Фототермоакустична та фотоелектрична мікроскопія напівпровідникових структур на основі кремнію
Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
Подобные документы
Фізична модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Магнітні властивості сплавів Гейслера на основі кобальту та іридію. Виявлення природи цих властивостей. Вплив на них розупорядкування та заміщення атомів одного сорту структурними одиницями інших сортів. Аналіз рентгенівських спектрів поглинання.
автореферат, добавлен 30.08.2014Розробка теоретичних положень синтезу схем напівпровідникових вентильних перетворювачів із заданими властивостями на основі головної топологічної матриці. Основні топологічні закономірності структурного синтезу поліпшених схем перетворювальних пристроїв.
автореферат, добавлен 15.11.2013Вивчення основних підходів до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розробка автоматизованого релаксаційного спектрометра глибоких рівнів, орієнтованого на дослідження сучасних напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Основні види парамагнітних дефектів в імплантованих шарах оксидів кремнію, плівках SіOx та опроміненому електронами 6H-SіC p-типу. Загальна характеристика спектрів парамагнітних дефектів, утворених внаслідок опромінення кристалів 6H-SіC електронами.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження ефектів, що виникають в напівпровідникових структурах при протіканні струмів екстремальна великої густини. Характеристика дослідження механічного руйнування через невідповідність коефіцієнтів теплового розширення плівки і підкладинків.
автореферат, добавлен 12.02.2014Дослідження електронної (бістабільність) і ядерної спінових підсистем розчинів комплексу EHBACrV у 1,2-пропандіолі та його дейтерованому аналогу. Створення автоматизованого трисантиметрового спектрометра для дослідження напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 30.07.2014Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014- 59. Технологія нанесення захисних покриттів на основі оцінок характеристик структур епоксикомпозитів
Вплив ступеню зшивання у зовнішніх поверхневих шарах на адгезійну та когезійну міцність епоксидних композитних матеріалів. Аналіз структури матриці навколо наповнювача на основі світлової мікроскопії. Схема нанесення захисного покриття вузлів обладнання.
статья, добавлен 29.11.2016 Встановлення особливостей магнітної сприйнятливості та преципітації кисню у монокристалічному і ниткоподібному кремнію, попередньо опроміненому нейтронами та легованому ізовалентними домішками. Рентгеноструктурні дослідження кристалів після термообробки.
автореферат, добавлен 29.09.2014Моделювання процесів формування неоднорідних градієнтних шарів на основі теорії самоорганізації та дисипативних структур. Встановлення закономірностей впливу хімічного елементу на фізичні властивості модифікованих тонкоплівкових і об’ємних структур.
автореферат, добавлен 28.07.2014З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
автореферат, добавлен 23.08.2014Створення масиву наночастинок Au на напівпровідникових плівках CdS термічним відпалюванням у вакуумі плівок золота товщиною 6 нм. Дослідження морфології поверхні плівок CdS, покритих масивом наночастинок золота, визначення середніх розмірів наночастинок.
статья, добавлен 13.10.2016Проведення теоретико-групової класифікації деформаційних ефектів в алмазоподібних напівпровідниках і встановлення на цій основі дозволених фізичних моделей п’єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Теоретичне вивчення п’єзоопору в кремнії та германії.
автореферат, добавлен 05.01.2014Визначення топології енергетичного спектра шаруватих напівпровідників гексагональної симетрії. Пошук актуальних позицій Викофа. Аналіз термодинамічної стабільності системи залежно від концентрації інтеркалянта. Основи розподілу електронної густини.
автореферат, добавлен 20.07.2015Вивчення природи та властивостей кисневих термодефектів в кремнії. Характеристика термодонорів, які утворюються в Si при його термообробці. Дослідження зміни внутрішніх пружних напружень ґратки кремнію при утворенні в його об’ємі частинок SiO2-фази.
автореферат, добавлен 05.01.2014Вплив параметрів тильних рефлекторів на основі шарів SiOx/SiNx та поруватого кремнію на ефективність сонячних елементів. Розробка методу керування спектральною характеристикою коефіцієнта відбиття у сонячних елементах з поруватим Бреггівським дзеркалом.
автореферат, добавлен 25.07.2015Розгляд особливостей електронного спектра, хімічного зв’язку, оптичних, термодинамічних та структурних властивостей напівпровідникових твердих розчинів заміщення. Розробка підходу до аналізу термодинамічної стабільності невпорядкованих твердих розчинів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Аналіз залежності фотопровідності від швидкості поверхневої рекомбінації за різних радіусів пор та середніх відстаней між ними. Дослідження впливу неоднорідності розмірів пор на фотопровідність поруватого кремнію. Виготовлення сенсорних пристроїв.
статья, добавлен 10.12.2016Дослідження особливостей процесу електронної польової емісії з пористого кремнію. Оптимізація режимів вирощування пористого кремнію з метою отримання високоефективних емісійних катодів. Розробка методики визначення основних емісійних параметрів.
автореферат, добавлен 26.07.2014- 71. Природа люмінесценції та процеси старіння структур з кремнієвими наночастинками в оксидній матриці
Вплив високотемпературного відпалу на хімічний склад, структуру та ФЛ-властивості шарів SiOx. Встановлення природи свічення ряду систем, що містять нанокристаліти кремнію (шари). Порівняння стабільності досліджених низьковимірних кремнієвих систем.
автореферат, добавлен 25.02.2015 Дослідження процесів динамічного розсіяння Х-променів у кристалах кремнію, що містять різного типу дислокаційні петлі та бар’єри. Чисельне розв’язування рівнянь Такагі. Вплив деформаційних полів дислокаційних петель на Х-променеву акустичну взаємодію.
автореферат, добавлен 27.07.2014Вивчення дії механічних напружень підкладки на люмінесцентні властивості сформованого на ній поруватого шару. Дослідження впливу хімічної обробки зразків поруватого кремнію на ефективність їх фотолюмінесценції. Аналіз впливу атмосферного середовища.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження оптичних, магнітних та кінетичних властивостей кристалів напівпровідникових твердих розчинів (3HgSe)1-x(Al2Se3)x, легованих марганцем і залізом. Побудова схеми зонної структури напівпровідника. Властивості термообробки твердих розчинів.
автореферат, добавлен 19.07.2015Дослідження спектрів інфрачервоного поглинання монокристалічного кремнію з домішкою германію після опромінення нейтронами реактора. Зберігання рівномірності у розподілі ростових дефектів (дислокацій). Залежність концентрації дивакансій від домішки кисню.
статья, добавлен 07.10.2013