Туннельный и обращенный диоды
Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
Подобные документы
Анализ характеристик усилителей на резонансно-туннельных диодах с помощью метода медленно меняющихся амплитуд при больших сигналах и при работе на частотах, близких к резонансной. Зависимости относительной полосы пропускания от параметров схемы усилителя.
статья, добавлен 31.10.2017Определение токов во всех цепях для разветвлённой цепи с помощью законов Кирхгофа, методов контурных токов и преобразования треугольника сопротивлений в эквивалентную звезду. Токи во всех ветвях и напряжениях на всех элементах схемы в комплексной форме.
контрольная работа, добавлен 11.01.2013Рассмотрение использования и конструкции диода Ганна. Анализ подходов выполнения низкоомных омических контактов, необходимых для подвода тока для работы диодов Ганна. Режимы использования генераторов на диоде Ганна в зависимости от питающего напряжения.
статья, добавлен 19.02.2019Понятие и функциональная структура PIN диода, его вольт-амперная характеристика. Особенности применения PIN-диодов в качестве радиочастотных и СВЧ переключателей, аттенюаторов, ограничителей и фотодетекторов. Схема девятидиапазонного полосового фильтра.
реферат, добавлен 08.09.2010Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017Расчёт токов и напряжений методом наложения. Решение системы уравнений по законам Кирхгофа. Составление частной схемы с источником электродвижущей силы. Поиск сопротивления цепи по закону Ома. Определение направления движения тока в разветвленной цепи.
курсовая работа, добавлен 25.10.2017Составление дифференциального уравнения, описывающего цепь после коммутации. Определение независимых начальных условий с использованием законов коммутации. Алгебраическая система уравнений для свободных составляющих токов. Анализ цепи до коммутации.
контрольная работа, добавлен 18.10.2017Построение вольт-амперной характеристики полупроводникового маломощного стабилитрона. Определение параметров лавинного тока для типового кремниевого прибора. Влияние дифференциального сопротивления на величину выходного напряжения схемы стабилизатора.
лабораторная работа, добавлен 24.12.2014Сущность туннельного эффекта. Проявление эффекта в неоднородных структурах. Использование в различных устройствах микроэлектроники: контакт металл-металл, структура металл-диэлектрик-металл, токоперенос в тонких плёнках, туннельный пробой в p-n-переходе.
курсовая работа, добавлен 19.07.2010Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2022Определение величины сопротивления ограничительного резистора. Расчет напряжения холостого хода перехода диода. Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника. Рассмотрение структуры и принципа работы диодного тиристора.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Расчет простой электрической цепи. Расчет токов и напряжений в сложной электрической цепи методом Крамера и методом обращения матрицы. Определение достоверности значения токов. Расчет и построение графиков АЧХ и ФЧХ и определение их характеристик.
курсовая работа, добавлен 22.06.2015Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.
книга, добавлен 19.10.2013Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.
курс лекций, добавлен 23.03.2015Процесс коммутации и правила составления его схемы. Определение системы уравнений по законам Кирхгофа для мгновенных значений токов и напряжений. Расчет дифференциального уравнения искомой реакции цепи. Основные правила построения графика функций.
контрольная работа, добавлен 20.04.2013Общая характеристика биполярного транзистора как трехэлектродного, электропреобразовательного полупроводникового прибора. Изучение принципов, режимов работы и физических процессов биполярного транзистора. Расчет токов и пробоя биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2011Описание устройства аналогового цифрового ампервольтомметра Ц4341 и прибора DT-9205A. Изучение порядка проведения измерений электрического сопротивления, величины тока и напряжения в цепях постоянного и переменного тока переносным ампервольтомметром.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Методика проведения качественного анализа переходных процессов токов во всех ветвях схемы и напряжений на реактивных элементах, построение необходимых графиков. Определение закона изменения во времени тока после коммутации, запись выражения проводимости.
курсовая работа, добавлен 24.03.2009Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.
реферат, добавлен 05.04.2011Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Рассмотрение основных способов определения дифференциального сопротивления RCT стабилитрона. Общая характеристика особенностей полупроводниковых приборов. Знакомство с формулой, по которой рассчитывается дифференциальное сопротивление стабилитрона.
контрольная работа, добавлен 13.01.2020Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016