Полевые транзисторы
Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.
Подобные документы
Ознакомление с классификацией усилителей. Анализ технических характеристик и электрических параметров исследуемого транзистора. Изучение структурной схемы каскада с общим эмиттером. Определение напряжение питания усилителя (по второму закону Киргофа).
контрольная работа, добавлен 07.01.2015Изучение назначения усилителей постоянного тока. Определение тока и мощности, потребляемых каскадом в режиме покоя. Ознакомление с вольт-амперной характеристикой светоизлучающего диода. Рассмотрение и анализ особенностей процесса выбора типа транзистора.
контрольная работа, добавлен 20.09.2014Классическая схема операционного усилителя. Принципиальная схема усилителя мощности на 50 Вт. Схема усилителя мощности с истоковым повторителем. Симметричная схема усиления на биполярных транзисторах. Схема Энтони Холтона и Эдвина Пайя и другие.
лекция, добавлен 14.11.2014Создание и сбор регулируемого AC-DC преобразователя напряжения на основе биполярного транзистора. Регулирование выходного напряжения преобразователя. Поступление напряжения с R2 на вход базы транзистора VT1, включенного по схеме эмиттерного повторителя.
лабораторная работа, добавлен 06.06.2023Рассмотрение биполярного транзистора как основы элементов биполярных интегральных схем. Изучение преимуществ и недостатков конструктивно-технологических вариантов изготовления интегральных схем с диэлектрической и с комбинированной изоляцией элементов.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Измерения силы постоянного и переменного тока, сопротивления, величины постоянного и переменного напряжения, коэффициента усиления биполярных транзисторов. Качество соединения проводников или пайки. Конструкция прибора цифрового мультиметра M838.
лабораторная работа, добавлен 20.11.2013Особенности дифференциального усилителя, построение его принципиальной схемы. Расчет коэффициента усиления для дифференциального сигнала при симметричном выходе. Усилители постоянного тока (УПТ) с преобразованиями сигналов. УПТ с использованием оптрона.
контрольная работа, добавлен 27.06.2015Анализ параметров идеализированного кремниевого диода, определение его дифференциального сопротивления, построение графика силы тока и прямого напряжения. Принципиальная схема усилителя транзистора с резисторной нагрузкой, расчет его входной мощности.
контрольная работа, добавлен 27.02.2015Анализ концепции "корпускулярно-полевого дуализма" физических характеристик микрочастицы. Исследование соответствия электрического векторного потенциала электрическому заряду микрочастицы, кратному кванту электрического потока - заряду электрона.
статья, добавлен 24.11.2018Исследование основных аспектов проектирования входного широкополосного RC-усилителя, источником сигнала которого является генератор тока. Определение цепей питания фотодиода. Предварительный расчет каскадов по постоянному току на биполярных транзисторах.
курсовая работа, добавлен 07.05.2014Анализ схемной реализации устройства. Статический и динамический расчеты транзисторного ключа. Функциональная схема управления ШИП. Расчет элементов формирующих линию переключения транзисторов. Изучение особенностей определения мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 22.11.2016Зависимости выходного сопротивления кремниевого ДМОП-транзистора от ширины вертикальной высокоомной части стока. Увеличение выходного сопротивления транзистора, ограничение размера транзисторной ячейки при проектировании прибора повышенной мощности.
статья, добавлен 20.07.2018Расчёт максимально допустимой амплитуды напряжения между коллектором и эмиттером транзистора. Определение значения крутизны сквозной характеристики усилителя. Выбор промежуточного каскада по схеме с общим эмиттером, проверка допустимой мощности.
курсовая работа, добавлен 16.10.2017Определение концентрации основных и неосновных носителей зарядов и положения уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны. Расчет концентрации атомов донорной примеси. Построение схемы включения транзистора, определение полярности напряжений.
контрольная работа, добавлен 15.01.2012Линейный перенос спектра сигнала на промежуточную частоту при помощи опорной частоты местного генератора. Определение коэффициента шунтирования контура выходным сопротивлением транзистора и входным сопротивлением фильтра. Расчет индуктивность катушки.
реферат, добавлен 19.11.2014Сопротивление нагрузки, необходимое для получения высокого коэффициента полезного действия транзистора. Напряжение источника питания для рассматриваемого усилителя. Усилитель мощности с трансформаторным включением нагрузки, выбор его режима работы.
лабораторная работа, добавлен 13.10.2013- 67. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014Электроника как область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов. Рассмотрение особенностей р-канального МДП транзистора, основное назначение. Характеристика преимуществ мощных полевых транзисторов.
контрольная работа, добавлен 28.02.2013Расчёт числа каскадов, выбор транзисторов. Вычисление промежуточного и входного каскада, использование коррекции эмиттерной противосвязи, которая стабилизирует коэффициент усиления каскада. Выигрыш в площади усиления при простой параллельной коррекции.
курсовая работа, добавлен 24.03.2020Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013Расчет параметрического стабилизатора постоянного напряжения на кремневом стабилитроне. Режим работы транзистора и коэффициент усиления по напряжению. Основные сведения, классификация, назначение, интегральные микросхемы регистров, их основные параметры.
контрольная работа, добавлен 20.02.2014Расчет резонансных частот и резонансных сопротивлений. Определение полосы пропускания цепи. Исследование особенностей транзистора с избирательной нагрузкой. Ознакомление с процессом получения нормированных выражений входной и передаточной функции.
курсовая работа, добавлен 23.02.2018Определение мощности рассеиваемой на транзисторе. Расчет выходного сопротивления коллектора. Частотные параметры транзистора и график зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Приращение напряжения на затворе электрической схемы.
контрольная работа, добавлен 16.03.2017Принцип действия биполярного транзистора. Процесс рассмотрения составляющих тока п-р-п типа. Необходимость использования усилителей по напряжению. Выходные характеристики ВАХ на коллекторе. Сущность режима насыщения, его основные задачи, принцип расчета.
лекция, добавлен 29.10.2013