Скануюча ближньопольова оптична мікроскопія поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв
Опис методу обчислення конфігурації ближнього поля поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв заряду під нею. Створення методик обраховування параметрів поверхні - коефіцієнта дифузії, часу релаксації, швидкості поверхневої рекомбінації.
Подобные документы
Виявлення особливостей енергетичного спектру носіїв заряду в сполуках AII3BV2 різних кристалічних модифікацій. Математичне моделювання поверхонь рівної енергії в околі рівня Фермі та розрахунки параметрів, що визначаються геометрією цих поверхонь.
автореферат, добавлен 18.07.2015Удосконалення методик отримання плівок металів із відтворюваними структурою та електрофізичними властивостями. Дослідження закономірностей змін електричних властивостей тонких плівок під впливом поверхневого і зерномежового розсіювання носіїв струму.
автореферат, добавлен 05.08.2014Підходи, що застосовуються для опису лінійних явищ переносу. Дослідження рекомбінації нерiвноважних носіїв як при відсутності, так i при наявності температурного поля в напівпровіднику. Загальні положення теорії кінетичних явищ у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 24.06.2014- 4. Дослідження неоднорідностей морської поверхні методами багаточастотного радіолокаційного зондування
Дистанційні багаточастотні радіолокаційних методи дослідження неоднорідностей морської поверхні оцінки параметрів плівок поверхнево-активних речовин, що розлиті на морській поверхні, визначення меж потужних морських течій та виявлення енергоактивних зон.
автореферат, добавлен 23.02.2014 Молекулярна теорія роботи виходу атомів з плоскої поверхні простої діелектричної рідини в газ. Взаємозв’язок роботи виходу атомів з поверхні простої рідини та критеріїв стійкості рідини. Мікроскопічна теорія поверхневої енергії крапель металічних рідин.
автореферат, добавлен 27.08.2014Проблема відтворення рельєфу та структурних параметрів поверхні твердого тіла методами рефлектометрії, що базуються на явищі повного зовнішнього відбивання Х-променів. Вплив параметрів рельєфу і обробки поверхні на інтегральні та диференційні криві ПЗВ.
автореферат, добавлен 28.06.2014Розробка експрес методу контролю стану поверхні твердих тiл. Його практичне використання в умовах заводських та науково-дослідних лабораторій для виявлення точних властивостей та стану поверхні матеріалів (металів, напівпровідників, композитних структур).
автореферат, добавлен 28.06.2014Суть методу термічного висвічування. Розробка установки для дослідження термолюмінесценції, що дозволяє визначати кінетичні параметри центрів локалізації носіїв заряду, центрів рекомбінації, їх енергетичні характеристики. Опис експериментальної установки.
статья, добавлен 29.09.2016Визначення впливу одноіонної анізотропії та магнітного поля на фазові стани двовимірних негейзенбергівських феромагнетиків. Розробка моделі біквадратичної взаємодії каскаду фазових переходів з неоднорідним розподілом тензора квадрупольних моментів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Визначення стану молекул на вільній поверхні та всередині рідини. Вивчення сил, зумовлюють скорочення поверхневої плівки рідини. Обчислення коефіцієнта поверхневого натягу за допомогою приладу Ребіндера. Аналіз ролі явища капілярності в природі.
реферат, добавлен 02.12.2018Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Розрахунок поверхні Фермі двох металів: натрію і магнію. Обчислення енергії Фермі цих металів, швидкість електронів на поверхні, хвильовий вектор поверхні Фермі. Графіки залежностей енергії Фермі від кількості валентних електронів та від об’єму порожнеч.
курсовая работа, добавлен 01.09.2015Дослідження атомної структури релаксованої поверхні Si шляхом комп’ютерного моделювання з використанням модифікованого алгоритму молекулярної динаміки. Виявлення специфіки виникнення дімерної структури поверхневих атомних шарів в умовах їх релаксації.
автореферат, добавлен 23.02.2014З’ясування причин анізотропії віддзеркалення електронів проводимості від реальної поверхні вольфраму з орієнтацією. Розробка методів літографічної модифікації поверхні Si у надвисокому вакуумі. Методика отримання надгострих вольфрамових вістрів.
автореферат, добавлен 18.11.2013Вивчення структури енергетичного спектра носіїв у кристалі. Фізичні процеси, що відбуваються в тунельних електроно-діркових переходах. Розрахунок часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпрвідникових приладах. Дослідження термоелектронних явищ.
методичка, добавлен 18.04.2014Особливості пароутворення, залежність його швидкості від температури рідини, її роду, величини вільної поверхні та швидкості видалення пари з поверхні. Молекулярна картина випаровування. Процес кипіння, його характеристика, насичена і ненасичена пара.
конспект урока, добавлен 22.03.2016Методи високоефективної плазмової нетермічної обробки поверхні діелектричних матеріалів, використання імпульсних високовольтних газових розрядів. Розробка пристроїв генерації плазми, вимірювання її властивостей та обробка поверхні для здійснення процесів.
автореферат, добавлен 26.08.2014Структурний синтез соленоїдних магнітних систем із заданим розподілом магнітного поля в робочому об’ємі за допомогою багатокритеріальної умовної оптимізації зі змінною розмірністю простору пошуку та дискретно-неперервним характером набору параметрів.
автореферат, добавлен 11.08.2014Апробація радіофізичних методів дистанційної діагностики хвильових процесів в атмосфері Землі та на поверхні океану. Схема двопозиційного короткохвильового радіозондування морської поверхні з використанням випромінювання наземних широкомовних станцій.
автореферат, добавлен 14.09.2014Дослідження об’ємного часу життя в монокристалічному кремнії з врахуванням рекомбінації Шоклі-Ріда. Аналіз впливу концентрації надлишкових носіїв заряду та звуження забороненої зони на поверхневу рекомбінацію в кремнієвих фоточутливих структурах.
автореферат, добавлен 14.09.2015Дослідження результатів розрахунку імовірності тунельної іонізації глибокого домішкового центра поблизу вільної поверхні напівпровідника. Вивчення основних можливостей виникнення явища негативного диференціального опору в контакті метал-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.11.2013- 22. Процеси переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах аморфна плівка – кристалічний кремній
Механізми переносу носіїв заряду в гетероструктурах a-Si:H(Er)/n-Si, SiO2(Ge)/n-Si та a-SiC/p-Si при різних температурах і робочих напругах. Модель збудження електролюмінесценції в світловипромінюючій гетероструктурі. Результати введення ербію в плівку.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Вимірювання рельєфу та радіооптичних параметрів поверхні планети за даними її некогерентних зображень в оптичному масштабі та радіодіапазоні. Вимоги до основних підходів при постановці задачі. Можливі похибки визначення параметрів для карт рельєфу.
автореферат, добавлен 23.11.2013Теорія термодинамічних і кінетичних властивостей просторово-неоднорідного надпровідника з розподілом відповідних вихідних параметрів між доменами. Вплив непружного розсіяння носіїв струму у надпровідниках на їх властивості в залежності від температури.
автореферат, добавлен 13.08.2015Особливості взаємодії поверхневих і плоских електромагнітних хвиль з макромасштабними дефектами поверхні та їх розсіяння. Аналіз кореляції між параметрами геометричного рельєфу і неоднорідностями діелектричної проникності поверхні плівок золота.
автореферат, добавлен 07.03.2014