначення топології енергетичного спектра шаруватих напівпровідників гексагональної симетрії. Пошук актуальних позицій Викофа. Аналіз термодинамічної стабільності системи залежно від концентрації інтеркалянта. Основи розподілу електронної густини.
автореферат, добавлен 20.07.2015Закономірності масопереносу в умовах різних видів імпульсної обробки, механізм міграції атомів і його взаємозв'язок з закономірностями деформації кристалічних ґрат металу. Тривимірна молекулярно-динамічна модель поведінки металів з кубічними ґратами.
автореферат, добавлен 29.07.2014Визначення впливу світлоіндукованої зміни граничних умов в комірках із світлочутливими орієнтуючими покриттями на переорієнтацію нематичних кристалів в полярній площині. Розуміння сутності процесу зчеплення рідкого кристалу з орієнтуючою поверхнею.
автореферат, добавлен 24.06.2014Аналіз особливостей моделювання підсилення в лазерах з об'ємними й квантоворозмірніми шарами. Вплив температурних ефектів на оптичне підсилення лазерів. Розробка комп'ютерної моделі для дослідження напівпровідникових лазерів різних конструкцій.
автореферат, добавлен 22.02.2014Аналіз залежності від електричного поля діелектричної проникності кристалів при різних значеннях температури вимірювання. Дослідження специфічних особливостей процесів переполяризації кристалічних матеріалів в синусоїдальних та імпульсних полях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження широкосмугових оптичних фільтрів на основі фотонних кристалів та впливу на їх оптичні характеристики нелінійних властивостей середовища. Розробка методу розрахунку структури фотонних кристалів із урахуванням матеріальної дисперсії матеріалу.
автореферат, добавлен 18.07.2015- 72. Одно- та двофотонно індуковані електронні процеси у розчинах донорно-акцепторних флуоренових молекул
Аналіз особливостей електронної будови та отримання набору лінійних фотофізичних параметрів нових органічних сполук флуоренового типу. Дослідження процесів нелінійного пропускання розчинів флуоренових похідних. Вивчення їх фотохімічної стабільності.
автореферат, добавлен 17.07.2015 Вивчення пружніх властивостей кристалів, роль акустичних збуджень при фазових переходах. Розрахунок фононних спектрів та фазових переходів в сеґнетоелектриках. Особливості хімічного зв’язку при переході від кристалів з об’ємною морфологією до шаруватих.
автореферат, добавлен 25.08.2014Аналіз результатів досліджень впливу хімічно модифікованого фулерена на властивості сегнетоелектричного рідкого кристалу. Основні діелектричні параметри отриманої суспензії, їх зміна під впливом немонохроматичного світла галогенної лампи розжарювання.
статья, добавлен 29.09.2016Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015