Туннельный и обращенный диоды
Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
Подобные документы
Определение эквивалентного сопротивления электрической цепи. Расчёт токов в ветвях и составление баланса мощности. Особенности использования нескольких источников энергии. Метод контурных токов и закон Киргофа. Назначение амперметра и вольтметра.
задача, добавлен 27.09.2017Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Анализ вольтамперных характеристик полупроводникового выпрямительного диода и стабилитрона. Основные параметры выпрямительного диода. Сущность стабилитрона, вычисление динамического сопротивления стабилитрона. Сопротивление балластного резистора.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Методика измерения импульсных напряжений и токов, наводимых электромагнитным полем на компонентах радиоэлектронных схем соединенных печатными проводниками, сочетающая графическое имитационное моделирование с расчетными методами конечно-разностного типа.
статья, добавлен 14.07.2016Рассмотрение принципа действия прибора, его основных параметров и характеристик. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Характеристика особенностей статического и дифференциального сопротивления перехода при отсутствии напряжения.
курсовая работа, добавлен 11.12.2016Изображение электрической схемы цепи для мгновенных значений для заданного графа. На основании законов Кирхгофа составление системы уравнений для расчета КДЗ токов во всех ветвях цепи. Определение КДЗ значений токов и напряжений ветвей по МКТ и МУП.
курсовая работа, добавлен 02.11.2009Определение токов методом узловых потенциалов, контурных токов, методом наложения. Потенциальная диаграмма для любого контура, включенного включающего в себя ветвь с источником ЭДС. Реактивные сопротивления цепи. Комплексы сопротивлений ветвей.
курсовая работа, добавлен 25.03.2010Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.
реферат, добавлен 21.07.2013Методы расчета установившихся и переходных процессов в электрических цепях. Применения электротехники в инженерной практике. Свойства полупроводниковых элементов. Принципы работы активных и пассивных двухполюсников. Схемотехника цифровых устройств.
учебное пособие, добавлен 02.11.2014Анализ электрической цепи синусоидального тока. Определение комплексных действующих значений токов. Построение графиков мгновенных значений токов. Проверка баланса активных и реактивных мощностей. Показатели тока или напряжения при переходном процессе.
курсовая работа, добавлен 15.06.2014Рассмотрение поведения частицы при прохождении через потенциальный барьер. Проведение исследования плотного контакта двух металлов с разными работами выхода. Проявление туннельного механизма продвижения электронов сквозь тонкие диэлектрические слои.
курсовая работа, добавлен 24.09.2017Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016Изучение схемы балансового каскада с активной нагрузкой, построенной на трех транзисторах. Анализ пути передачи входного сигнала. Определение сопротивления нагрузки транзистора. Защита балансных каскадов от большого дифференциального сигнала на их входах.
лекция, добавлен 04.10.2013Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.
лабораторная работа, добавлен 02.01.2023- 118. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 - 119. Расчет трехфазного приемника, соединённого с генератором звездой с использованием нулевого провода
Способы расчета линейных токов и тока в нейтральном проводе трехфазного приемника, соединенного с генератором. Определение активной мощности все цепи и каждой фазы отдельно. Пример построения векторной диаграммы токов и напряжений по полученным расчетам.
контрольная работа, добавлен 02.02.2015 Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Принцип работы преобразовательного устройства. Система автоматического регулирования. Параметры стабилизатора, катушки индуктивности в среде Matlab. Подбор диода и транзистора. Режим прерывистых токов. Анализ регулировочной характеристики стабилизатора.
курсовая работа, добавлен 26.12.2014Выбор и обоснование применяемых материалов и компонентов конструкции. Конструктивный расчет терморезистора и термонезависимого сопротивления. Разработка топологии кристалла. Разработка технологического процесса изготовления чувствительных элементов.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Исследование процесса накопления повреждений сверхвысокочастотных диодов при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения. Статистический анализ вероятности отказа СВЧ диодов от мощности воздействующих радиоимпульсов в полиимпульсном режиме.
статья, добавлен 30.10.2018Исследование влияния импульсного электромагнитного излучения, сопровождаемого возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей, на надежность и отказоустойчивость полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий.
статья, добавлен 14.07.2016Диоды с накоплением заряда. Полупроводниковые электронные приборы. Применение полупроводниковых стабилитронов. Квантово-механический процесс, позволяющий электронам проходить сквозь потенциальный барьер. Распределение концентрации примесей в диодах.
курсовая работа, добавлен 19.12.2013