Полевые транзисторы
Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.
Подобные документы
Определение сопротивления диода постоянному току. Вычисление напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах. Расчет крутизны полевого транзистора. Характеристика второго закона Кирхгофа. Главный анализ схем с использованием операционных усилителей.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Полупроводниковые приборы с большим числом слоёв разного типа электропроводности, расположенных в разном сочетании. Особенности принципа действия биполярного транзистора. Приложение внешнего приложения к слоям. Схема транзистора с общим эмиттером.
лекция, добавлен 30.07.2013Выполение расчета блоков выпрямителя, стабилизатора и усилительного каскада. Графоаналитический расчет рабочего режима биполярного транзистора. Рассмотрение рабочего режима биполярного транзистора. Вычисление h-параметров биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.11.2018Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой и с общим эмиттером. Определение параметров высоты прибора графоаналитическим способом по графикам сигналов. Рассмотрение схемы биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 14.09.2017Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.
методичка, добавлен 25.12.2012Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
реферат, добавлен 21.07.2013Частота как важнейшая характеристика периодических процессов. Знакомство с основными этапами проектирования частотомера, особенности разработки структурной и принципиальной схемы. Общая характеристика полевого транзистора VT1 с изолированным затвором.
дипломная работа, добавлен 27.11.2014Анализ влияния элементов схемы каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, значение индуктивности, частотные, переходные показатели). Методы определения замыкания электрической цепи.
лабораторная работа, добавлен 23.05.2016Описание свойства схемы с общим коллектором и составного эмиттерного повторителя, её входное и выходное сопротивления. Порядок измерения сквозного коэффициента усилителя. Эквивалентная схема транзистора. Повторители как усилители с ООС, его задачи.
лабораторная работа, добавлен 21.09.2013Расчет предварительного каскада усиления мощности и гармонических составляющих выходного тока. Расчет стабилизированного источника питания. Выбор транзисторов, стабилитрона напряжения, выпрямителя и трансформаторного каскада предварительного усиления.
курсовая работа, добавлен 20.12.2016Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Сборка усилителя на основе биполярных транзисторов. Подбор элементной базы, которая соответствует нагрузке, и при которой обеспечивается стабильная работа. Тестирование данного силового модуля под управлением МК Atmega16. Расчет транзисторного каскада.
статья, добавлен 26.06.2018Построение динамических характеристик работы транзистора разными методами (графическим, приближенным аналитическим). Выходная и входная, проходная и сквозная динамическая характеристика каскада по постоянному, переменному току. Режимы работы транзистора.
реферат, добавлен 27.06.2015Анализ критериев вторичного пробоя биполярных транзисторов с полосковой топологией эмиттера. Методика проведения неразрушающих испытаний. Неустойчивость однородного токораспределения по структуре. Разогрев локальной области транзисторной структуры.
статья, добавлен 19.08.2013Анализ основных способов определения максимальной мощности рассеяния транзистора. Общая характеристика видов пробоя коллекторного перехода: тепловой, электрический. Знакомство с предельными режимами биполярного транзистора, рассмотрение особенностей.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Разделение полевых транзисторов на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Переход электронов вторичной эмиссии на другой электрод. Принципы действия полупроводникового стабилитрона.
реферат, добавлен 29.03.2021Изучение основных характеристик операционных усилителей. Разработка усилителя с хорошим коэффициентом усиления. Способы борьбы с температурным дрейфом в биполярных транзисторах. Анализ метода дифференциального каскада. Полная схема основных транзисторов.
лекция, добавлен 20.09.2017Расчет усилителя мощности с токовым бустером, емкостей разделительных конденсаторов, фильтров в цепях питания. Оценка усилительных свойств выходного каскада. Логарифмическая амплитудно-частотная характеристика промежуточного каскада. Электрическая схема.
курсовая работа, добавлен 23.11.2013Виды режимов работ биполярных транзисторов и их отличия. Процесс протекания эмиттерного тока. Характеристика работы и свойства транзистора в прямом активном режиме. Обратная связь по напряжению в биполярном транзисторе, согласно с эффектом Эрли.
лабораторная работа, добавлен 21.06.2015Амплитудные максимальные значения тока и напряжения транзисторов и приёмного устройства. Корректировка линии нагрузки. Расчет входного сопротивления каскада. Выбор операционного усилителя. Исчисление коэффициентов усиления тока, напряжения, мощности.
курсовая работа, добавлен 13.02.2012Повышение быстродействия (частотных параметров) биполярного транзистора. Рассмотрение особенностей схемы включения трехэлектродного полупроводникового прибора. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Предельная частота передачи тока базы.
реферат, добавлен 23.05.2015Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.08.2017Внутреннее устройство и принцип действия биполярного транзистора, его функциональные особенности и сферы практического использования. Схемы включения и перспективы дальнейшего развития. Статические характеристики транзисторов с индуцированным каналом.
контрольная работа, добавлен 21.03.2016Анализ нагрузочной цепи, вывод выражений входного сопротивления и коэффициента передачи по напряжению. Электрическая цепь транзистора с нагрузкой. Проверка выражений входного сопротивления и коэффициента передачи транзистора, нормировка элементов цепи.
курсовая работа, добавлен 18.05.2010Загальна характеристика схеми для побудови вхідної характеристики біполярного транзистора. Розгляд способів визначення частотної залежності струму колектора. Знайомство зі способами побудови статичної прохідної характеристики біполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 19.11.2015