Електронні і фононні властивості фоточутливих напівпровідникових сполук типу AIBIIICVI2
Дослідження змін електронного спектру в кластерному наближенні кристалів CuInSe2, спричинених заміною в ньому атомом In атомів Ga та Al. Теорія перенормування потенціалу частки багатокомпонентного кристалу при переході до кластера. Ефект Яна-Теллера.
Подобные документы
Формування моноваріантної мартенситної двійникової структури кристалів, індукування сильної магнітної анізотропії, механічні властивості. Температурна залежність та часова стабільність деформацій, спричинених магнітним полем та механічними напруженнями.
автореферат, добавлен 29.07.2014Спостереження за процесом росту кристалу в перенасичених водних розчинах різних речовин. Процес кристалізації в воді. Вимірювання швидкості росту кристальної решітки. Розрахунок відношення приросту грані кристалу до часу, за який відбувся цей процес.
лабораторная работа, добавлен 23.07.2017Дослідження електро- та фотофізичних властивостей плівок напівпровідникових молекулярних композитів на основі полімерів і полікомплексів азобензолу і гетерополіядерних комплексів з координованими іонами металів. Здійснення голографічного запису.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження голографічного запису тонких динамічних граток при покритті плівки барвника шаром ліотропного іону рідких кристалів (двошарової комірки) на відміну від випадку непокритих плівок барвника де спостерігається запис стаціонарних рельєфних граток.
автореферат, добавлен 14.09.2014Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015- 106. Рідкі кристали
Поняття, типи та фізичні властивості рідких кристалів. Специфічність агрегатного стану речовини. Порядок орієнтації молекул в рідкокристалічному зразку. Застосування кристалів в окулярах для космонавтів та пілотів. Історія їх впровадження в електроніку.
реферат, добавлен 08.12.2020 Дослідження електронної (бістабільність) і ядерної спінових підсистем розчинів комплексу EHBACrV у 1,2-пропандіолі та його дейтерованому аналогу. Створення автоматизованого трисантиметрового спектрометра для дослідження напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 30.07.2014Огляд електронного та екситонного спектру двох тунельно-зв'язаних квантових точок різної форми з врахуванням розриву зон на межах поділу середовищ. Аналіз залежності енергії та густини ймовірності одного і двох зарядів від відстані між квантовими точками.
автореферат, добавлен 29.07.2014Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Вивчення фазової діаграми "температура-концентрація" для кристалів шаруватих сегнетоелектриків. Аналіз їх коливних спектрів і термодинамічних властивостей. Особливості дипольного упорядкування, що відбувається у кристалах при заміщенні сірки на селен.
автореферат, добавлен 30.08.2014Удосконалення теорії спектрів квазічастинок. Визначення впливу взаємодій класичних і квантованих полів на оптичні властивості середовища та пошук на цій основі новітніх матеріалів для потреб наноелектроніки. Стан бістабільності в екситонній області.
автореферат, добавлен 27.07.2015- 112. Феноменологічні моделі магнітних та пружних властивостей сплавів, що зазнають фазових перетворень
Розробка феноменологічних моделей для опису макроскопічних властивостей кристалів та синтетичних сполук із урахуванням їх мікроструктури, чутливої до впливу зовнішніх полів. Методика розрахунку властивостей кристалів в околі фазових перетворень.
автореферат, добавлен 06.07.2014 Використання методів визначення абсолютних значень періодів ґратки кристалів за допомогою багатохвильової дифрактометрії. Компланарна багатохвильова дифракція. Умові реалізації компланарної дифракції. Динамічна теорія розсіювання рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Аналіз впливу термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів. Характеристика дислокаційно-домішкових структур та розсіянь рентгенівських променів. Дослідження анізотропії полів напруг кремнію з впорядкованою дислокаційною конструкцією.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження впливу співвідношення компонентів у системі на тип фізико-хімічних процесів модифікації складу приповерневих шарів напівпровідника. Аналіз дифузії компонентів та визначення змін у складі газової фази при збільшенні вмісту атомарного водню.
автореферат, добавлен 31.01.2014Теорія фононного та поляронного станів в анізотропних напівпровідникових квантових ямах. Залежність середньої кількості віртуальних фононів полярона від хвильового вектора. Аналіз енергетичного спектра в гетероструктурах із плоскою квантовою ямою.
автореферат, добавлен 25.08.2015Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.
курсовая работа, добавлен 29.03.2011Закономірності впливу іонів Cr і Mn на формування термо- і фотоелектретних станів та на діелектричні властивості кристалів BSO у звуковому діапазоні частот. Об'ємно-зарядовий і квазідипольний механізми поляризації. Особливості термічного дефектоутворення.
автореферат, добавлен 07.03.2014Кристалічні речовини, їх характерні властивості, як: стала температура плавлення, спайність, анізотропія, пружність. Існування рідких кристалів, їх застосування для створення осциляторів для годинників, радіо, телевізорів, електронних ігор, комп’ютерів,
презентация, добавлен 27.02.2020- 121. Вплив H, C, N і Si на електронну структуру та фізичні властивості кристалів на основі сполук Fe і Cr
Спін-поляризований розрахунок енергетичної зонної структури і рентгенівських емісійних спектрів нітрида заліза Fe4N. Релятивістський розрахунок цементиту Fe3C. Обчислення енергетичної зонної структури і енергії когезії сплавів CrNiFe2Hx (x = 0, 2, 4).
автореферат, добавлен 18.11.2013 Порівняння властивостей дефектів у нанокристалічному кремнії, що має різний вміст кристалічної фази. Дослідження технологічних особливостей процесу утворення нових парамагнітних станів у матеріалі після низькотемпературного електронного опромінення.
автореферат, добавлен 29.08.2014Вивчення за допомогою електричних вимірювань і структурного аналізу впливу низькотемпературної деформації на електричні властивості кристалів германію. Аналіз комп’ютерної методики для розрахунку напружень у зразках, що виникають при дії деформації.
автореферат, добавлен 28.08.2014- 124. Електронні процеси в опромінених діелектриках та властивості композицій, що містять ядерне паливо
Структура електронних станів та процесів електронного перенесення в діелектриках, що зазнали дії високих доз радіаційного опромінення. Ідентифікація складних процесів, відповідальних за утворення в умовах важкої ядерної аварії діелектричних композицій.
автореферат, добавлен 30.10.2015 Механізми, які обумовлюють спостережений експериментально ріст та еволюцію функції розподілу за радіусами ниткоподібних кремнієвих кристалів, вирощуваних у процесі газотранспортних реакцій. Розробка математичної моделі процесу формування пор у кремнії.
автореферат, добавлен 25.06.2014