Скануюча ближньопольова оптична мікроскопія поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв
Опис методу обчислення конфігурації ближнього поля поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв заряду під нею. Створення методик обраховування параметрів поверхні - коефіцієнта дифузії, часу релаксації, швидкості поверхневої рекомбінації.
Подобные документы
Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід освітлений паралельно та перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку та специфіка розв’язку задач.
курсовая работа, добавлен 08.09.2014- 102. Обгрунтування параметрів процесу змиву продуктів збагачення з одночасним очищенням оборотної води
Аналіз методів переробки мінеральної сировини, етапи розробки методики розрахунку технологічних параметрів. Розгляд способів визначення закономірності плину води по увігнутій конусоподібній рифленій робочій поверхні і викиду з неї твердих часток.
автореферат, добавлен 27.09.2013 Розрахунок залежності положення рівня Фермі та концентрації вільних носіїв заряду в високоомному кремнії від дози опромінення нейтронами. Визначення зсуву вольт-амперних характеристик кремнієвих структур та розподіл електричного поля в стрип-детекторах.
автореферат, добавлен 07.01.2014Розрахунок законів дисперсії і хвильових функцій напівпровідникових кристалів, електронних енергетичних спектрів і твердих розчинів. Алгоритми для обчислення градієнта закону дисперсії та тензора ефективної маси носіїв заряду у методі змішаного базису.
автореферат, добавлен 28.07.2014Густина води та її зміна в залежності від температури. Значення поверхневого натягу в процесах утворення хвиль на поверхні води. Визначення швидкості течії та витрати за допомогою поверхневих поплавків. Розрахунок аналітичної кривої забезпеченості водою.
контрольная работа, добавлен 27.03.2014Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід освітлений паралельно та перпендикулярно. Аналіз характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Отримання бажаних параметрів вольтамперних значень. Перехід освітлений.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Особливості розподілу на умовній робочій поверхні прямої складової коефіцієнта природного освітлення при оптимальному проектуванні зенітного освітлення будинків. Конструктивні параметри зенітних ліхтарів, виходячи із умов їх ефективного використання.
автореферат, добавлен 27.08.2013Розгляд згину круглої транстропної (трансверсально-ізотропної) пластини, послабленої внутрішньою дископодібною тріщиною в площині, паралельній до серединної поверхні. Обчислення напружень та переміщень у ізотропних і транверсально-ізотропних пластинах.
статья, добавлен 30.01.2017Моделювання процесів пружної взаємодії світла з неоднорідними анізотропно-гіротропними системами на прикладі типових хіральних рідких кристалів (РК). Швидкісні методи розрахунку параметрів світла, що пройшло через слабозакручені РК при похилому падінні.
автореферат, добавлен 25.06.2014Вивчення специфіки розтікання збуджених електронів від локального джерела нерівноважності, розташованого на поверхні вісмутового кристала. Дослідження явища дифракції електронного потоку, що втікає в кристал вісмуту крізь мікроконтакт малого розміру.
автореферат, добавлен 27.07.2014- 111. Проектування силового трансформатора з циліндричними слоєвими обмотками і масляним охолодженням
Попередній розрахунок основних розмірів і конструктивних показників трансформатору. Особливість визначення фазних напруг та струмів. Калькуляція площини поверхні охолодження обмоток. Знаходження маси магнітопроводу. Аналіз теплового обчислення баку.
курсовая работа, добавлен 13.12.2015 Дослідження вимушених коливань ідеальної нестисливої рідини у циліндрі з відсіками. Побудова скінченновимірної нелінійної математичні моделі та амплітудно-частотних характеристик коливань при резонансі. Аналіз вузлової лінії. Визначення форми поверхні.
автореферат, добавлен 25.06.2014Дослідження впливу співвідношення компонентів у системі на тип фізико-хімічних процесів модифікації складу приповерневих шарів напівпровідника. Аналіз дифузії компонентів та визначення змін у складі газової фази при збільшенні вмісту атомарного водню.
автореферат, добавлен 31.01.2014Розробка та випробування методу реєстрації індукованого двопроменезаломлення в кубічних кристалах на основі поляризаційної модуляції випромінювання. Його експериментальне та теоретичне дослідження. Взаємозв’язок між параметрами градієнту анізотропії.
автореферат, добавлен 13.07.2014- 115. Дослідження впливу параметрів вібруючої поверхні на значення відхилення відбитого лазерного променя
Дослідження процесу зняття інформації з віконного скла офісних приміщень. Створення моделі, яка дозволяє розробити методи протидії перехопленню інформації за допомогою лазерного променя. Розкриття реальної картини процесу дистанційного зняття інформації.
статья, добавлен 26.01.2017 Аналіз впливу технологічних факторів електронно-променевої обробки на властивості тонких поверхневих шарів підкладок з оптичного скла. Розробка методу еліпсометричного експрес-контролю якості поверхні модифікованих плат при їх серійному виробництві.
автореферат, добавлен 25.06.2014Встановлення дії структурних дефектів росту на транспортні процеси та механізми розсіювання носіїв струму в тонких плівках халькогенідів свинцю. Вплив міжфазних і міжзеренних меж та дислокацій невідповідностей на механізми розсіювання носіїв струму.
автореферат, добавлен 28.08.2015Розгляд методу витягування кільця для дослідження розчинів поверхнево-активних речовин. Розробка приладу, який дозволяє проводити вимірювання динамічного та рівноважного поверхневих натягів чистих рідин і розчинів ПАВ без руйнування поверхні розділу фаз.
статья, добавлен 30.01.2017Аналіз залежності фотопровідності від швидкості поверхневої рекомбінації за різних радіусів пор та середніх відстаней між ними. Дослідження впливу неоднорідності розмірів пор на фотопровідність поруватого кремнію. Виготовлення сенсорних пристроїв.
статья, добавлен 10.12.2016Тепловий і матеріальний баланс парогенератора атомної електростанції. Розрахунок коефіцієнта тепловіддачі зі сторони теплоносія до стінки труб; від стінки труб до робочого тіла на випарній ділянці. Конструкційні характеристики ступенів сепарації пари.
курсовая работа, добавлен 13.11.2012Характеристика i опис теплогенератора. Визначення об’ємів та ентальпій повітря. Складання теплового балансу і його перевірка. Розрахунок витрат палива, конвективної поверхні i економайзера. Встановлення коефіцієнту корисної дії котельної установки.
курсовая работа, добавлен 23.01.2014Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току. Характеристики і параметри напівпровідників: вольт-амперна, спектральна, енергетична, температурна, гранична. Фотодіоди з внутрішнім підсиленням. Застосування і перспективи фотоприймачів.
реферат, добавлен 19.02.2009Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Конфігурація електричних полів. Іонізаційні процеси в газі. Утворення стримера. Закон Пашена. Вплив часу прикладання напруги на електричну міцність газової ізоляції. Розряд вздовж провідної та забрудненої поверхні ізолятора. Вимірювання високих напруг.
дипломная работа, добавлен 31.08.2012Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014