Общие сведения об электронных приборах
Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.
Подобные документы
- 51. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Классификация световых приборов по дополнительным признакам. Классификация светильников и прожекторов в зависимости от конкретной светотехнической функции. Светотехнические требования, области применения световых приборов. Виды и конструкция светильников.
реферат, добавлен 21.05.2015Изучение сущности, достоинств и недостатков светоизлучающих диодов - полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет при пропускании через них электрического тока. Определение цвета свечения. Схема включения и расчет необходимых параметров.
реферат, добавлен 20.11.2011Расчет констант распространения волноводных мод и полей мод в органических светоизлучающих диодах. Вычисление трех типичных структур диодов. Влияние введения рассеивающего слоя между прозрачным электродом и подложкой на эффективное рассеивание мод.
статья, добавлен 04.11.2018История возникновения и развития электроники и оптоэлектроники. Принцип работы квантовых приборов и сфера их применения. Характеристика явления индуцированного излучения в работе квантовых приборов. Получение усиления электромагнитных колебаний.
лекция, добавлен 26.08.2015Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.
контрольная работа, добавлен 29.10.2010Лазерный диод — полупроводниковый лазер. Виды и конструкция лазерных диодов. Лазеры на двойной гетероструктуре. Диод с квантовыми ямами. Гетероструктурные лазеры с раздельным удержанием. Лазеры с распределённой обратной связью. Применение лазерных диодов.
реферат, добавлен 13.08.2013Выбор и расчет элементов, входящих в состав компенсационного стабилизатора. Принцип действия биполярного транзистора. Параметры маломощных стабилитронов. Расчет стабилизатора. Основные элементы сглаживающих фильтров. Выбор диодов и расчет выпрямителя.
курсовая работа, добавлен 10.12.2012Изучение методов усиления и генерации электромагнитного излучения, основанных на использовании явления вынужденного излучения в неравновесных квантовых системах. Применение явления в электронных приборах. История квантовой электроники как области физики.
презентация, добавлен 10.01.2015Исследование характеристик и принципов действия импульсных и высокочастотных диодов. Ознакомление с историей диода Ганна — типа полупроводниковых диодов, использующихся для генерации и преобразования колебаний. Анализ технологии изготовления диода.
контрольная работа, добавлен 27.10.2015Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Полупроводниковые приборы с большим числом слоёв разного типа электропроводности, расположенных в разном сочетании. Особенности принципа действия биполярного транзистора. Приложение внешнего приложения к слоям. Схема транзистора с общим эмиттером.
лекция, добавлен 30.07.2013Исследование электротепловых режимов силовых полупроводниковых приборов (СПП) при групповых соединениях с учетом взаимосвязи их электрических и тепловых параметров и характеристик. Разработка методов подбора и отбраковки СПП для групповых соединений.
автореферат, добавлен 31.01.2019Общие сведения о работе тиристоров, их конструкция. Зонная диаграмма динистора на различных участках вольт-амперных характеристик. Зонные диаграммы и токи диодного тиристора в открытом состоянии. Зависимость коэффициента передачи от тока эмиттера.
презентация, добавлен 20.02.2016Общие сведения об источниках нетрадиционной энергетики. Солнечный рефлектор - конструкция, представляющая собой поле зеркал, расположенных в форме параболической поверхности, в точке фокусировки которой расположено энергопреобразующее устройство.
контрольная работа, добавлен 26.04.2019Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.
курсовая работа, добавлен 24.12.2015Назначение, классификация, особенности модуляции потока излучения. Демодуляция сигналов, потери мощности сигнала при модуляции. Общая характеристика способов модуляции сигнала в оптико-электронных приборах. Модуляция оптических сигналов с помощью растров.
лекция, добавлен 17.11.2018Общие сведения и конструкция асинхронного двигателя. Принцип образования вращающегося магнитного поля машины. Приведение параметров обмотки ротора к обмотке статора. Построение векторной диаграммы. Регулирование частоты вращения и торможение двигателя.
реферат, добавлен 14.08.2013Общие сведения о свойствах, ламинарном и турбулентном движении газов. Применение уравнения Бернулли в расчетах. Сверхзвуковое движение газов. Сопло Лаваля, конструкция, режимы работы. Передача тепла теплопроводностью и конвекцией. Излучение твердых тел.
курс лекций, добавлен 10.11.2017Основные понятия и виды теплопередачи. Понятие и принципы функционирования температурного поля. Основной закон теплопроводности и расчет соответствующих коэффициентов, дифференциальное уравнение. Виды теплообменных аппаратов, их конструкция и назначение.
курсовая работа, добавлен 08.12.2013Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Краткое ознакомление с активными и пассивными элементами, изменяющими электрические сигналы в цепях. Определение независимых источников тока. Характеристики полупроводниковых приборов, использующихся в промышленности. Диодная структура тиристоров.
реферат, добавлен 01.06.2015Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
реферат, добавлен 21.07.2013Классификация массообменных процессов в пищевых технологиях. Варианты выражения движущей силы диффузионных процессов. Взаимосвязь коэффициентов массоотдачи и массопередачи. Общие сведения о процессе абсорбции, области ее практического применения.
реферат, добавлен 07.06.2017