Радіаційно індуковані зміни оптичних характеристик нанокристалічних та об’ємних напівпровідників CdS1–xSex
Закономірності впливу енергетичного електронного опромінення на оптичні характеристики напівпровідникових нанокристалів CdS1–xSex, вкраплених у боросилікатну скляну матрицю, порівняння з радіаційними дефектами у склоподібних матеріалах класу силікатів.
Подобные документы
- 76. Оптичні дослідження інтеркальованих шаруватих кристалів як матеріалів функціональної електроніки
Динаміка зміни спектру поглинання інтеркальованих шаруватих кристалів, вплив на неї структурних змін обумовлених інтеркаляцією та змін анізотропії електронного перемішування інтеркалянт-матриця. Прогнозування немонотонної зміни інтенсивності піку.
статья, добавлен 25.03.2016 Основні характеристики і дефекти оптичних лінз. Вимірювання довжини хвилі джерела світла за допомогою дифракційної гратки. Шляхи зменшення сферичної аберації. Перевірка закону Малюса. Вивчення вентильного фотоефекту. Аналіз властивостей напівпровідників.
методичка, добавлен 21.07.2017Аналіз ефективних спектроаналітичних методів визначення оптичних характеристик нанорозмірних металевих часток. Використання селективних металеводіелектричних структур на основі ультрадисперсних конденсатів нікелю і хрому в енергозберігаючих системах.
автореферат, добавлен 13.07.2014Зміни параметра анізотропії рухливості K в n-Si з точковими дефектами під впливом високого гідростатичного тиску. Зміни рухливості носіїв струму під впливом гама-опромінення і пружної направленої деформації досліджуваних кристалів, опис експерименту.
автореферат, добавлен 04.03.2014Встановлення та пояснення оптичних властивостей пористого кремнезему. Побудова моделей адсорбційних центрів на поверхні пор. Вивчення тонких металевих плівок, осаджених на поверхню кремнезему лазерним методом. Оптичні параметри осадженої плівки.
автореферат, добавлен 27.02.2014Дослідження спектральних характеристик радіаційностійких кристалів окислів боратів бета–BaB2O4 та Li2B4O7, нелінійно-оптичних та гіротропних кристалів Ca3(VO4)2 та нелінійних кристалів GaP в умовах впливу полів імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження впливу рентгенівського опромінення та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі р-n-переходу транзистора 2Т363А. Збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду кристалу.
статья, добавлен 07.12.2016Аналіз низькочастотних коливальних характеристик кристалічних структур з комбінованими дефектами. Розрахунок фонових спектрів різних твердих розчинів при зміні концентрації домішок в широких межах. З'ясування природи додаткових резонансних піків.
автореферат, добавлен 29.08.2015Дослідження механізмів самоіндукованного формування квантових точок і впливу геометричних та структурних факторів на енергетичний спектр. Аналіз особливостей процесів, що реалізуються за участю електронних, екситонних, фононних і плазмових збуджень.
автореферат, добавлен 28.01.2016Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Розрахунок електронної зонної структури бінарних сполук методом модельного псевдопотенціалу та дослідження впливу на неї деформацій і температури. Моделювання твердих розчинів заміщення і дослідження впливу структурної релаксації на електронний спектр.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження зонної структури кристалів Cs2CdI4 і суперіоніки Ag2CdI4. Генезис зон та непрямозонний характер оптичних переходів. Спектри оптичних констант для кристала зі структурою типу Sr2GeS4 та походження смуг у спектрах діелектричної проникності.
автореферат, добавлен 06.07.2014Фізична модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження морфологічної та електронної структури опромінених напівпровідникових матеріалів із самоорганізованими точковими дефектами. Аналіз самоузгодженого електрон-деформаційного потенціалу, моделювання нелінійних деформаційно-дифузійних ефектів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Властивості та розсіяння світла плазмонами в напівпровідниках з виродженою валентною зоною. Вплив розігріву дірок у полі світлової хвилі на поглинання ними світла при прямих міжпідзонних оптичних переходах у напівпровідниках з виродженою валентною зоною.
автореферат, добавлен 28.08.2014Закономірності впливу структури, умов вирощування і зовнішніх факторів (термічного відпалу, радіаційного опромінення, легування) на термоелектричні характеристики плівок телуриду свинцю та їх аналогів. Методика вимірювання теплопровідності тонких плівок.
автореферат, добавлен 11.11.2013Застосування приладів для вимірювання і графічного відображення вольт-амперних характеристик. Величина транспортно-заготівельних витрат. Калькуляція собівартості вимірювача вольт-амперних характеристик напівпровідникових елементів. Розрахунок амортизації.
контрольная работа, добавлен 19.10.2012Створення масиву наночастинок Au на напівпровідникових плівках CdS термічним відпалюванням у вакуумі плівок золота товщиною 6 нм. Дослідження морфології поверхні плівок CdS, покритих масивом наночастинок золота, визначення середніх розмірів наночастинок.
статья, добавлен 13.10.2016Теорія фононного та поляронного станів в анізотропних напівпровідникових квантових ямах. Залежність середньої кількості віртуальних фононів полярона від хвильового вектора. Аналіз енергетичного спектра в гетероструктурах із плоскою квантовою ямою.
автореферат, добавлен 25.08.2015Оцінка поведінки транзисторних структур у полі високоенергетичного опромінення. Деформація електричних сигналів, що поширюються в опромінених інтегральних схемах. Зміни ВАХ їх активних і пасивних компонентів. Вплив складного радіаційного фактору.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження та опис фізичних закономірностей динаміки лінійних і нелінійних хвиль та імпульсів. Стійкість імпульсів, що переносять оптичні вихори в оптичному волокні. Параметри лінійних і нелінійних хвиль, що розповсюджуються в оптичних волокнах.
автореферат, добавлен 25.08.2015Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Розробка загальної теорії обчислення ефективної нелінійної діелектричної проникності дисперсних систем. Дослідження ефекту підсилення локального поля в композитах на основі нелінійного діелектрика і металу. Розрахунок оптичних характеристик тонких плівок.
автореферат, добавлен 27.04.2014Технологічні особливості легування кристалів селеніду цинку та дослідження їх оптичних і електрофізичних властивостей. Природа оптичних переходів та розробка методу визначення коефіцієнтів дифузії домішок хрому і кобальту в монокристалах селеніду цинку.
автореферат, добавлен 14.09.2015Виявлення і дослідження зміни мікромеханічних, електрофізичних характеристик і наноструктури кристалів кремнію при впливі магнітного поля. Аналіз особливостей зміни мікротвердості кристалів кремнію при довготривалій дії слабких постійних магнітних полів.
автореферат, добавлен 30.07.2015