Общие сведения об электронных приборах
Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.
Подобные документы
Современный подход к прогнозированию рынка силовой электроники, основанной на зависимости объема рынка полупроводниковых приборов от объема вырабатываемой электроэнергии. Математическая регрессионная модель зависимости объема рынка силовой электроники.
статья, добавлен 30.07.2016Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014Рассмотрение физических основ электропроводности полупроводников. Характеристика силовых диодов. Определение особенностей лавинных диодов и стабилитронов. Изучение динамического режима работы транзисторов. Исследование общих сведений о тиристорах.
курс лекций, добавлен 28.08.2017Транзистор как полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, физические основы его функционирования, внутреннее устройство и принцип работы. Механизм возникновения токов. Схемы включения биполярного транзистора, их сравнение.
реферат, добавлен 29.10.2017Физические основы квантовой электроники, ее применение. Связанные электроны в составе атомных систем, генерация электромагнитных волн в приборах. Квантовый переход электрона с одного энергетического уровня на другой. Электрическое строение молекул.
реферат, добавлен 11.12.2010Изучение основных характеристик и особенностей работы биполярного транзистора в режиме импульсного ключа. Построение схемы измерительной цепи. Определение предельно допустимых значений токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
лабораторная работа, добавлен 21.06.2015Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.
реферат, добавлен 23.05.2016Определение мощности рассеиваемой на транзисторе. Расчет выходного сопротивления коллектора. Частотные параметры транзистора и график зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Приращение напряжения на затворе электрической схемы.
контрольная работа, добавлен 16.03.2017Конструкция и назначение сетки, возможности триода. Закон степени 3/2. Статические и динамические характеристики и параметры триода. Физические процессы в многоэлектродных вакуумных приборах. Назначение дополнительных сеток в многоэлектродных лампах.
реферат, добавлен 11.08.2014Анализ основных этапов развития электроники. Изучение физических эффектов и явлений в области физики твердого тела, физики контактов, квантовой механики и физики тонких пленок. Исследование основных параметров полупроводников, контактов, МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 13.09.2017Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013- 38. Типы диодов
Сущностная характеристика и устройство туннельных диодов. Возможности использования прибора для генерирования и усиления колебаний, преобразования сигналов и переключения. Обращенные и металлополупроводниковые диоды: общие сведения и особенности.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013 Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014Системы малосигнальных параметров биполярного транзистора. Входная, выходная и переходная статическая характеристика для схемы. Рабочая точка транзистора и его усилительные свойства. Порядок включения данного устройства, принцип его работы и структура.
лекция, добавлен 10.03.2016Классификация лазерных технологических процессов. Механизм передачи и поглощения энергии при излучении. Оптические характеристики металлов. Физические свойства лазерной плазмы. Анализ преимуществ применения лазеров в создании электронных приборов.
учебное пособие, добавлен 06.05.2016Способы представления колебаний, характеристики цепей переменного тока и резонансных систем. Основы генерации и распространения звуковых и электромагнитных волн. Принципы действия полупроводниковых элементов, на основе которых строятся преобразователи.
курс лекций, добавлен 22.06.2014- 43. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Классификация и область применения полупроводниковых диодов. Выпрямления переменного тока частотой от 50 до 100 килогерц. Расчет цепи, состоящей из последовательно соединенных диодов. Проектирование стабилизатора напряжения на интегральной микросхеме.
контрольная работа, добавлен 20.02.2014Характеристика инфракрасных лазерных прожекторов (приборов ночного видения), особенности их применения, принцип работы и конструкция. Технические характеристики прожекторов. Лазерный осветитель с единым объективом, его конструкция и принцип действия.
статья, добавлен 17.03.2016Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014Классификация электроннолучевых приборов. Устройство, принцип действия трубки с электростатическим управлением. Электростатическая фокусировка электронного луча. Магнитные фокусирующие линзы. Магнитная отклоняющая система. Конструкция отклоняющих катушек.
реферат, добавлен 13.10.2017Электрическая энергия, её особенности и область применения. Роль электротехники и электроники в развитии комплексной автоматизации современных производственных процессов и систем управления. Виды электроэнергетических систем. Роль электроники в науке.
контрольная работа, добавлен 15.03.2022Роль теплообменных аппаратов и устройств в различных отраслях промышленности и в домашнем хозяйстве. Типовая конструкция трубчатого теплообменника. Факторы, влияющие на выбор его технического устройства. Физические основы передачи тепла внутри агрегата.
статья, добавлен 11.08.2018