Фототермоакустична та фотоелектрична мікроскопія напівпровідникових структур на основі кремнію
Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
Подобные документы
- 76. Комп’ютеризований комплекс дослідження фільтруючих ланок для споживачів з нелінійним навантаженням
Впровадження напівпровідникових пристроїв управління, які покращують роботу технологічних об’єктів, викликаючи при цьому негативні електромагнітні явища. Підключення силових напівпровідникових пристроїв за допомогою комутаційних фільтруючих елементів.
статья, добавлен 21.06.2016 Методи створення відтворюваних поверхнево-бар’єрних структур метал/p-CuInSe2 (метал – Іn, Sn та Zn), визначення та інтерпретація механізмів проходження струму. Проведення зіставлення експериментальних результатів з відомими теоретичними виразами.
автореферат, добавлен 29.08.2014Застосування напівпровідникових приладів. Фізичні основи обчислювальної техніки, інтегральні мікросхеми. Дослідження роботи базових логічних елементів: RS-тригера, генератора прямокутних імпульсів (мультивібратора). Ефективність використання обладнання.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2019Теоретична оцінка параметрів осадження компонентів пари на підкладку, оптимізація умов напилення шарів. Особливості впливу концентраційного профілю та хімічного складу елементів-модифікаторів на параметри тонкоплівкових структур на основі As2S3.
автореферат, добавлен 22.04.2014Вплив спотворень на величину і поведінку інтегральної відбиваючої здатності. Закономірності дифракції рентгенівських променів на масивних реальних кристалах кремнію для розвитку представлень про вплив структурних спотворень на параметри дифракції.
автореферат, добавлен 23.02.2014- 81. Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи
Дослідження механізмів йонно-стимульованого формування структур з прихованими діелектричними та напівпровідниковими шарами. Вплив на особливості процесів формування і властивості багатошарових структур вуглецю, домішок кисню та механічних напружень.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Дослідження впливу ультразвукової обробки на перебудову радіаційних дефектів у бездислокаційних кристалах кремнію n-типу з високою концентрацією кисню, опромінених квантами. Теоретичний аналіз температурних залежностей концентрації та рухливості.
статья, добавлен 08.10.2013Специфіка моделювання та експериментальна апробація дії імпульсного лазерного опромінювання на контактах метал-халькогенідного напівпровідника. Створення ефективних детекторів електромагнітного випромінювання з покращеними експлуатаційними параметрами.
автореферат, добавлен 26.02.2015Дослідження синтезу вторинних структур на поверхні тертя самозмащувального композиційного матеріалу на основі міді при роботі у вакуумі у парі зі сталлю при заданих тисках і швидкості ковзання. Структурний і фазовий аналіз вторинних змащувальних плівок.
статья, добавлен 29.01.2016Вплив кристалографічної орієнтації монокристалічного кремнію на квантовий вихід фотолюмінесценції поруватого кремнію в процесі анодизації. Механізми струмопереносу та випромінювальної рекомбінації. Особливості характеристик електролюмінесценції.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розробка пристроїв для реалізації схеми двокристального спектрометру. Оцінка структурних змін і параметрів можливих дефектів в імплантованих фосфором приповерхневих шарах пористого кремнію. Дослідження будови поверхні методом атомно-силової мікроскопії.
автореферат, добавлен 28.07.2014Характеристика структурних змін у кристалах кремнію. Визначення параметрів методами опромінення, дифракції та акустичної взаємодії. Дослідження мікродефектів та природного старіння. Аналіз температурного гістерезису внутрішнього тертя і модуля зсуву.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження результатів розрахунку імовірності тунельної іонізації глибокого домішкового центра поблизу вільної поверхні напівпровідника. Вивчення основних можливостей виникнення явища негативного диференціального опору в контакті метал-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.11.2013Опис методу обчислення конфігурації ближнього поля поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв заряду під нею. Створення методик обраховування параметрів поверхні - коефіцієнта дифузії, часу релаксації, швидкості поверхневої рекомбінації.
автореферат, добавлен 26.09.2015Створення плівкових сенсорних елементів на основі гібридних систем полі-3,4-етилендиоксітіофен–нанокристали поруватого кремнію. Вивчення молекулярного складу матеріалів інфрачервоною спектроскопією. Вплив адсорбції молекул води на електропровідність.
статья, добавлен 27.02.2016Комплексне теоретичне та експериментальне дослідження структурних і електрофізичних характеристик багатофазних шаруватих систем на основі кремнію, а також впливу віддзеркалювальних шарів на властивості фотоперетворювальних і транзисторних композицій.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Створення твердотільних структур метал-напівпровідник-метал на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe з контактами різного типу. Вибір оптимальної структури та методів її модифікації для ефективної реєстрації випромінювання в широкому діапазоні енергій.
автореферат, добавлен 30.07.2014Особливості дефектоутворення у вихідному монокристалічному та епітаксіальному кремнію. Аналіз причин деградації параметрів кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних систем. Огляд механізмів впливу дефектів на електрофізичні характеристики струму.
автореферат, добавлен 14.07.2015Зв'язок між структурою, складом вихідної оксидної матриці і характеристиками нановключень кремнію, утвореними внаслідок фазового розділення SiOx. Вплив радіаційно-термічних обробок на структурні та світловипромінювальні властивості тонкоплівкових систем.
автореферат, добавлен 28.08.2015Вивчення процесів термостимульованого розділення фаз в плівках SiOx, що приводять до формування наночастинок кремнію в оксидній матриці. Дослідження впливу на фотолюмінесценцію характеристики структур Si-SiOx. Плазмова та хімічна обробка плівок.
автореферат, добавлен 28.08.2014Аналіз особливостей моделювання підсилення в лазерах з об'ємними й квантоворозмірніми шарами. Вплив температурних ефектів на оптичне підсилення лазерів. Розробка комп'ютерної моделі для дослідження напівпровідникових лазерів різних конструкцій.
автореферат, добавлен 22.02.2014Дослідження опису генерації оптичного випромінювання у напівпровідникових лазерах на гетероструктурах із масивними і квантоворозмірними активними шарами, взаємодії оптичного випромінювання з матеріалом активних елементів волоконно-оптичних систем.
автореферат, добавлен 22.04.2014Задачі електродинаміки, пов’язані з поширенням НВЧ-хвиль в хвилеводах з довільними кусково-координатними межами та з аналізом хвилеводних структур на їх основі. Алгоритми програм для аналізу та оптимізації електродинамічних структур НВЧ-діапазону.
автореферат, добавлен 12.07.2014Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.08.2014